| 研究課題/領域番号 |
20860095
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
中嶋 聖介 独立行政法人理化学研究所, 緑川レーザー物理工学研究室, 基礎科学特別研究員 (40462709)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
1,716千円 (直接経費: 1,320千円、間接経費: 396千円)
2009年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2008年度: 1,196千円 (直接経費: 920千円、間接経費: 276千円)
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| キーワード | フェムト秒レーザープロセス / 強磁性体 / スピントロニクス / レーザー誘起現象 / ナノ微粒子析出 / 青色LED / フォトニック結晶 / フェムト秒レーザー |
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| 研究概要 |
ソーダライムガラスに磁性イオンを段階的にドープしたガラス試料を作製し、レーザー照射による強磁性相誘起を試みた。基本波長に設定したフェムト秒レーザーを対物レンズを用いて集光照射したところ、照射の前後において磁化の増加を観測した。また、超短パルスレーザープロセス技術を用いた半導体材料の微細加工に関する研究に取り組み、化学溶液支援フェムト秒レーザーアブレーション法を用いることで加工痕径200nmの加工解像度を実現した。
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