| 研究課題/領域番号 |
20760020
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
藤本 義隆 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 特任助教 (70436244)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 計算物理 / ナノ材料 / 半導体物性 / 結晶成長 / シリコン / ゲルマニウム / 半導体表面界面 / 刃状転位 / 第一原理計算 / ナノテクノロジー |
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| 研究概要 |
本研究では、Si基板上のGe膜成長過程に生じる刃状転位の原子構造を提案し、第一原理量子計算を用いてエネルギー論を調べた。その結果、提案された5-7 員環転位芯構造は安定に存在し、12層程度Ge層を積むことで刃状転位が生じることを明らかにした。また、刃状転位芯が存在するGe表面の走査型トンネル顕微鏡像(STM)を計算し、STM像には転位線が見られることが分かった。
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