| 研究課題/領域番号 |
20860086
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神戸市立工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
市川 和典 神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 講師 (90509936)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,289千円 (直接経費: 2,530千円、間接経費: 759千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,729千円 (直接経費: 1,330千円、間接経費: 399千円)
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| キーワード | 低温poly-Si TFT / フラッシュメモリ / システムオンパネル / レーザー結晶化 / 薄膜トランジスタ(TFT) / Siナノドット / Poly-Si / 薄膜トランジスタ |
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| 研究概要 |
我々はa-Si/SiO_2/a-Siの積層構造の基板に532nmのグリーンレーザーを照射することで、上層および下層のa-Siを同時に結晶化し、上層をフローティングゲート、下層をチャネル層とした低温poly-Si TFT (LTPS-TFT)フラッシュメモリを作製およびメモリ特性の評価を行った。その結果、チャネル層のSiの結晶性の向上により、ON電流の向上がみられるなどTFTの特性が向上した。また結晶時における融解熱により酸化膜が熱処理されることで、メモリ特性にも大幅な特性向上がみられた。
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