| 研究課題/領域番号 |
20760212
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
井上 耕治 京都大学, 工学研究科, 講師 (50344718)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | アトムプローブ / MOSFET / High-k / ドーパント / 微細化 / 3次元アトムプローブ / MOSトランジスタ / High-Kゲート酸化膜 |
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| 研究概要 |
レーザー3次元アトムプローブを用いて、MOS構造におけるドーパントの3次元空間分布やhigh-kゲート酸化膜構造について調べた。MOS構造やhigh-kゲート酸化膜構造の3次元アトムマップを得ることができた。ドーパントの種類による違い(ドーパントの偏析の有無やゲート酸化膜への侵入の有無)について明らかにした。high-kゲート酸化膜構造については傾斜構造を得ることができたが、今後詳細について検討していく。
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