| 研究課題/領域番号 |
20760207
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
間野 高明 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主任研究員 (60391215)
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| 研究協力者 |
黒田 隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (00272659)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 薄膜 / 量子構造 / 量子ドット / 結晶成長 / 半導体レーザ / 自己形成 / 半導体 / ガリウム砒素 / 液滴エピタキシー / レーザ素子 / 量子閉じ込め / 高性能レーザ / 自己組織化 |
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| 研究概要 |
高性能GaAs/AlGaAs系量子ドットレーザを実現する事を目的に、液滴エピタキシー法による量子ドット作製の高度化及びそのレーザ素子への応用に関する実験を行った。GaAs(311)A面を用いる手法を開発し、量子ドットの超高密度化・高均一化に成功した。また、アニール過程の最適化を行い、量子ドットの高品質化も実現した。これらの技術を組み合わせた結果、光励起に於いて室温レーザ発振を達成した。
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