| 研究課題/領域番号 |
20760051
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
小野田 忍 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 (30414569)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2010年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | シングルイベント過渡電流 / トランジスタ / マッピング / 放射線 / 電界効果トランジスタ / MOSFET |
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| 研究概要 |
単一イオンが炭化ケイ素トランジスタに入射した時に発生する雑音電流(過渡電流)のマッピングを従来手法を用いて測定し、過渡電流の発生機構をデバイスシミュレータを用いて解明した。一方、過渡電流のマッピングを簡便に取得する新技術開発を行った。ZnS発光体を使用し、数十μmの位置分解能ではあるが、マッピングの取得に成功した。ZnSに代わる発光体としてYAG:Ceやダイヤモンドを利用すれば、位置分解能が10倍程度高くできることが分かった。
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