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Beyond-CMOSを用いた超低消費電力・高速集積回路・アーキテクチャ技術

研究課題

研究課題/領域番号 20K21791
研究種目

挑戦的研究(萌芽)

配分区分基金
審査区分 中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野
研究機関東京工業大学

研究代表者

菅原 聡  東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (40282842)

研究期間 (年度) 2020-07-30 – 2024-03-31
研究課題ステータス 完了 (2023年度)
配分額 *注記
6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2022年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2021年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2020年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワード集積回路 / Beyond-CMOS / ultralow voltage / 超低電圧トランジスタ / 超低消費電力高速ロジック・メモリ / 超低消費電力高速ロジック / 超低消費電力高速メモリ / 低電圧ロジック / 低電圧メモリ
研究開始時の研究の概要

本研究では新型PETによって,0.2V程度の超低電圧駆動で劇的な低消費電力化と,現状CMOS技術と同等以上の高速性能を有するロジックシステムの基盤技術を創出する.具体的には,電力遅延積が現状より2桁小さいロジックシステムの実現を目指す.
ここで提案する技術群はCMOS構成のロジックシステム技術を踏襲し,現行のアーキテクチャを継承して,究極の省エネ化を可能とする新たなロジックシステムを構築することができる.本技術はPET以外の同等のBeyond-CMOSにも応用が可能である.

研究成果の概要

CMOSロジックシステムにおいて0.2V程度の超低電圧駆動は大幅な消費電力の削減を期待できるが,従来のCMOS技術では,トランジスタの電流駆動能力の低下にともなう性能劣化が激しく実現は難しい.本研究課題では超低電圧で高い電流駆動能力を有するBeyond-CMOSの一つであるpiezoelectronic transistor (PET)をモデルケースとして,超低電圧におけるGHz級動作が可能な超低消費電力・高速ロジックシステムの回路・アーキテクチャ技術の開発を行った.本研究で開発した技術はPETと同様の高い電流駆動能力を有するBeyond-CMOSであれば,共通に応用できる基盤技術となる.

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究課題では,Beyond-CMOSの一つであるpiezoelectronic transistor (PET)をモデルケースとして,超低電圧駆動GHz級動作が可能な超低消費電力・高速ロジックシステムの基盤技術の開発を行った.本研究で開発した技術のようにPETと同様の高い電流駆動能力を有するBeyond-CMOSであれば,超低電圧であってもCMOSとほぼコンパチブルな回路技術・アーキテクチャを共通に応用できる可能性がある.

報告書

(5件)
  • 2023 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2022 実施状況報告書
  • 2021 実施状況報告書
  • 2020 実施状況報告書
  • 研究成果

    (8件)

すべて 2024 2022 2021 2020

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (6件)

  • [雑誌論文] CMOS プラットフォームを用いた新技術の創成:超低消費電力 CMOS ロジックシステム,BeyondCMOS デバイス,体温を用いた熱電発電モジュール2022

    • 著者名/発表者名
      菅原聡
    • 雑誌名

      日本熱電学会誌

      巻: 18 ページ: 159-162

    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa and S. Sugahara
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices

      巻: 67 号: 9 ページ: 3852-3860

    • DOI

      10.1109/ted.2020.3008891

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] ピエゾエレクトロニックトランジスタで構成した超低電圧SRAMのばらつき耐性2024

    • 著者名/発表者名
      塩津勇作,菅原聡
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] 新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)セルの提案2022

    • 著者名/発表者名
      伊藤克俊,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書
  • [学会発表] 超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ2021

    • 著者名/発表者名
      矢野広気,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
  • [学会発表] バルクデバイスを用いた超低電圧リテンションFlip-Flopの設計と解析2021

    • 著者名/発表者名
      松﨑翼,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
  • [学会発表] ボディバイアス制御ULVR-SRAMの設計と解析2021

    • 著者名/発表者名
      斎藤修平,塩津勇作,原拓実,山本修一郎,菅原聡
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書
  • [学会発表] ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能2021

    • 著者名/発表者名
      塩津勇作,吉田隼,山本修一郎,菅原聡
    • 学会等名
      LSIとシステムのワークショップ2021
    • 関連する報告書
      2021 実施状況報告書

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公開日: 2020-08-03   更新日: 2025-01-30  

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