| 研究課題/領域番号 |
20740202
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
村中 隆弘 青山学院大学, 理工学部, 助教 (70398577)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | p電子系化合物 / 半導体 / 超伝導 / sp共有結合性ネットワーク |
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| 研究概要 |
ワイドバンドギャップ半導体SiCの結晶中の積層構造の様式が異なる構造多形(ポリタイプ)に着目し、3C型(3C-SiC)と6H型(6H-SiC)それぞれに対してB及びAlをドープすることによって、超伝導が発現することを発見した。この発見により、p電子系バンドギャップ半導体に発現する超伝導の超伝導特性(第1種超伝導若しくは第2種超伝導)が、アクセプター準位の位置によって定性的に理解できることを示した。
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