| 研究課題/領域番号 |
20860090
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
早川 竜馬 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, NIMSポスドク研究員 (90469768)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,211千円 (直接経費: 2,470千円、間接経費: 741千円)
2009年度: 1,495千円 (直接経費: 1,150千円、間接経費: 345千円)
2008年度: 1,716千円 (直接経費: 1,320千円、間接経費: 396千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / 有機ヘテロ界面 / 光 / ヘテロ構造 / 光スイッチング |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、近年、フレキシブルな機能を有する電子デバイスとして注目されている有機トランジスタの特性を有機ヘテロ界面での電荷移動を光により制御することによって変調することである。下地となるクォテリレン有機トランジスタの高性能化に成功し、2分子層程度でも良好に動作する薄膜トランジスタの作製に成功した。有機ヘテロ界面での効果的な電荷移動を誘起させるために電子受容性が極めて高い電荷移動錯体を用いて積層型トランジスタを作製した。電荷移動錯体分子を蒸着することによりクォテリレントランジスタの閾値電圧を変化させることに成功した。この結果から、有機ヘテロ界面を利用したデバイス制御が可能であることが示された。
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