| 研究課題/領域番号 |
20740236
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
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| 研究機関 | 大阪大学 (2010-2011)
独立行政法人理化学研究所 (2008-2009) |
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研究代表者 |
根岸 良太 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30381586)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | ナノテクノロジー / ナノファブリケーション / 分子デバイス / 微細加工 / ナノギャップ / 自己組織化 / メゾスコピック / クーロンブロッケード / ナノカーボン / グラフェン / クーロンプロッケード |
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| 研究概要 |
本研究は、(1)これまで開発してきた微細加工プロセスの改良による超伝導材料や磁性材料など機能性材料からなるナノスケールサイズの溝構造を持つナノギャップ電極作製技術の確立、(2)ギャップ電極間へ高い電気伝導度が期待されるπ電子系分子(グラフェンを含む)を配置させた複合ナノ接合素子の作製と超伝導電流やスピンなどを単分子へ注入することによる新奇なキャリア輸送機構の観察、(3)チャンネル材料として成長グラフェンの利用を目標として行われた。具体的な研究成果は以下のとおりである。
(1)これまでの微細加工法にウエットエッチング技術を導入することにより、超伝導(Nb, Al)や強磁性(Co, Ni)体材料からなるナノギャップ構造作製プロセスの開発に成功した。
(2)分子デバイス作製のための高真空一貫装置を開発した。
(3)電極と分子を繋ぐアンカー構造がデバイスパラメータを決める一つの大きな要素であることを明らかにした。
(4)多温度ゾーンCVD法による成長グラフェンの層数制御法を確立した。
(5)成長グラフェンのキャリア輸送特性が、単層グラフェンの特性に類似していることを明らかにした。
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