| 研究課題/領域番号 |
20H02207
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846)
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| 研究分担者 |
山口 祐也 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所フォトニックICT研究センター, 研究員 (30754791)
坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2022年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2021年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2020年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 低温接合 / 透明性接合界面 / 集積フォトニクス / 電気光学デバイス / LNOI光変調器 / 低駆動電圧LNOI/Si光変調器 / 大口径LNOI/Siウエハ / 半導体ウエハ接合 / 薄膜LNOI/Si光変調器 / LNOI/Si光変調器 / 透明接合界面 / 高機能接合界面 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
集積フォトニクス基盤技術として、透明性を有する高機能接合界面を創成するとともに、超高速光変調を可能とする酸化物電気光学結晶の異種材料集積化を実現する。本研究では、透明接合界面を利用した酸化物の低温ウエハ接合技術を開発し、Si上への酸化物光集積回路の基盤製造技術としての確立を目指す。さらに、他の酸化物材料に対しても本接合法の適用性検証を行い、汎用的なデバイス製造技術としての展開も視野に入れる。
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| 研究成果の概要 |
本研究では、集積フォトニクス基盤製造技術として透明性を有する高機能接合界面を利用した光学酸化物の低温ウエハ接合技術を開発し、Siウエハ上への酸化物電気光学結晶からなる光導波路型変調器の集積化に成功した。さらに、上記酸化物以外の他材料に対しても本低温接合技術の適用性を調査し、その有効性を示すことにも成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果により得られた透明性接合界面を利用した光学酸化物の低温ウエハ接合技術は、次世代の異種材料集積フォトニクス具現化のための基盤製造技術として期待される。また、形成された多様な異種材料間のナノ接合界面近傍における原子スケール解析を通じて得られた知見は、将来の接合メカニズム解明に向けて学術的な意義は大きい。
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