| 研究課題/領域番号 |
20760010
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
村上 尚 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 助教 (90401455)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 結晶成長 / エピタキシャル / 窒化物半導体 |
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| 研究概要 |
本研究では、MOVPE法によるInNのP型伝導制御を目標として、InN結晶中に多数存在する貫通転位の低減を目下の課題として、低転位化技術の確立を目的に研究を遂行した。H20年度の研究において、InN成長初期に3次元ピラミッド成長から2次元横方向成長に移行することで転位低減効果を確認した。さらなる低転位化のため、H21年度はGaAs(111)B基板上に形成したSiO2マスクパターン上へのInN選択成長を試み、600oC以上に成長温度を増加することでSiO2上には成長せず、マスクの開口部にのみ(101￣1)ファセットに囲まれたピラミッド状のInN結晶を選択的に成長できることを見出した。
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