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第一原理計算に基づいたp型半導体材料の設計と探索

研究課題

研究課題/領域番号 20J23137
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
審査区分 小区分26020:無機材料および物性関連
研究機関東京工業大学

研究代表者

我毛 智哉  東京工業大学, 物質理工学院, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2020-04-24 – 2023-03-31
研究課題ステータス 完了 (2022年度)
配分額 *注記
2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
2022年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2021年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2020年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
キーワード第一原理計算 / ワイドギャップ半導体 / 点欠陥 / ドーピング
研究開始時の研究の概要

本研究では、酸化物半導体をp型化するための設計指針の構築を目的とする。それと同時に、革新的なp型酸化物半導体の探索を行う。そのために、高精度第一原理計算を用いて、構造多形なども含めた数百種類の酸化物半導体の候補を対象に、自己束縛正孔の安定性、アクセプターの選定などの体系的な調査を行う。得られた結果から、俯瞰的な解析に基づいて自己束縛正孔の安定性およびp型実現性に関する学理を構築する。

研究実績の概要

本研究では、高精度第一原理計算を用いて、酸化物半導体をp型化するための設計指針を構築すると同時に、革新的なp型酸化物半導体の探索を行うことを目的とした。数十種類の酸化物半導体の候補を対象とした体系的調査の結果、価電子帯が純粋な酸素のp軌道によって形成される系をp型化することは、極めて困難であることが示唆された。この知見に基づき、カチオンや酸素以外のアニオンの軌道が価電子帯の酸素の軌道と混成するような系等に焦点を当て、p型化可能性に関する検討を行った。その結果、以下の3つの結論が得られた。(i) 価電子帯上部が主に酸素のp軌道以外から形成される系では自己束縛正孔が不安定になりやすい。(ii) 軌道の混成は必ずしも酸素空孔の形成を抑制せず、他のドナー型欠陥によるキャリア補償も問題になる。(iii) 軌道の混成は浅いアクセプター準位の形成という点でも有効である。(ii) のドナー型欠陥によるキャリア補償を抑制する因子を特定するためには、比較的大きな格子間空隙にカドミウムが容易に入り込むLa2CdO2Se2 (Journal of Materials Chemistry C 2022) のような明瞭な場合を除いて、さらなる検討が必要であることを指摘した。
また、実験研究者の協力により、新規4元系オキシサルファイドとオキシセレナイドの発見に成功した。これらの物質の価電子帯上部は主にカルコゲンのp軌道によって形成され、自己束縛正孔はいずれの系でも不安定であった。酸素空孔はオキシセレナイドでは比較的形成され難いが、オキシサルファイドではキャリア補償の原因となった。オキシセレナイド中のいくつかのドーパントは、比較的形成エネルギーの低い浅いアクセプターになることがわかった。これらの結果から、新たに発見されたオキシセレナイドは、ワイドギャップp型半導体の有望な候補であることを提案した。

現在までの達成度 (段落)

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(3件)
  • 2022 実績報告書
  • 2021 実績報告書
  • 2020 実績報告書
  • 研究成果

    (6件)

すべて 2022 2021

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件) (うち国際学会 2件)

  • [雑誌論文] Defect formation and carrier compensation in layered oxychalcogenide La<sub>2</sub>CdO<sub>2</sub>Se<sub>2</sub>: an insight from first principles2022

    • 著者名/発表者名
      Gake Tomoya、Kumagai Yu、Takahashi Akira、Hiramatsu Hidenori、Oba Fumiyasu
    • 雑誌名

      Journal of Materials Chemistry C

      巻: 10 号: 44 ページ: 16828-16837

    • DOI

      10.1039/d2tc03836f

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Point defects in p-type transparent conductive CuMO2 (M = Al, Ga, In) from first principles2021

    • 著者名/発表者名
      Gake Tomoya、Kumagai Yu、Takahashi Akira、Oba Fumiyasu
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 5 号: 10 ページ: 104602-104602

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.5.104602

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] La2CdO2Se2中の固有点欠陥に関する理論的検討2022

    • 著者名/発表者名
      我毛 智哉, 熊谷 悠, 高橋 亮, 大場 史康
    • 学会等名
      日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 層状オキシカルコゲナイドLa2CdO2Se2中の点欠陥の第一原理計算2022

    • 著者名/発表者名
      我毛 智哉, 熊谷 悠, 大場 史康
    • 学会等名
      日本金属学会2022年春期講演大会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] Point Defects in CuMO2 (M = Al, Ga, In): A First-Principles Study2021

    • 著者名/発表者名
      T. Gake, Y. Kumagai, A. Takahashi, F. Oba
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2021
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles study of point defects in CuMO2 (M = Al, Ga, In)2021

    • 著者名/発表者名
      T. Gake, Y. Kumagai, A. Takahashi, F. Oba
    • 学会等名
      The 12th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-12)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会

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公開日: 2020-07-07   更新日: 2024-03-26  

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