• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築

研究課題

研究課題/領域番号 20H00240
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関北陸先端科学技術大学院大学

研究代表者

徳光 永輔  北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (10197882)

研究分担者 藤村 紀文  大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (50199361)
森田 行則  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (60358190)
太田 裕之  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (70356640)
右田 真司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹 (00358079)
研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2023-03-31
研究課題ステータス 完了 (2022年度)
配分額 *注記
45,500千円 (直接経費: 35,000千円、間接経費: 10,500千円)
2022年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2021年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2020年度: 19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
キーワード強誘電体 / 分極ダイナミクス / 急峻スロープトランジスタ / 負性容量 / 急峻スイッチトランジスタ
研究開始時の研究の概要

本研究では、強誘電体の分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術を構築して、次世代の低電圧動作トランジスタ実現の新しい指針を示す。現在注目されている強誘電体ゲート負性容量トランジスタには動作原理に不明確な点が多く、また使用されているモデルも単純化されすぎている。本研究では、強誘電体の分極ダイナミクスをフル分極、マイクロ分極、相互作用という観点から把握し、実際の分極の描像を正確に反映した新しいデバイス動作モデルを構築するとともに、実験的にデバイスを試作して立証する。さらに分極およびドメインを制御する技術を開発して、急峻スイッチトランジスタ基盤技術を確立する。

研究成果の概要

本研究では「負性容量」により急峻なスイッチング特性が得られるとされている強誘電体ゲートトランジスタに関して、強誘電体の分極ダイナミクスに立ち戻ってその動作機構を検討した。RC回路のパルス応答解析、強誘電体・半導体積層構造での半導体表面ポテンシャルの計算等から、「負性容量」特性は従来から言われているランダウの相転移理論による解釈は必ずしも必要ではなく、強誘電体の分極反転に伴って発現する現象であることが強く示唆された。また酸化物チャネルを用いて良好なトランジスタ特性が得られた。さらに、ナノラミネート構造による物性制御、正圧電応答を用いた新たな測定技術など、新たな知見も得られた。

研究成果の学術的意義や社会的意義

半導体デバイスの低電圧動作、低消費電力化が求められる中、本研究では急峻なスイッチング特性が得られる強誘電体ゲートトランジスタに関して、従来から言われているランダウの相転移理論上の「負性容量」によるという解釈ではなく、強誘電体の分極反転に伴って発現する現象であることを強く示唆する結果が得られた。これは今後の低電圧動作デバイス設計に大きな指針を与える成果である。また上記に加えて、HfO2系強誘電体膜形成時の酸化状態制御、ナノラミネート構造による物性制御、正圧電応答を用いた新たな測定技術など、今後の当該分野の発展に向けてのいくつかの新たな研究成果が得られた。

報告書

(5件)
  • 2022 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2021 実績報告書
  • 2020 審査結果の所見   実績報告書
  • 研究成果

    (59件)

すべて 2023 2022 2021 2020

すべて 雑誌論文 (14件) (うち国際共著 2件、 査読あり 14件、 オープンアクセス 4件) 学会発表 (45件) (うち国際学会 16件、 招待講演 9件)

  • [雑誌論文] Electrical properties of ferroelectric Y-doped Hf-Zr-O thin films prepared by chemical solution deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Sasaki Keisuke、Mohit、Hashiguchi Sho、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SN ページ: SN1027-SN1027

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac7fda

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect transistors2022

    • 著者名/発表者名
      Miyasako Takaaki、Yoneda Shingo、Hosokura Tadasu、Kimura Masahiko、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 120 号: 26 ページ: 262901-262901

    • DOI

      10.1063/5.0089049

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of Ferroelectric Gate Thin‐Film Transistors with a Lanthanum‐Doped HZO Gate Insulator and Indium‐Tin‐Oxide Channel via a Solution Process2022

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Murakami Tatsuya、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters

      巻: 2022 号: 10 ページ: 2100581-2100581

    • DOI

      10.1002/pssr.202100581

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment2022

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Wen Yuli、Hara Yuki、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Ohdaira Keisuke、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SH ページ: SH1004-SH1004

