| 研究課題/領域番号 |
20760196
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
関 宗俊 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (40432439)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 機能性酸化物薄膜 / パルスレーザー堆積法 / 磁気光学効果 / スピン電荷競合系 / フェリ磁性体 / 自然超格子構造 / 自然超格子 / 希土類ガーネット型フェライト / フェリ磁性 / 酸化物薄膜 / スピンフラストレーション / 多層酸化物 / スピネル型フェライト / ガーネット型フェライト / フェリ磁性酸化物 / 光誘起磁性 / マルチフェロイック材料 |
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| 研究概要 |
パルスレーザー堆積法を用いて、自然超格子構造を有する希土類ガーネット型フェライトR_3Fe_5O_<12>および二次元三角格子フェライトRFe_2O_4の単結晶薄膜を作製した。R_3Fe_5O_<12>薄膜においては、エピタキシャル歪を導入して薄膜の結晶構造の中心対称性を破ることによって、自発分極を発現させることに成功した。また、Fe^<3+>イオンの一部をTi4+イオンで置換することによって、光誘起磁性が発現することを見出した。また、二次元三角格子フェライトInFe_2O_4薄膜のエピタキシャル成長にも世界で初めて成功した。
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