パルススパッタ堆積法による単結晶薄膜で形成されたFBAR の作製

• 研究課題/領域番号: 20760209
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 井上 茂 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (10470113)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2009
• 研究課題ステータス: 完了 (2009年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: 結晶成長 / FBAR

研究概要

高周波数帯域で高い性能を示す周波数フィルタであるFABRの高品質化を実現する方法として、単結晶薄膜の利用が考えられる。本研究ではスループットの高い結晶成長手法であるパルススパッタ堆積法を用いてSi基板上へAlNの成長を行った。Si基板上へ直接AlNを成長するとクラックが導入される。そこで、超格子を用いることでクラックを抑制して単結晶AlN薄膜の成長を実現し、高品質FBARに必要な結晶成長手法を確立した。

研究成果

• [雑誌論文] Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311巻 ページ: 1311-1315
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial growth of GaN on single crystal Mo substrates using HfN buffer layers (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 1311-1315
  • 査読あり
• [学会発表] Rh(111)基板上へエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
  • 学会等名: 第39回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 名古屋大学
  • 年月日: 2009-11-13
• [学会発表] Rh(111)基板上ヘエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
  • 学会等名: 第39回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 名古屋大学
  • 年月日: 2009-11-13
• [学会発表] GaN/HfN/Si(110)へテロ構造の作製と界面の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 波大学
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] GaN/HfN/Si(110)ヘテロ構造の作製と界面の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-30