| 研究課題/領域番号 |
20840029
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中村 浩之 大阪大学, 基礎工学研究科, 特任助教 (90506445)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,276千円 (直接経費: 2,520千円、間接経費: 756千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,716千円 (直接経費: 1,320千円、間接経費: 396千円)
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| キーワード | 表面・界面物性 / 誘電体物性 / 強相関エレクトロニクス / 超伝導材料・素子 / 酸化物界面 / トランジスタ / 磁性 / 電界効果 / 反局在 / 金属絶縁体転移 / 酸化物 / 酸化物エレクトロニクス / 弱局在 / スピントロニクス / FET |
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| 研究概要 |
タンタル(Ta)酸化物の単結晶基板上に電界効果トランジスタ(FET)構造を作製し、表面に誘起される二次元的なキャリアの物性を調べた。電子層の磁気抵抗を2K程度の低温で測定した結果、電子の反局在効果という現象を観測した。反局在効果を詳細に解析したところ、従来の半導体の系と比較してスピンの回転長が数10nmと顕著に短いことがわかった。強いスピン軌道相互作用下におけるスピンと電場の相互作用を理解するうえで興味深い成果であると考えられる。
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