| 研究課題/領域番号 |
20760203
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
西永 慈郎 早稲田大学, 高等研究所, 助教 (90454058)
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| 連携研究者 |
堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | フラーレン / GaAs / MBE / MEE / RHEED / 量子ドット / 電気・電子材料 / 薄膜・量子材料 / ナノ表面界面 / 有機半導体デバイス |
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| 研究概要 |
フラーレンC_<60>のMBE法によるエピタキシャル成長およびC_<60>を添加したGaAs、AlGaAsの物性について研究を進めた。C_<60>と基板結晶の格子不整合は大きいが,得られた結晶は極めて良く、C_<60>/GaAsヘテロ界面のRHEED振動観察によって、C_<60>成長初期層が基板表面再構成とC_<60>分子の立体構造で決まることを発見した。低温MEE法を用いてC_<60>-doped GaAsを作製した。C_<60>分子は分解されずに添加され,深い電子トラップとして機能することがわかった。この電子トラップは電界を印加すると電子を放出し,AlGaAs中でも同様に機能することがわかった。
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