| 研究課題/領域番号 |
20760012
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
本田 善央 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60362274)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | GaN / InGaN / 半極性 / Si基板 / 光学特性 / 誘導放出 / 選択成長 / 半極性・非極性 / MOVPE |
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| 研究概要 |
加工Si基板上へGaNを選択成長し半極性GaNを作製した。(11-22)GaNを成長する場合、2段階成長を用いることで、転位密度を10^5/cm^2以下にすることに成功しほぼ無転位に近い高品質な半極性GaNを得ることに成功した。また、(1-101)GaNにおいては、転位が成長初期に曲がるため、上部に転位が伝搬しにくく、同様に転位密度を10^5/cm^2以下を達成することが可能であった。この結晶を用いて(1-101)GaNストライプ上にInGaN/GaN MQWを用いた導波路を作製し、光励起による光学特性を測定したところ、端面より誘導放出光を得ることに成功した。これはSi基板上では世界初となる結果であり、高品質結晶が得られたことを証明していると考えている。
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