| 研究課題/領域番号 |
20H02852
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分36020:エネルギー関連化学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
野田 武司 国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究拠点, 上席研究員 (90251462)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
採択後辞退 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
2021年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2020年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
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| キーワード | 太陽電池 / 量子ドット / 量子構造 / 量子井戸 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
量子ドットを利用した中間バンドコンセプト基づく太陽電池では、光照射時ドットに蓄積する電子数が母材の擬フェルミ準位に影響されず独立していることが必要である。しかしながら、実際の太陽電池では量子ドットの埋め込みにより開放電圧が低下してしまうことから、上記のデバイスに対する要件が未達成、または不十分であることを示唆している。本研究では、量子構造層に中間電極（第三電極）を配置したデバイスを作製し、第３電極をプローブまたは制御電極として利用し、ドットの帯電状態やポテンシャルの計測、キャリアの挙動理解を通し、新たなデバイス知見の提供、そして量子ドットを利用する太陽電池の可能性を示す。
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| 研究実績の概要 |
量子ドット太陽電池のデバイス理解のため、三端子型太陽電池を考案し、光照射によるドットへのキャリア蓄積の理解やそのポテンシャル変化の直接計測に取り組んだ。三端子型太陽電池は埋め込み量子構造に直接電気的にコンタクトした電極（中間電極）を新たに設けたもので、通常のn、p層用の電極に加え、三電極構成の太陽電池である。量子構造にコンタクトした中間電極を用い、埋め込み量子構造のポテンシャル変化の計測等を行った。試料はAlGaAsを母材とするpin構造で、i-AlGaAs層内に量子構造を有するものである。基板にはn-GaAsを用いた。
初めに、量子ドットに代え量子井戸を用いた太陽電池を用い、デバイスプロセスの最適化、三端子太陽電池デバイスの基礎特性の評価を行った。中間電極は、上部ｐ層をエッチング後、露出したi層面上に金属を製膜し、アニールを行い作製した。なお電気的なコンタクトのため、Siがドーピングされた量子井戸を用いた。この量子井戸に電気的なコンタクトをとった中間電極とボトム電極間の電圧を光源の照射条件を変え測定した。電圧は光の照射によって0 Vと異なる値が計測された。例えばAlGaAsのバンドギャップより低エネルギーの光照射では、数十ミリボルトのマイナス極性の電圧が計測された。光の強度にも依存するが、この結果は、量子井戸層と下部電極の電位差が小さいことを示唆する。
さらに量子ドット試料についても同様の実験を進めた。中間電極とのコンタクトを確実にするために、量子ドット近傍に導電性量子井戸を配置したハイブリッド構造の試料を用いた。量子井戸試料と同様、計測される電圧は光源の波長によって極性や大きさが変化などデバイス理解に資する結果を得た。
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| 現在までの達成度 (段落) |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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