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac5a95

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor With Ferroelectric ZrOx/HfZrO Gate Insulator by 2 Step Sequential Ar/O2 Treatment2022

    • 著者名/発表者名
      Hasan Md Mehedi、Mohit、Islam Md Mobaidul、Bukke Ravindra Naik、Tokumitsu Eisuke、Chu Hye-Yong、Kim Sung Chul、Jang Jin
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 43 号: 5 ページ: 725-728

    • DOI

      10.1109/led.2022.3162325

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Anomalous change of carrier transport property of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin films in the first poling treatment2022

    • 著者名/発表者名
      Morita Yukinori、Ota Hiroyuki、Migita Shinji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SC ページ: SC1070-SC1070

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac48ce

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Impact of reduced pressure crystallization on ferroelectric properties in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering2021

    • 著者名/発表者名
      Hara Yuki、Mohit、Murakami Tatsuya、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: SF ページ: SFFB05-SFFB05

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac1250

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] High performance ferroelectric ZnO thin film transistor using AlOx/HfZrO/ZrOx gate insulator by spray pyrolysis2021

    • 著者名/発表者名
      Hasan Md Mehedi、Mohit、Bae Jinbaek、Tokumitsu Eisuke、Chu Hye-Yong、Kim Sung Chul、Jang Jin
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 119 号: 9 ページ: 093502-093502

    • DOI

      10.1063/5.0058127

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Time‐Dependent Imprint in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Thin Films2021

    • 著者名/発表者名
      Takada Kenshi、Takarae Shuya、Shimamoto Kento、Fujimura Norifumi、Yoshimura Takeshi
    • 雑誌名

      Advanced Electronic Materials

      巻: 7 号: 8 ページ: 2100151-2100151

    • DOI

      10.1002/aelm.202100151

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf0.5Zr0.5O2 film through the direct piezoelectric response2021

    • 著者名/発表者名
      Takada Kenshi、Murase Mikio、Migita Shinji、Morita Yukinori、Ota Hiroyuki、Fujimura Norifumi、Yoshimura Takeshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 119 号: 3 ページ: 032902-032902

    • DOI

      10.1063/5.0047104

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indium oxide and indium-tin-oxide channel ferroelectric gate thin film transistors with yttrium doped hafnium-zirconium dioxide gate insulator prepared by chemical solution process2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Miyasako Takaaki、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: SB ページ: SBBM02-SBBM02

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abd6da

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Thermal stability of ferroelectricity in hafnium?zirconium dioxide films deposited by sputtering and chemical solution deposition for oxide-channel ferroelectric-gate transistor applications2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 4 ページ: 041006-041006

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abebf4

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Haga Ken-ichi、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SM ページ: SMMB02-SMMB02

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab86de

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of annealing environment on electrical properties of yttrium-doped hafnium zirconium dioxide thin films prepared by the solution process2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit、Murakami Tatsuya、Haga Ken-ichi、Tokumitsu Eisuke
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SP ページ: SPPB03-SPPB03

    • DOI

      10.35848/1347-4065/aba50b

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 酸化物半導体デバイスへの期待―強誘電体ゲートトランジスタを中心として-2023

    • 著者名/発表者名
      徳光永輔
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] HfO2-ZrO2 Nanolaminate構造における強誘電相の生成促進2023

    • 著者名/発表者名
      右田真司、太田裕之、浅沼周太郎、森田行則、鳥海明
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 製膜後の最初の電界印加によって誘起されるHf0.5Zr0.5O2薄膜の伝導特性の変化および強誘電化2023

    • 著者名/発表者名
      森田行則、女屋崇、浅沼周太郎、太田裕之、右田真司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 圧電MEMS振動子によるリザバーコンピューティング2023

    • 著者名/発表者名
      吉村 武, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 神田 健介, 神野 伊策
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 正圧電応答顕微鏡法を用いた電極下分極ドメイン観察における空間分解能2023

