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ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用

研究課題

研究課題/領域番号 20K04616
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関東京工業大学

研究代表者

川那子 高暢  東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (30726633)

研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2025-03-31
研究課題ステータス 交付 (2023年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2024年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2023年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2022年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2021年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2020年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
キーワード電界効果トランジスタ / 2次元材料 / CMOSデバイス / WSe2 / CMOSFET / 層状物質 / TMDC / ナノ電子デバイス / 層状材料 / 絶縁膜転写
研究開始時の研究の概要

High-kゲート絶縁膜を転写する手法を実験的に確立する。本研究によって、インテリジェントな機能を持つ任意の物質や様々な材料表面に、ゲート絶縁膜を形成することができる。これにより電界効果による能動的、可逆的で精緻な物性の操作と制御が可能になる。その結果、様々な異種材料界面特性の理解と制御が進み、新たな物性を巧みに操る機能性デバイスの応用が開拓できる。

研究実績の概要

2023年度は、前年度までに確立したWSe2を用いたn型及びp型トランジスタの高度化を検討した。前年度までの結果から、n型トランジスタの特性はp型トランジスタに比べて劣化しており、この原因はn型トランジスタのソース/ドレイン電極に用いたアルミニウム-スカンジウム合金(AlSc)の仕事関数が、WSe2の伝導帯下端よりも深いために障壁が存在し電流が制限されていると考えられる。そこでAlScよりも低い仕事関数の六ホウ化ランタン(LaB6)をn型トランジスタのソース/ドレイン電極に用いる事を検討した。また前年度までに作製したWSe2のn型及びp型トランジスタは高濃度Si基板上に熱酸化で形成したSiO2をゲート絶縁膜に用いるバックゲート構造であった。そこで本年度はWSe2上にゲート絶縁膜及びゲート電極から構成されるゲートスタックを形成するトップゲート構造トランジスタの作製と評価に取り組んだ。これまでに実験を行ってきた転写によるゲート絶縁膜形成の前段階として、通常の原子層堆積(ALD)によるAl2O3の形成を行った。その結果、Al2O3によるトップゲート構造を用いたp型トランジスタの動作は確認できた。一方、n型トランジスタ用のLaB6は“化学的に安定過ぎる”ために、デバイス作製に不可欠なエッチングが極めて困難でありソース/ドレイン電極に適用できない事が分かった。故に、今後はSc濃度の高いAlSc合金を用いる事で界面障壁の低減を目指していく。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

2023年度は、n型トランジスタのソース/ドレイン電極にAlScよりも低い仕事関数の六ホウ化ランタン(LaB6)を用いる事を検討した。また前年度までに適用していたバックゲート構造からWSe2上にゲート絶縁膜及びゲート電極から構成されるゲートスタックを形成するトップゲート構造トランジスタの作製と評価に展開した。n型トランジスタ用のLaB6はスパッタによって堆積が可能であり、仕事関数も3.5eVとWSe2の伝導帯下端に等しい値を得る事ができた。しかしLaB6は“化学的に安定過ぎる”ために、デバイス作製に不可欠なエッチングが極めて困難でありソース/ドレイン電極に適用できないという致命的な欠陥がある事が明らかになった。故に、今後はSc濃度の高いAlSc合金を用いる事を予定している。一方、原子層堆積(ALD)によるAl2O3を用いたトップゲート構造の作製を行った。その結果、Al2O3によるトップゲート構造を用いたp型トランジスタの動作を確認する事ができた。

今後の研究の推進方策

今後はSc濃度の高いAlSc合金を用いる事でWSe2 n型トランジスタの特性改善を検討していく。AlSc合金のSc濃度を高める事で仕事関数の低下が可能になると考えている。加えてトップゲート構造によるn型トランジスタの動作を目指す。また同一基板上へのWSe2 n型及びp型トランジスタの集積化へと展開していく予定である。前年度までは別々の基板上にWSe2 n型及びp型トランジスタを作製しており、デバイス動作の実証はできたが集積化には至っていなかった。上述したn型トランジスタの特性改善とトップゲート構造の作製を確立する事により、同一基板上へのWSe2 CMOSデバイスの集積化を実現し、CMOS回路動作の実証へと展開していく予定である。

報告書

(4件)
  • 2023 実施状況報告書
  • 2022 実施状況報告書
  • 2021 実施状況報告書
  • 2020 実施状況報告書
  • 研究成果

    (15件)

すべて 2024 2023 2022 2021 2020

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (12件) (うち国際学会 5件、 招待講演 4件)

  • [雑誌論文] Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact2023

    • 著者名/発表者名
      Kawanago Takamasa、Kajikawa Ryosuke、Mizutani Kazuto、Tsai Sung-Lin、Muneta Iriya、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 11 ページ: 15-21

    • DOI

      10.1109/jeds.2022.3224206

    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs2022

    • 著者名/発表者名
      Kawanago Takamasa、Matsuzaki Takahiro、Kajikawa Ryosuke、Muneta Iriya、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SC ページ: SC1004-SC1004

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac3a8e

    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors2020

    • 著者名/発表者名
      Kawanago Takamasa、Matsuzaki Takahiro、Oda Shunri
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 12 ページ: 120903-120903

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abc6be

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 低電圧動作2次元半導体CMOSインバータの研究2024

    • 著者名/発表者名
      川那子 高暢
    • 学会等名
      二次元材料に関する第7回koineミーティング (学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」第3回産学官協働ミーティング)
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] TMDCを用いたFETおよびLSIについて2024

    • 著者名/発表者名
      川那子 高暢, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整
    • 学会等名
      応用電子物性分科会2月研究例会
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Self-Aligned WSe2 p-Type Field-Effect Transistor2023

    • 著者名/発表者名
      Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      Electrochemical Society Meeting 243
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs2023

    • 著者名/発表者名
      Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2023
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET2023

    • 著者名/発表者名
      梶川 亮介、川那子 高暢、宗田 伊理也、星井 拓也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
  • [学会発表] Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs2022

    • 著者名/発表者名
      T. Kawanago
    • 学会等名
      242nd ECS Meeting, Atlanta, Georgia, USA, 12, Oct. 2022.
    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] WSe2 n/p FETs を用いた低電圧動作CMOS インバータ2022

    • 著者名/発表者名
      川那子高暢, 松﨑貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会, 名古屋大学VBL No. 235, 2022年6月21日.
    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用2022

    • 著者名/発表者名
      川那子高暢,梶川亮介,水谷一翔,Tsai SungLin, 宗田伊理也,星井拓也,角嶋邦之,筒井一生,若林整
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演, 22a-B202-03, 東北大学, 2022年9月22日.
    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
  • [学会発表] アルミニウムスカンジウム合金をS/D電極に用いたWSe2 nFETの作製2022

    • 著者名/発表者名
      梶川亮介, 川那子高暢, 角嶋邦之, 若林整
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
  • [学会発表] Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs2021

    • 著者名/発表者名
      T. Kawanago, T. Matsuzaki, R. Kajikawa, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
    • 学会等名
      SSDM 2021
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe2 CMOSインバータの実証2021

    • 著者名/発表者名
      川那子高暢,松﨑貴広,梶川亮介,宗田伊理也,星井拓也,角嶋邦之,筒井一生,若林整
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
  • [学会発表] Impact of Contact Doping on Electrical Characteristics in WSe2 FET2020

    • 著者名/発表者名
      T. Matsuzaki, T. Kawanago, S. Oda
    • 学会等名
      The Electrochemical Society PRiME 2020 (Online)
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会

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公開日: 2020-04-28   更新日: 2024-12-25  

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