研究課題/領域番号 |
20K05351
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 豊田工業大学 |
研究代表者 |
柳瀬 明久 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50231650)
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研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2020年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2022年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円)
2021年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2020年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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キーワード | 微小球 / パルスレーザー加熱 / 薄膜 / ゲルマニウム / シリコン |
研究開始時の研究の概要 |
光学デバイスへ応用可能な高い真球性、精密なサイズ制御、高いサイズ均一性の3条件を満たすGeとSiの微小球(直径3~7μm)の作製方法を検討する。一定体積のパッチ状Ge、Si薄膜をナノ秒レーザー(波長355 nm)照射によって加熱・溶融し、粒子化する。1個の薄膜を1個の球状粒子のみに変形する過程、球状粒子から真球性の高い微小球を得る過程からなる2段階プロセスが必要である。各過程を高精度に実現するために必須な条件を明らかにする。
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