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サブサイクルテラヘルツ近接場分光:超高速ダイナミクスの可視化と制御

研究課題

研究課題/領域番号 20H00326
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
研究機関横浜国立大学

研究代表者

武田 淳  横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (60202165)

研究分担者 金 有洙  国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 主任研究員 (50373296)
片山 郁文  横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (80432532)
今田 裕  国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 上級研究員 (80586917)
研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2021-03-31
研究課題ステータス 中途終了 (2020年度)
配分額 *注記
45,500千円 (直接経費: 35,000千円、間接経費: 10,500千円)
2020年度: 21,190千円 (直接経費: 16,300千円、間接経費: 4,890千円)
キーワードテラヘルツ / 近接場 / サブサイクル / 近接場分光 / 超高速ダイナミクス
研究開始時の研究の概要

本研究では、位相制御テラヘルツ走査トンネル顕微鏡(THz-STM)とSTM発光分光技術を巧みに組み合わせ、世界初となる原子スケールの空間分解能とフェムト秒(サブサイクル)の時間分解能でトンネル電流及び発光を検出できる“位相制御THz-STM発光分光技術”を開拓する。そして、開発した分光技術を駆使し、極限的時空間で分子及び固体の自在な物性操作を実現する。具体的には、単一分子レベルでの化学反応や発光を例にとり、分子励起状態ダイナミクスの時空間操作を行う。固体においては、相変化ダイナミクスのナノ空間マッピングを行い、超高密度光メモリの原理実証を行う。

研究実績の概要

本研究では、位相制御テラヘルツ走査トンネル顕微鏡(THz-STM)とSTM発光分光技術を巧みに組み合わせ、世界初となる原子スケールの空間分解能とフェムト秒(サブサイクル)の時間分解能でトンネル電流及び発光を検出できる“位相制御THz-STM発光分光技術”を開拓する。開発した分光技術を駆使し、極限的時空間で分子及び固体の自在な物性操作を実現する。具体的には、単一分子レベルでの発光を例にとり、分子励起状態ダイナミクスの時空間操作を行う。固体においては、カルコゲナイド半導体の相変化ダイナミクスのナノ空間マッピングを行い、かつてない超高密度光メモリの原理実証を行う。
今年度は、まず、繰り返し周波数100 kHzのファイバーレーザーによりTHz波発生を行い、すでに稼働中の超高真空低温STMと組み合わせてTHz誘起トンネル電流を検出した。また、金探針と銀表面をトンネル接合部として局在プラズモンからの発光を検出した。この結果を通常のSTM誘起のプラズモン発光と比較して、新規のTHz-STM発光分光技術を評価した。
一方、フェムト秒光パルスとSTMを組み合わせ、相変化材料の光誘起アモルファス化を試みた。探針・試料間に閾値以上の強度の光パルスを導入することにより、相変化材料の結晶相上に~5 nm以下程度のアモルファス相を誘起することができた。これは、光パルス誘起STMによりナノスケールの相変化マッピングを実行したことになり、近接場を用いた位相制御ナノ加工技術への応用を例示したことになる。

現在までの達成度 (段落)

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(2件)
  • 2020 審査結果の所見   実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて 2020 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (1件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Nanoscale phase change on Ge2Sb2Te5 thin films induced by optical near fields with photoassisted scanning tunneling microscope2020

    • 著者名/発表者名
      Asakawa Kanta、Kim Dang-il、Yaguchi Shotaro、Tsujii Mikito、Yoshioka Katsumasa、Kaneshima Keisuke、Arashida Yusuke、Yoshida Shoji、Shigekawa Hidemi、Kuwahara Masashi、Katayama Ikufumi、Takeda Jun
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 21 ページ: 211102-211102

    • DOI

      10.1063/5.0032573

    • NAID

      120007188755

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Nanoscale phase transition of Ge2Sb2Te5 induced by locally enhanced laser fields at a tunnel junction2020

    • 著者名/発表者名
      D. Kim, K. Asakawa, S. Yaguchi, M.Tsujii, K. Kaneshima, K. Yoshioka, Y.Arashida, S. Yoshida, H. Shigekawa, M. Kuwahara, I. Katayama, and J. Takeda
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [備考] 武田片山金島研究室

    • URL

      http://www.ultrafast.ynu.ac.jp/

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [備考] 光ナノ計測・情報通信研究拠点

    • URL

      http://www.laser-nanoscience.ynu.ac.jp/ja/

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書

URL: 

公開日: 2020-04-28   更新日: 2021-12-27  

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