| 研究課題/領域番号 |
20750094
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
高分子化学
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
内藤 昌信 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (30346316)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | フタロシアニン / ヘテロ接合 / 界面・表面 / 重縮合 / 半導体超分子 / 表面・界面 / シロキサン |
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| 研究概要 |
簡便な浸漬・乾燥プロセスにより、フタロシアニン超薄膜の作製に成功した。金基板表面への固定化量は水晶発振子マイクロバランス(QCM)法を用いて行った。その結果、浸漬・乾燥サイクル1回につき、精密にPc1層が精密に固定化されることを見出した。また、本手法を応用し、環構造の異なるフタロシアニンを用いても、ヘテロ接合フタロシアニン薄膜が作製できることも明らかになった。さらに、p-n接合フタロシアニン薄膜を作製するため、n型フタロシアニン誘導体を新規に設計し、合成することに成功した。
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