| 研究課題/領域番号 |
20860005
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
応用物理学一般
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
吉田 慎哉 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (30509691)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,289千円 (直接経費: 2,530千円、間接経費: 759千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,729千円 (直接経費: 1,330千円、間接経費: 399千円)
|
|---|
| キーワード | 導電性高分子 / 高密度記録 / MEMS / 分子層堆積 / マルチプローブ超高密度記録 / 超高密度記録 / 走査型プローブ顕微鏡 |
|---|
| 研究概要 |
導電性変化を記録情報としたマルチプローブ超高密度記録システムの実現を目的とし、本研究では、ナノ・分子レベルで構造を制御した導電性スイッチング高分子記録媒体の研究を行った。本研究では、ブロック共重合体リソグラフィを用いて超高密度パターンドメディアを形成し、そのビットアレイへのリライタブル導電性記録に成功した。また、数平方マイクロメートルの面積においてオングストロームレベルの平坦性を有する金属表面の形成技術を開発した。さらに、芳香族ポリイミド分子層堆積膜の極微小領域の導電性を、パルス電圧印加によって500倍以上増加させることに成功した。以上の研究成果より、本研究の提案する記録原理は、極めて高い記録密度と信号/雑音比の実現が期待できることを実証した。
|
