| 研究課題/領域番号 |
20860057
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
岡田 成仁 山口大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (70510684)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,289千円 (直接経費: 2,530千円、間接経費: 759千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,729千円 (直接経費: 1,330千円、間接経費: 399千円)
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| キーワード | サファイア加工基板 / GaN / GaInN / 非極性面 / 非極性面GaN |
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| 研究概要 |
研究の目的の1つである高品質な非極性面GaN結晶を作製するための新規技術を確立することができた。それは半導体の商用化に必要不可欠である「安い、大きい、高品質」を可能にする技術である。具体的にはGaNを成長させるために必要なサファイアにストライプ構造を作製し、形成されたサファイアの側壁から非極性面GaNを成長させる方法である。最終的にこの方法によって作製した非極性面GaN上にGaInN成長させ評価し、優れたGaInN結晶を得るための条件を見出すことができた。
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