| 研究課題/領域番号 |
20760489
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
野瀬 健二 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (10451882)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2009年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 表面 / プラズマ / 終端 / 気相合成 / 電気伝導 / 電子放出 / マイクロ波プラズマ / CVD / 表面終端 / 表面伝導 / ワイドバンドギャップ半導体 / 終端構造 |
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| 研究概要 |
ダイヤモンドの表面に化学結合した元素の分析とそれに誘起される真空中への電子の電界放出特性を測定した。アンモニア水溶液中での電気化学反応においては、窒素原子を伴う終端化ではなく、水溶液中の酸素終端が優先的に生じた。こうした表面終端構造を作製する過程で、微小かつ鋭い結晶のエッジを有するダイヤモンドの粒子が得られ、そこから低い印加電界強度から電子が放出する現象を確認した。
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