研究課題
若手研究(B)
ダイヤモンド構造を持つ典型的半導体であるシリコンは、融解すると一転して単純金属になると長い間考えられてきた。ところが、近年行われた計算機シミュレーションの結果によれば、これまでの自由電子的描像に反して、溶融シリコン中にはフェムト秒で生成消滅を繰り返す共有結合が存在し、しかもそれが非常に多くの割合で存在するとされている。本研究は、溶融シリコンの電子構造の詳細を解明することを目的として、溶融シリコン(1787K)のコンプトン散乱測定を行い、価電子の運動量密度分布を求めた。第一原理計算を用いた解析の結果、溶融シリコンの4個の価電子の約30%が共有結合に寄与することが判明した。
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submitted.
http://www.isas.jaxa.jp/home/iss/ISS_science_project_office.files/html_file/ishikawa/IshikawaLab.htm