| 研究課題/領域番号 |
20760519
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
反応工学・プロセスシステム
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
久保 正樹 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50323069)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 新規反応場 / 超音波 / ヒドロキシルラジカル / スピントラップ法 / 反応速度解析 / スピンアダクト / 速度解析 |
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| 研究概要 |
スピントラップ法の改良により、超音波照射下において酸化チタンの触媒作用で生じるヒドロキシルラジカルの生成速度を精密に評価する手法を開発した。まず、酸化チタンを添加しない系で、スピンラベル剤とヒドロキシルラジカルの反応速度論モデルを用い、ラジカル生成速度を精密に評価した。次に、酸化チタン添加系において、スピンラベル剤の酸化チタンへの吸着を考慮した速度論モデルを用い、酸化チタンの触媒作用で生じるラジカルの生成速度を厳密に評価する手法を確立した。
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