| 研究課題/領域番号 |
20J10380
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
李 宗恩 東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(DC2)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-24 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2021年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2020年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | SiGe / MOS interface / high-k / interface trap states / EOT |
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| 研究開始時の研究の概要 |
We are walking the forefront in the world which makes these famous institutions and companies focus on the most advanced technology for future AI and 5G applications. Through this research, we would like to develop a whole branch of techniques for high performance and high reliability SiGe MOSFETs.
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| 研究実績の概要 |
Ultrathin EOT TiN/Y 2 O 3 /SiGe gate stacks with EOT of 1.05 nm, the low D it of 1.1×10 11 eV -1 cm -2 , and comparable leakage current among other reported Si-cap-free SiGe MOS interfaces has been demonstrated. The improvement of the performance and reduction of S.S. have been found in the Si 0.8 Ge 0.2 /SOI pFinFETs with this gate stack.
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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