    • 著者名/発表者名
      萩原 拓永, トープラサートポン カシディット,高木 信一, 藤村 紀文, 吉村 武
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 複数圧電振動子でのリザバーコンピューティング2023

    • 著者名/発表者名
      庄野 武洋, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 吉村 武
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfZrO2薄膜の結晶化過程Ⅱ2023

    • 著者名/発表者名
      内藤 圭吾, 山口 晃一, 吉村 武, 藤村 紀文
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 基板近傍に成長空間を制限して作製したHfO2薄膜のALD成長機構2023

    • 著者名/発表者名
      市川 龍斗, 宝栄 周弥, 内藤 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Ferroelectric gate thin films transistors with Y-doped Hf-Zr-O gate insulator and In-Sn-O channel2022

    • 著者名/発表者名
      E. Tokumitsu, Y. Kubota, Mohit, K. Sasaki
    • 学会等名
      14th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applicatiopns (JCFMA-14),
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 溶液プロセスによるIn-Sn-O(ITO)薄膜の形成と強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの応用2022

    • 著者名/発表者名
      久保田剛郎、徳光永輔
    • 学会等名
      第19回薄膜材料デバイス研究会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 化学溶液堆積法によるHf-Zr-O膜へのドーピングと強誘電性評価2022

    • 著者名/発表者名
      橋口 渉、徳光永輔
    • 学会等名
      第19回薄膜材料デバイス研究会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] HfO2-based ferroelectric-gated variable-area capacitors2022

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Miyasako, Shingo Yoneda, Tadasu Hoisokura, Masahiko Kimura, Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ITO Channel Thin Film Transistor using Solution-Derived Ferroelectric Hf-Zr-O Gate Insulator2022

    • 著者名/発表者名
      Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      13th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 溶液プロセスによる薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx積層構造の形成2022

    • 著者名/発表者名
      齋藤 瑞、モヒート、東嶺 孝一、徳光 永輔
    • 学会等名
      日本ゾルゲル学会第20回討論会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 原子状水素処理を用いたスパッタHf-Zr-O膜の強誘電特性改善2022

    • 著者名/発表者名
      徳光永輔、モヒート、文 昱力、原 佑樹、右田真司、太田裕之、森田行則、大平圭介
    • 学会等名
      第19回Cat-CVD研究会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Yドープ Hf-Zr-O 薄膜の化学溶液堆積における仮焼成の効果2022

    • 著者名/発表者名
      佐々木啓介、モヒート、徳光永輔
    • 学会等名
      第39回強誘電体会議
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Perspective of ferroelectric-HfO2 materials for electron device applications2022

    • 著者名/発表者名
      Shinji Migita
    • 学会等名
      2022 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] HfO2-ZrO2 Laminate構造か強誘電相生成をアシストするメカニズム2022

    • 著者名/発表者名
      右田真司、森田行則、浅沼周太郎、太田裕之、齊藤雄太
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Transition of Ferroelectric and Antiferroelectric Properties in Atomic-Scale-Engineered HfO2 and ZrO2 Superlattice Films2022

    • 著者名/発表者名
      Shinji Migita, Shutaro Asanuma, Yuta Saito, Yukinori Morita, and Hiroyuki Ota
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanotechnology Conferences
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 正圧電応答顕微鏡法によるHfO2薄膜の分極ドメイン構造の観察Ⅱ2022

    • 著者名/発表者名
      萩原 拓永, Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 藤村 紀文, 吉村 武
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfZrO2薄膜の結晶化過程2022

    • 著者名/発表者名
      内藤 圭吾, 山口 晃一, 吉村 武, 藤村 紀文
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 機能性セラミックス薄膜の新規なプロセッシングと物性制御2022

    • 著者名/発表者名
      藤村 紀文
    • 学会等名
      フルラス・岡崎記念会 2022年度定期総会・講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Recent Progress of Hafnium Oxide based Ferroelectric Thin Films for Microelectronics2022

    • 著者名/発表者名
      N. Fujimura
    • 学会等名
      8th International Symposium on Transparent Conductive Materials & 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] ポーリング処理前後における強誘電性Hf0.5Zr0.5O2薄膜の不可逆的な伝導特性変化2022

