| 研究課題/領域番号 |
20860003
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
沓掛 健太朗 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00463795)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,289千円 (直接経費: 2,530千円、間接経費: 759千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,729千円 (直接経費: 1,330千円、間接経費: 399千円)
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| キーワード | シリコン / 双晶 / 超格子 / 結晶成長 / 結晶粒界 / 結晶欠陥 |
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| 研究概要 |
本研究では、同一Si基板上の多機能デバイスの実現を目指し、Siバルク結晶中に双晶超格子を作製する方法として、複合種結晶を用いて結晶成長を行う方法を提案した。さらに、結晶成長過程における双晶形成機構として、双晶関係からの傾角ずれおよび結晶成長速度の変化が重要であることを見出した。一方、双晶超格子の電気的特性評価では、双晶周囲の転位が特性を大きく低下させることを示した。転位密度の低減が今後の課題である。
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