| 研究課題/領域番号 |
20740216
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
数理物理・物性基礎
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
内田 和之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (10393810)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | ナノ物質 / ナノデバイス / キャパシタンス / 電子構造計算 / 密度汎関数法 / 第一原理計算 |
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| 研究概要 |
密度汎関数法に基づく第一原理的な電子状態計算の枠組みにおいて、ナノスケール系のキャパシタンスを計算する理論手法を確立し、プログラムに実装した。プログラムを用いて、カーボンナノチューブ等の具体的な物質からなるキャパシタの電子状態を計算し、キャパシタンスの定量的な値、ナノキャパシタ特有の量子効果、さらにそれらがキャパシタを構成する物質の電子構造とどのように相関しているのかを明らかにした。得られた知見は、次世代のナノスケール・エレクトロニクスにおける効率的なデバイス設計に重要である。
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