研究課題/領域番号 |
20H00250
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
森 伸也 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70239614)
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研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
42,380千円 (直接経費: 32,600千円、間接経費: 9,780千円)
2024年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2023年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2022年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2021年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2020年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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キーワード | 量子輸送シミュレーション / 低次元半導体 / 電子 / フォノン / 非平衡グリーン関数法 / 2次元物質 / 省電力デバイス / トンネルトランジスタ / 熱電変換デバイス / バンド間トンネル |
研究開始時の研究の概要 |
これまでは,電子を古典力学に従って運動する粒子として扱い,デバイスを連続体として扱うという枠組みの中で,半導体電子デバイスの設計や解析が行われてきました.しかし,極めて微細なデバイスのシミュレーションにおいては,電子が量子力学に従って運動するという量子性や,デバイスが原子から構成されているという原子論的な効果を無視することができません.本研究では,申請者らが確立してきた原子論に基づく量子輸送シミュレーション技術を基盤に,原子層1層程度の極めて薄い物質からなるデバイスにおいて,電子輸送とフォノン輸送とを同時に取り扱うことができるシミュレータを実現することを目的としています.
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研究実績の概要 |
本研究では,2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレータを実現し,デバイス開発の指針を早期に得る環境を構築するこを目的にしている.フォノン輸送シミュレータに関して,本年度は,半導体スラブにおける変調音響フォノンモードに結晶の異方性が与える影響を解析した.電子輸送シミュレーションに関しては,大規模計算に適した等価モデルの改良を行った. これまで,半導体スラブにおける変調音響フォノン解析は,結晶を等方的な弾性体と近似して,ナビエの式を用いて行われてきた.今年度,結晶の異方性を考慮できえるクリストッフェルの方程式を解き,変調音響フォノンモードを求めた.その結果,結晶の異方性を考慮すると,バルク結晶における縦波・横波の音速が異方性を示すことに対応して,スラブフォノンの分散関係も異方性を示すことがわかった.求めたフォノンモードを用いて,スラブに閉じ込められた2次元電子ガスの変形ポテンシャル散乱確率などを求めた.その結果,結晶の異方性があまり大きくないシリコンのような半導体でも,結晶の異方性が音響フォノン散乱確率に与える影響を無視できないことなどがわかった. 電子輸送シミュレーションに関しては,シミュレータの高速化に向けて,等価モデルの改良を行った.等価モデルの構築は,非物理的状態を除去することにより行える.非物理的状態の除去は,追加の基底ベクトルを導入することにより行う.大規模系(ハミルトニアンサイズが大きい系)において,従来の手法を用いて追加の基底ベクトルの候補を探索した場合,適切な追加基底が見つかる確率が低く,非効率的である.本年度,新たに,効率的な追加基底を探索するアルゴリズムを開発した.さらに,追加基底により非物理的状態が除去されていることを評価するための汎関数の計算手法も改良し,より大規模な系の等価モデルを効率的に構築する環境を整えた.
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本研究では,2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレータを実現し,デバイス開発の指針を早期に得る環境を構築するこを目的にしている.フォノン輸送シミュレータに関して,本年度は,相互作用モデルの精密化を行った.また,電子輸送プログラムの高速化に向けた高速計算手法を開発した.連成シュミュレーションプログラムの開発は開発途中であり,当初の計画と順番が前後している点を除けば,研究内容的には,概ね計画通りである.
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今後の研究の推進方策 |
今後は,これまで作成してきたプログラムおよび開発してきた高速計算手法を融合して,2次元物質ヘテロ構造トランジスタの性能予測を行う.輸送プログラムとポアソン方程式とを自己無撞着的に解き,トランジスタ特性をシミュレーションすることにより,デバイスの性能予測を行う.種々のチャネル材料・デバイスサイズをデバイスに対してシミュレーションを実行し,オン電流,サブスレッショルド特性など観点から,高性能化に向けた材料選択・デバイス構造最適化の指針を得る
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