| 研究概要 |
シリコンカーバイド(SiC)は,電力利用の効率化を担う高出力・高周波電子デバイス用材料として期待されている.これは,現在主流のSiデバイスに比べて優れた電気的・物理的特性を有しているからである.しかしながら,SiCは,高硬度かつ化学的に安定であるために,加工することが非常に難しく,デバイス製作時における加工技術が技術的課題となっている.本研究の目的は,次世代半導体デバイスの作製に必要不可欠なSiC基板の高能率・高精度加工技術を開発することである.本研究では,鉄触媒表面上で生成されるOHラジカルを利用したSiC基板の新しい加工法を提案し,その有効性を明らかにし,最終的に2インチサイズのSiC基板を全面鏡面化に成功するとともに,SiCと並んで次世代半導体候補材料である窒化ガリウム(GaN)基板表面の平滑化に成功している.
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