| 研究課題/領域番号 |
20760481
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 独立行政法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
山本 直克 独立行政法人情報通信研究機構, 新世代ネットワーク研究センター・先端ICTデバイスグループ, 主任研究員 (60328523)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 量子ドット / 半導体ナノ構造 / 化合物半導体 / 広帯域発光 / 結晶成長 / 不均一構造 |
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| 研究概要 |
半導体量子ドットの構造不均一性の発生メカニズムを実験的に考察し、その不均一性制御のための新技術として、(1)アンチモン分子照射法、(2)サンドイッチ・サブナノ・セパレータ法を開発・提案した。構造不均一性が制御された量子ドット構造を光ゲイン材料とする量子ドットレーザダイオードを作製した。その結果、波長1.0、1.3ミクロン帯の近赤外域で超広波長帯域光出力を示すレーザ光源の開発に成功した。
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