| 研究課題/領域番号 |
20750168
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 長崎大学 |
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研究代表者 |
山田 博俊 長崎大学, 工学部, 准教授 (10359961)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | イオン交換体・伝導体 / 固体電解質 / 全固体型電池 / 界面 / 空間電荷層 / 結晶歪み |
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| 研究概要 |
本研究では、ナノヘテロ界面におけるイオン伝導体の構造の精密化を行い、構造とイオン導電性との相関解明を目的とした。特異的なイオン伝導挙動を示すヨウ化銀・アルミナメゾ多孔体の系に置いては,細孔内におけるヨウ化銀が非晶質化しており、a-AgIと同様に固定化されたIイオンのフレームワーク中を溶融状態にあるAgイオンが自由に動き回れる状態にあると結論付けた。またイオン伝導体と電極活物質界面における構造およびイオン伝導性についても研究を行い,固体電解質/電極活物質界面では、イオンの化学ポテンシャル差により組成の変化が生じ、イオン伝導挙動が変化することを見出した。
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