| 研究課題/領域番号 |
20760495
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
生駒 嘉史 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教 (90315119)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | ナノポア / ナノプロセス / 化学気相堆積法 / シリコン / シリコンカーバイド / パルスジェットCVD / 形成位置制御 |
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| 研究概要 |
ナノメートルサイズの微細孔(ナノポア)は、近年高性能DNAシーケンサ開発の際に重要な要素として注目されている。本研究では、新規ナノポア形成法を開発することを目的として、化学気相堆積法によりシリコン基板上へシリコンカーバイド薄膜を形成する際に導入される、{111}ファセットのピット形成に着目した。SOI基板裏面に異方性ウェットエッチングを施すことにより、基板の一部を薄膜化した表面にピットを導入することで、数10ナノメートルのナノポアが形成可能であることがわかった。
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