| 研究課題/領域番号 |
20760199
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
寺井 慶和 大阪大学, 工学研究科, 講師 (90360049)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | シリサイド半導体 / 希土類添加半導体 / 半導体光物性 / 鉄シリサイド / シリコンオプトエレクトロニクス / 変調分光法 / フォトリフレクタンス / エピタキシャル成長 / 分子線エピタキシー法 |
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| 研究概要 |
シリコンベースのオプトエレクトロニクス材料の開発を目的に、希土類添加シリサイド半導体を作製し、その光学特性を評価した。Si基板上にエピタキシャル成長させたシリサイド半導体β-FeSi_2中に、イオン注入法を用いて希土類元素であるEr^<3+>を添加した。その結果、光通信波長である1.5μmにおいて、Er^<3+>の4f準位間遷移に起因した発光を得ることに成功し、シリコンベースの発光材料として機能することを明らかにした。
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