| 研究課題/領域番号 |
20760227
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
菅野 敦史 独立行政法人情報通信研究機構, 新世代ネットワーク研究センター先端ICTデバイスグループ, 専攻研究員 (20400707)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | マイクロ波・ミリ波 / ナノ光デバイス / 電気光学効果 / 量子ドット / 半導体光デバイス |
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| 研究概要 |
ナノ光デバイス構造を利用する超高感度光電界センサの検討を行った結果、従来比1000倍以上の感度を有する量子井戸型電界吸収効果光センサの製作可能性を得た。あわせて量子ドット構造を利用する光電界センサ素子の試作も行った。他方、光電界計測技術を応用し、超高周波電界の瞬時可視化および進行電磁界の可視化に世界で初めて成功した。
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