| 研究課題/領域番号 |
21224009
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 (2010-2013)
東北大学 (2009) |
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研究代表者 |
岩佐 義宏 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20184864)
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| 研究分担者 |
野島 勉 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80222199)
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| 連携研究者 |
竹延 大志 早稲田大学, 先端理工学研究科, 教授 (70343035)
下谷 秀和 東北大学, 理学研究科, 准教授 (60418613)
笠原 裕一 東京大学, 工学系研究科, 助教 (10511941)
上野 和紀 東京大学, 総合文化研究科, 准教授 (10396509)
竹谷 純一 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 (20371289)
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| 研究期間 (年度) |
2009-05-11 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
219,050千円 (直接経費: 168,500千円、間接経費: 50,550千円)
2013年度: 27,040千円 (直接経費: 20,800千円、間接経費: 6,240千円)
2012年度: 29,120千円 (直接経費: 22,400千円、間接経費: 6,720千円)
2011年度: 41,600千円 (直接経費: 32,000千円、間接経費: 9,600千円)
2010年度: 96,720千円 (直接経費: 74,400千円、間接経費: 22,320千円)
2009年度: 24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円)
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| キーワード | 低温物性 / 超伝導材料・素子 / 表面・界面物性 / 電界効果トランジスタ / 自己組織化 / 電気二重層 / キャパシタ / 金属薄膜 / 半導体 / 層状物質 / イオン液体 / 超伝導 |
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| 研究概要 |
電気化学的界面に発生する強電界を用いたトランジスタ（電気二重層トランジスタ）について、従来のバルクおよび薄膜材料を用いた方法に加え電子ビーム装置によるナノデバイス作製技術を完成させることによって、半導体、絶縁体、金属、トポロジカル絶縁体、モット絶縁体といった多様な物質に展開した。その結果、超伝導、強磁性、モット転移といったさまざまな電子相の電界制御に成功した。それら電界によって誘起された電子相の多くは化学ドーピングでは実現できないものである。さらには、強電界によるスピン制御や固液界面の柔軟性を生かしたデバイスの実現など、広範な物質科学研究へと展開できることが明らかとなった。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A+
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