| 研究課題/領域番号 |
20J14755
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
KIM GOWOON 北海道大学, 情報科学研究科, 特別研究員(DC2)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-24 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2021年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2020年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| キーワード | Tungsten oxide / Thermal conductivity / Electrical conductivity / Oxygen deficiency / Atomic defect tunnel / Epitaxial film / thermopower / Thermal transistor / Transition metal oxide / 1D atomic defect tunnel / Pulsed laser deposition |
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| 研究開始時の研究の概要 |
The thermal transistor proposed in this research, which simultaneously electrically controls the heat flow and current, causes metal-insulator transition at room temperature by the current necessary for the electrochemical Redox reaction, and simultaneously controls the thermal resistance.
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| 研究実績の概要 |
In this research, I introduced oxygen concentration by electrochemical redox treatment and controlled the electrical, optical, structural properties.
The electrical conductivity was controlled from ~400 S cm－1 to an insulator, and the optical transmission at 1.5μm in wavelength was controlled in the range of 35 － 70%. This result would be useful for developing metal oxide epitaxial film-based electrochemical optoelectronic devices. [1, 2]
[1] G. Kim* et al., ACS. Appl. Electron. Mater. 3, 3619-3624 (2021)
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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