| 研究課題/領域番号 |
20760011
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
宮島 晋介 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (90422526)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 非晶質 / 量子ドット / 太陽電池 / ゲルマニウム |
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| 研究概要 |
固体中でのマルチエキシトン生成を検出するための構造として、Ge量子ドット超格子を用いたpin構造を提案した。プラズマCVDにより製膜したアモルファス超格子の熱処理により、アモルファスSiCO/Ge量子ドット超格子を作製することに成功した。高圧水蒸気処理により、スピン密度を10^<18>cm^<-3>台まで減少させることが可能であるが、マルチエキシトン生成の検証には更なるスピン密度の低減が必要である。
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