| 研究課題/領域番号 |
20760023
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
高橋 和生 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (50335189)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | プラズマプロセス / プラズマ加工 / エッチング / ナノデバイス |
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| 研究概要 |
次世代超大規模集積回路(ULSI)におけるゲート絶縁膜材料として注目されている酸化ハフニウム(HfO_2)に注目し、ゲート幅が数十ナノメートルのMOSFETを形成するためのプラズマエッチング技術の確立を目指した。CF_4/ArプラズマにCOもしくはH_2を添加すると、気相中は炭素が豊富な状態となりSiおよびSiO_2のエッチレートは減少するのに対して、HfO_2のエッチレートは増加した。これはHfの炭化物を生成物としてHfO_2がエッチングされている結果であると解釈できる。
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