| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| 研究概要 |
鉄メチル錯体Cp(CO)2FeMeを触媒として3級シランの光反応をジメチルホルムアミド中で詳細に検討したところ、対応するジシロキサンR3Si-O-SiR3が生成することを見出した。また反応中間体は、鉄上に2つのシリル基を持つ錯体であることも明らかにした。さらに、これまでにほとんど合成例がない鉄上に異なった14族元素配位子を2つ持つ錯体Cp(CO)FeH(EEt_3)(E'Et_3)(E, E'=Si, Ge, Sn)を種々合成し、HE''Et_3(E''=Si, Ge, Sn)との反応性を検討した。
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