研究課題/領域番号 |
20686065
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研究種目 |
若手研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
エネルギー学
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
一野 祐亮 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 准教授 (90377812)
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研究協力者 |
吉田 隆 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20314049)
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研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円)
2010年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2008年度: 13,910千円 (直接経費: 10,700千円、間接経費: 3,210千円)
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キーワード | エピタキシャル成長 / 機能性材料 / 酸化物超伝導体 / 薄膜 / 酸化物超伝導 / パルスレーザー蒸着法 / Nd:YAGレーザー / 臨界電流密度 / コンビナトリアル法 / Nd : YAGレーザー / 高臨界電流 |
研究概要 |
高性能RE系超伝導線材の実現のため、磁束ピン止め材料の高速探索手法の確立と安価な薄膜作製プロセスに関する検討を行った。RE系超伝導薄膜の作製にはエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着(PLD)法が主流だが、設備・ランニングコストが安価で有毒ガスを用いないために環境負荷が小さいNd:YAGレーザーを用いたPLD法でも同等なRE系超伝導薄膜が得られることを明らかにした。また、コンビナトリアルケミストリーの概念を応用したコンビナトリアルPLD法が磁束ピン止め材料の高速探索に有効であることを示し、新規磁束ピン止め材料の探索を行った。
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