| 研究課題/領域番号 |
20K12003
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分61040:ソフトコンピューティング関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2022年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2021年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2020年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | MRAM / 磁性メモリ / 書き込みエラー率 / WER / 磁気メモリ / 電圧駆動MRAM / 書き込みエラー / 保持エラー / 電圧書き込み / 確率密度関数 / 不揮発メモリ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
シリコンデバイスの微細化技術が限界に近づくにつれて素子ばらつきに起因したエラー発生
の増加や歩留まりの低下が懸念されている。またメモリデバイスでは一般に低消費電力での
動作では信頼性を高くできないことが問題である。本研究では、信頼性の低い動作条件でメ
モリデバイスを積極運用することで低消費電力化を実現する学習デバイスを提案する。
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| 研究成果の概要 |
エラー率の高いメモリを積極的に利用することを目標に、電圧駆動型の磁気メモリ(VC-MRAM)を対象に、書き込みエラーと保持エラーに注目した研究を行った。まず製造時の物性ばらつきを想定した場合の書き込みエラー率分布について理論研究を行い、書き込みエラー率の確率密度関数を導出した。また保持エラーと書き込みエラーの関係について解析的・数値的に調べ、特徴的な時間について議論した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
エラー率の高いメモリを利用したメモリシステムの実現に向けて、メモリシステムの設計、運用に必要となる基礎的な情報を提供できる理論的枠組みを構築した。
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