    • 著者名/発表者名
      森田行則、太田裕之、右田真司
    • 学会等名
      第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT27)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 正圧電応答顕微鏡法によるHfO2薄膜の分極ドメイン構造の観察2022

    • 著者名/発表者名
      萩原 拓永, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 藤村 紀文, 吉村 武
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] Preparation of ferroelectric lanthanum doped hafnium-zirconium oxide thin films by solution process2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2021)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Comparison of electrical properties of indium-tin-oxide channel ferroelectric-gate thin film transistors using solution processed and sputtered Hf-Zr-O2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ferroelectric gate thin film transistor with La-HZO gate insulator and indium-tin-oxide channel prepared by solution process2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit, and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      European Materials Research Society
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Enhancement of ferroelectricity in sputtered hafnium-zirconium oxide thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Keisuke Ohdaira and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      2021 International Wiorkshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Yttrium Doping Concentration Dependence on Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium Oxide Prepared by Chemical Solution Deposition2021

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Sasaki, Mohit, and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2021
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 化学溶液プロセスによるYドープHZO薄膜の作製と評価2021

    • 著者名/発表者名
      佐々木啓介、モヒート、徳光永輔
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 溶液プロセスによるCeOx/ Hf-Zr-O積層構造の形成と評価2021

    • 著者名/発表者名
      齋藤 瑞、Mohit、徳光永輔
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] スパッタHf-Zr-O膜における強誘電性の安定性向上2021

    • 著者名/発表者名
      原 佑樹, モヒート, 右田 真司 , 太田 裕之, 森田 裕史, 徳光 永輔
    • 学会等名
      第38回強誘電体会議
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] Carrier Transport properties of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films in Poling Treatment2021

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Why do the HfO2-based ferroelectric thin films show unique properties? - Negative Capacitance, Wake-up Process and Time-dependent Imprint -2021

    • 著者名/発表者名
      Norifumi FUJIMURA
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2021 (MRM2021)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Fabrication of ferroelectric gate thin film transistors using CSD Y-HZO and sputtered HZO with sputtered ITO channel2021

    • 著者名/発表者名
      Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Dioxide by Chemical Solution Process2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit, Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Robustness of Ferroelectricity in Hafnium- Zirconium Dioxide Films Deposited By Sputtering and Chemical Solution Deposition for Ferroelectric Transistor Applications2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit, S. Migita, H. Ota, Y. Morita, and E. Tokumitsu
    • 学会等名
      PRiME (Pacific Rim Meeting on Electrochemical & Solid State Science) 2020
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of Annealing Environment on Ferroelectric Properties of Hf-Zr-O (HZO) Thin Films Prepared by Solution Process2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit,Ken-Ichi Haga,Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      第37回強誘電体会議
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium-Dioxide Prepared by Chemical Solution Process for MFM and MFS Structures2020

    • 著者名/発表者名
      Mohit,Eisuke Tokumitsu
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 強誘電体薄膜Hf0.5Zr0.5O2およびHfO2の強誘電特性の比較2020

    • 著者名/発表者名
      森田行則、太田裕之、右田真司
    • 学会等名
      2020年日本表面真空学会 学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO2 Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition2020

    • 著者名/発表者名
      Shuya Takarae, Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura
    • 学会等名
      Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Si直上Y:HfO2エピタキシャル薄膜の界面誘電特性2020

    • 著者名/発表者名
      佐保 勇樹, 宝栄 周弥, 高田 賢志, 吉村 武, 藤村 紀文
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] ALD法を用いて作成したSi直上Al:HfO2準安定相の結晶化過程2020

    • 著者名/発表者名
      宝栄 周弥, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Formation of the metastable phase of HfxZr1-xO2 ferroelectric films deposited by atomic layer deposition method2020

    • 著者名/発表者名
      K. Takada, S. Takarae, T. Yoshimura, and N. Fujimura
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書

URL: 

公開日: 2020-04-28   更新日: 2024-01-30  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi