近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

• 研究課題/領域番号: 21226001
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 川上 養一 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30214604)
• 研究分担者: 船戸 充 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70240827) ; 岡本 晃一 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 特命准教授 (50467453)
• 連携研究者: 岡本 晃一 九州大学, 先導物質化学研究所, 准教授 (50467453)
• 研究期間 (年度): 2009-05-11 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 161,070千円 (直接経費: 123,900千円、間接経費: 37,170千円); 2013年度: 22,880千円 (直接経費: 17,600千円、間接経費: 5,280千円); 2012年度: 31,200千円 (直接経費: 24,000千円、間接経費: 7,200千円); 2011年度: 31,200千円 (直接経費: 24,000千円、間接経費: 7,200千円); 2010年度: 33,280千円 (直接経費: 25,600千円、間接経費: 7,680千円); 2009年度: 42,510千円 (直接経費: 32,700千円、間接経費: 9,810千円)
• キーワード: 近接場光学 / マルチプローブ分光 / 半導体ナノ構造 / 発光機構解明 / 新規顕微分光応用 / マルチプローブ技術 / 光物性 / 半導体 / ナノ構造 / プラズモニクス / 光計測 / 走査プローブ顕微鏡

研究概要

本研究プロジェクトによって、近接場マルチプローブ分光技術、すなわち、光ファイバー先端に設けた微小開口から試料の微少領域を光励起し、数100 nm程度離れた場所からの光信号を別の微小開口プローブを用いて分光する技術の開発に成功した。これによって、半導体ナノ構造など光材料におけるキャリア・エキシトン・プラズモンなどの素励起の時間的・空間的な再結合ダイナミクスを可視化でき、光物性評価のための新しいツールが開発された。

評価記号

検証結果 (区分)

A-

研究成果

• [雑誌論文] Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 87 号: 16
  • DOI: 10.1103/physrevb.87.161204
  • NAID: 120005244911
  • 査読あり
• [雑誌論文] Remarkably suppressed luminescence inhomogeneity in a (0001) InGaN green laser structure (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, Y. S. Kim, T. Hira, A. Kaneta, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 11 ページ: 111002-111002
  • DOI: 10.7567/apex.6.111002
  • NAID: 210000136844
  • 査読あり
• [雑誌論文] Two-photon absorption induced anti-stokes emission in single InGaN/GaN quantum-dot-like objects (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Physica Status Solidi-Rapid Research Letters 巻: 7 号: 5 ページ: 344-347
  • DOI: 10.1002/pssr.201307067
  • 査読あり
• [雑誌論文] Grain size dependence of surface plasmon enhanced photoluminescence (2013)
  • 著者名/発表者名: X. Xu, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto and K. Tamada
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 21 ページ: 3145-3151
  • NAID: 120005540812
  • URL: http://www.opticsinfobase.org/oe/search2.cfm?reissue=J&journalList=4&fullrecord=Grain+size+dependence+of+surface+plasmon+enhanced+photoluminescence&basicsearch=Go
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heteroepitaxy between wurtzite and corundum materials (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 113 号: 18
  • DOI: 10.1063/1.4804328
  • NAID: 120005439697
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crack-free thick AlN films obtained by NH3 nitridation of sapphire substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 8S ページ: 08JB21-08JB21
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jb21
  • NAID: 210000142615
  • 査読あり
• [雑誌論文] Complete set of deformation potentials for AlN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 87 号: 23
  • DOI: 10.1103/physrevb.87.235201
  • NAID: 120005296104
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001) (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 6 ページ: 62604-62604
  • DOI: 10.7567/apex.6.062604
  • NAID: 10031181971
  • 査読あり
• [雑誌論文] In plane manipulation of a dielectric nanobeam with gradient optical forces (2013)
  • 著者名/発表者名: P. A. Favuzzi, R. Bardoux, T. Asano, Y. Kawakami and S. Noda
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 21 号: 24 ページ: 29129-29139
  • DOI: 10.1364/oe.21.029129
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical gain spectra of a (0001) InGaN green laser diode (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, Y. S. Kim, Y. Ochi, A. Kaneta, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 12 ページ: 122704-122704
  • DOI: 10.7567/apex.6.122704
  • NAID: 210000136903
  • 査読あり
• [雑誌論文] Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Optical Materials Express 巻: 3 ページ: 47-53
  • NAID: 120005540813
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strong optical polarization in nonpolar (1-100) Al_xGa_<1-x>N/AlN quantum wells (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 87 号: 4
  • DOI: 10.1103/physrevb.87.041306
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Fujimoto, A. Kaneta, K. Okamoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 258 号: 19 ページ: 7372-7376
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.04.034
  • 査読あり
• [雑誌論文] Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, R. Fujimoto, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Review of scientific instruments 巻: 83 号: 8 ページ: 1-11
  • DOI: 10.1063/1.4737883
  • NAID: 120005439698
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nanoscopic photoluminescence properties of a green-emitting InGaN single quantum well on a {20-21} GaN substrate probed by scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 10 ページ: 1-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.102104
  • NAID: 10031117546
  • 査読あり
• [雑誌論文] Semipolar {n-n01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n=1-3) fabricated by a regrowth technique (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, T. Kotani, T. Kondou and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 100 号: 16
  • DOI: 10.1063/1.4704779
  • NAID: 120007145038
  • 査読あり
• [雑誌論文] Homoepitaxy and photoluminescence properties of (0001) AIN (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii, Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 8 ページ: 082001-082001
  • DOI: 10.1143/apex.5.082001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Anisotropic lattice relaxation in non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 112 号: 3
  • DOI: 10.1063/1.4739723
  • NAID: 120005439699
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 112 ページ: 71-74
• [雑誌論文] Unambiguous relationship between photoluminescence energy and its pressure evolution in InGaN/GaN quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Suski, G. Staszczak, S. P. Lepkowski, P. Perlin , R. Czernecki, I. Grzegory, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi {B} 巻: 249 ページ: 476-479
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Danhof, H. M. Solowan, U. T. Schwarz, A. Kaneta, Y. Kawakami, D. Schiavon, T. Meyer and M. Peter
  • 雑誌名: Physica Status Solidi {B} 巻: 249 ページ: 480-484
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of photo-induced microstructure embedded inside ZnO crystal (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ishikawa, Y. Shimotsuma, A. Kaneta, M. Sakakura, M. Nishi, K. Miura, K. Hirao and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE 巻: 8243 ページ: 82430N-82430N
  • DOI: 10.1117/12.908190
  • 査読あり
• [雑誌論文] Time-of-flight measurements of charge carrier diffusion in In_xGa_<1-x>N/GaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Danhof, U. T. Schwarz, A. Kaneta and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 84 号: 3 ページ: 1-5
  • DOI: 10.1103/physrevb.84.035324
  • 査読あり
• [雑誌論文] Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kanai, A. Kaneta, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Review of Scientific Instruments 巻: 82 号: 5
  • DOI: 10.1063/1.3589855
  • NAID: 120004873774
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Danhof, H.M.Solowan, U.T.Schwarz, A.Kaneta, Y.Kawakami, D.Schiavon, T.Meyer, M.Peter
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: 249 号: 3 ページ: 480-484
  • DOI: 10.1002/pssb.201100476
  • 査読あり
• [雑誌論文] Real-time near-field evidence of optical blinking in the photoluminescence of InGaN by scanning near-field ontical microscope (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Oikawa, C.Feldmeier, U.T.Schwarz, Y.Kawakami, R Micheletto
  • 雑誌名: Optical Materials Express 巻: 1 ページ: 158-163
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures : toward a tuneahle random laser (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, K.Okamoto, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 19 ページ: 9262-9268
  • 査読あり
• [雑誌論文] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells : Pressure studies of photoluminescence (2011)
  • 著者名/発表者名: G.Staszczak, T.Suski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi A 巻: 208 号: 7 ページ: 1526-1528
  • DOI: 10.1002/pssa.201000975
  • 査読あり
• [雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : definite breakdown of the quasicubic approximation (2010)
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 81 号: 15
  • DOI: 10.1103/physrevb.81.155202
  • NAID: 120002511392
  • 査読あり
• [雑誌論文] 100 mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Oto, R. G. Banal, K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Nature Photonics 巻: 4 号: 11 ページ: 767-771
  • DOI: 10.1038/nphoton.2010.220
  • 査読あり
• [雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, T, Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 3 号: 10 ページ: 102102-102102
  • DOI: 10.1143/apex.3.102102
  • NAID: 10027441078
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kaneta, L. Su, Y. Zhu, K. Okamoto, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107 号: 2
  • DOI: 10.1063/1.3280032
  • 査読あり
• [雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : definite breakdown of the quasicubic approximation (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 81
  • NAID: 120002511392
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well (2010)
  • 著者名/発表者名: V.Ramesh, A.Kikuchi, K.Kishino, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • NAID: 120003386595
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, D.Inoue, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • 査読あり
• [雑誌論文] 100mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Oto, R.G.Banal, K.Kataoka, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Nature Photonics 巻: 4 ページ: 767-771
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced effects on the electronic band structures in GaN/AlGaN quantum wells : Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (C) 巻: 7 ページ: 2111-2114
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (C) 巻: 7 ページ: 1909-1912
  • 査読あり
• [雑誌論文] Experimental and theoretical considerations of polarization field direction in semipolar InGaN/GaN quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, M.Ueda, D.Inoue, Y.Kawakamai, Y.Narukawa, T.Mukai
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 3
  • NAID: 10026495062
  • 査読あり
• [雑誌論文] Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kojima, AA.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • NAID: 40017253764
  • 査読あり
• [雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, T, Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 3
  • NAID: 10027441078
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Kaneta, L.Su, Y.Zhu, K.Okamoto, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar{20-21}GaN Substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, A.Kaneta, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 3
  • NAID: 10027013275
  • 査読あり
• [雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk (2009)
  • 著者名/発表者名: R. Bardoux, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 79 号: 15
  • DOI: 10.1103/physrevb.79.155307
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Efficiency InGaN/GaN Light Emitters Based on Nanophotonics and Plasmonics (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto and Y. Kawakami
  • 雑誌名: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 巻: 15 号: 4 ページ: 1199-1209
  • DOI: 10.1109/jstqe.2009.2021530
  • NAID: 120002086026
  • 査読あり
• [雑誌論文] Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials (2009)
  • 著者名/発表者名: R. Micheletto, M, Allegrini and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 95 号: 21
  • DOI: 10.1063/1.3265732
  • NAID: 120002086118
  • 査読あり
• [雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single In_xGa_(1-x)N/GaN quantum disk (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 雑誌名: Physical Review B 79
  • 査読あり
• [雑誌論文] Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: C.Feldmeier, M.Abiko, U.T.Schwarz, Y.Kawakami, R.Micheletto
  • 雑誌名: Optics Express 17 ページ: 22855-22860
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Efficiency InGaN/GaN Light Emitters Based on Nanophotonics and Plasmonics (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Okamoto, Y.Kawakami
  • 雑誌名: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 15 ページ: 1199-1209
  • NAID: 120002086026
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 2834-2836
  • NAID: 120002317421
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016704620
  • 査読あり
• [雑誌論文] Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Micheletto, M, Allegrini, Y.Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 95
  • NAID: 120002086118
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2009)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 雑誌名: 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性(シーエムシー出版) ページ: 104-118
• [学会発表] Visualization of recombination dynamics in nitride-based semiconductors (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, M. Funato and A. Kaneta
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
  • 年月日: 2013-08-27
  • 招待講演
• [学会発表] Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: CLEO : 2013
  • 発表場所: San Jose, USA
  • 年月日: 2013-06-13
  • 招待講演
• [学会発表] High quality AlGaN-based quantum wells for deep-ultraviolet emitters (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Funato
  • 学会等名: 16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2012-05-22
  • 招待講演
• [学会発表] SNOM characterization on inhomogenity and defects in III-N alloy semiconductors (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 年月日: 2012-05-10
  • 招待講演
• [学会発表] Recombination dynamics in InGaN-based nanostructures by scanning near-field optical microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: DYCE-ASIA Workshop
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2012-04-23
  • 招待講演
• [学会発表] 半極性(11-22)GaN基板上に成長したInGaN/GaN多重量子井戸の臨界膜厚 (2012)
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] 近接場分光による局在・幅射・非幅射再結合ダイナミクスの評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 船戸充, 金田昭男
  • 学会等名: 第59回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors by Scanning Near-field Optical Microscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Funato
  • 学会等名: 5th GCOE Intern.Symp.on Photonics and Electronics Science and Engineering
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2012-03-08
• [学会発表] 窒化物半導体による発光デバイスの最近の展開 (2011)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 平成23年度応用物理学会関西支部シンポジウム「最先端の光研究とその将来」～次世代の光源・材料・デバイス開発の最新動向～
  • 発表場所: 島津製作所関西支社マルチホール(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-18
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: The Intern. Symp. on Advanced Nanomaterials and Nanosystems Joint with 4th Intern. Photonics and OptoElectronics Meetings
  • 発表場所: Wuhan, China
  • 年月日: 2011-11-02
  • 招待講演
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami
  • 学会等名: The Intern.Symp.on Advanced Nanomaterials and Nanosystems Joint with 4th Intern.Photonics and OptoElectronics Meetings
  • 発表場所: Wuhan, China(Invited)
  • 年月日: 2011-11-02
• [学会発表] 近接場光学顕微鏡による半導体結晶の再結合ダイナミクス～窒化物半導体混晶の不均一性と発光・非発光機構～ (2011)
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会弟16回結晶工学セミナー
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-14
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe SNOM (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami
  • 学会等名: 4th JST-DFG German-Japanese Nanophotonics Joint Research Proiect Meeting
  • 発表場所: Kyoto, Japan(Invited)
  • 年月日: 2011-09-26
• [学会発表] 近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 橋谷亨, 船戸充, 川上養
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2011 SPIE Optics+Photonics
  • 発表場所: California, USA
  • 年月日: 2011-08-25
  • 招待講演
• [学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 2011 Optics+Photonics
  • 発表場所: California, USA(Invited)
  • 年月日: 2011-08-25
• [学会発表] Efficient green emission from InGaN quantum wells coherently grown on semipolar (11-22) GaN subatrates (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaka, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] Universal behavior of photolumineseence in polar and semipolar InGaN quantum wells revealed by hydrostatic nressure studies (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Suski, G.Staszczak, R.Czernecki, G.Targowski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK(Invited)
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] Impact of internal quantum efficiency on the droop phenomena studied by scanning near-field optical microscopy in InGaN single quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, A.Hashiya, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] InGaN/GaN quantum disks and random lasing : toward a quantum dot laser system based on disordered media (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 学会等名: E-MRS
  • 発表場所: Nice, France
  • 年月日: 2011-05-11
• [学会発表] (11-22)GaN基板上への高品質InGaN量子井戸構造の成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(Invited 講演奨励賞受賞記念講演)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Extremely high internal quantum efficiency from AlGaN/AlN quantum wells (2011)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 時間分解発光測定による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるMott密度の井戸幅依存性の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual-probe scanning near-field optical microscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato
  • 学会等名: 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Device
  • 発表場所: Granada, Spain(Invited)
  • 年月日: 2011-03-18
• [学会発表] 窒化物半導体発光素子の高効率化が拓くグリーンイノベーション (2011)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: 電気通信大学(Invited)
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価～SNOMによるEfficiency droop機構の解明～ (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
  • 発表場所: 大阪大学中ノ島センター
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光 (2010)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
  • 発表場所: 大阪大学中ノ島センター
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Inhomogeneous broadening in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 28th samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress
  • 発表場所: Antipolo City, Rizal, Philippines
  • 年月日: 2010-10-26
• [学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: Intern. workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] Influence of Inhomogeneous Broadening for Gain Polarization Switching in Green Semipolar InGaN Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kojima, A.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
  • 学会等名: Intern.workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN multiple quantum wells under selective excitation (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: Intern.workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells with respect to pressure dependence of luminescence energy (2010)
  • 著者名/発表者名: G.Staszczak, T.Suski, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: Intern.workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Frorida, USA
  • 年月日: 2010-09-21
  • 招待講演
• [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: Intern.workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA(Invited)
  • 年月日: 2010-09-21
• [学会発表] 表面プラズモンナノ構造の制御による広波長域での発光増強 (2010)
  • 著者名/発表者名: 岡本晃一, R.Bardoux, 川上養一
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] デュアルプローブSNOMを用いた銀細線におけるプラズモン異方性伝搬の観測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤本亮, 橋本恒明, 金田昭男, 岡本晃一, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光 (2010)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, Ryan Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(講演奨励賞受賞)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(Invited 講演奨励賞受賞記念講演)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] InGaN量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの空間時間分解PL評価 -近接場光学顕微鏡によるEfficiency droop機構の解明- (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Breakdown of the quasicubic approximation in wurtzite crystals (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, A.Kaneta, M.funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 29th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Izu, Japan
  • 年月日: 2010-07-15
• [学会発表] Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN on the optical polarization properties of nonpolar and semipolar GaN/AlGaN quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: The 37th Intern.Symp.on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Takamatsu, Kagawa, Japan(Invited ISCS Student Award受賞)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Applications of plasmonics toward high-efficiency LEDs and solar cells (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto and Y. Kawakami
  • 学会等名: The Intern. Symp. on Advanced Nanomaterials and Nanosystems 2010
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-05-21
  • 招待講演
• [学会発表] Applications of plasmonics toward high-efficiency LEDs and solar cells (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Okamoto, Y.Kawakami
  • 学会等名: The Intern.Symp.on Advanced Nanomaterials and Nanosystems 2010
  • 発表場所: Kyoto, Japan(Invited)
  • 年月日: 2010-05-21
• [学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Hashiya, A. Kaneta and M. Funato
  • 学会等名: The 8th Intern. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2010-05-17
  • 招待講演
• [学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Hashiya, A.Kaneta, M.Funato
  • 学会等名: The 8th Intern.Symp.on Semiconductor Light Emitting Devices
  • 発表場所: Beijing, China(Invited)
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] 強励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の深紫外発光メカニズム (2010)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」
  • 発表場所: 三重大学
  • 年月日: 2010-05-14
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のMott転移付近のキャリアダイナミクス (2010)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成22年度第1回研究会
  • 発表場所: 大阪大学
  • 年月日: 2010-05-08
• [学会発表] デュアルプローブを用いた近接場光学顕微鏡の開発 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] デュアルプローブ近接場光学顕微鏡を用いたInGaN/GaN SQWのキャリアダイナミクスの可視化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Photoluminescence Properties of Al-rich Al1-xGaxN/AlN Single Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, T.Oto, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: JSAP the 57th Spring Meeting
  • 発表場所: Kanagawa, Japan
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス (2010)
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 表面プラズモンを用いた高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造の内部量子効率の向上 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高田暁彦, 大音隆男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Approach to the Efficient Light Emitters in Deep-UV with Al-rich AlGaN/AlN Quantum wells (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, M.Funato
  • 学会等名: 3rd GCOE International Symposium.
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-03-12
• [学会発表] Characterisation and maniqulation of the optical properties of single InGaN/GaN quantum disks (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 学会等名: 3rd GCOE International Symposium
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-03-12
• [学会発表] Photoluminescence properties of Al-rich AlGaN/AlN SQWs (2010)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 3rd GCOE International Symposium
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-03-12
• [学会発表] Weak carrier/exciton localization in InGaN SQW for higher emission efficiency grown on{20-21}GaN substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.S.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
  • 学会等名: 3rd GCOE International Symposium
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-03-12
• [学会発表] Growth and optical polarization properties of high-quality AlN and AlGaN/AlN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
  • 発表場所: Tagaytay, Philippine
  • 年月日: 2009-12-29
• [学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas(plenary)
  • 発表場所: Tagaytay, Philippine
  • 年月日: 2009-12-28
• [学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, M. Ueda, A. Kaneta and M. Funato
  • 学会等名: The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
  • 年月日: 2009-12-16
  • 招待講演
• [学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato
  • 学会等名: The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting(Invited)
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
  • 年月日: 2009-12-16
• [学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 (2009)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会LQE研究会
  • 発表場所: 徳島大学(徳島県)
  • 年月日: 2009-11-19
• [学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング (2009)
  • 著者名/発表者名: 橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会LQE研究会
  • 発表場所: 徳島大学(徳島県)
  • 年月日: 2009-11-19
• [学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition(Invited)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2009-11-03
• [学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-23
  • 招待講演
• [学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors(Invited)
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-23
• [学会発表] Uniaxial stress effects of excitons on nonpolar and semipolar GaN substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-22
• [学会発表] Modifield MEE of high-quality Al-rich Al_xGa_(1-x)N/AlN(0001)quantum wells and its optical polarization anisotropy (2009)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-21
• [学会発表] Valence band effective mass of non-c-plane InGaN/GaN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-19
• [学会発表] Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-19
• [学会発表] Temperature-dependent picosecond time-resolved cathodoluminescence of(In,Ga)N/GaN single quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: L.Balet, P.Corfdir, S.Sonderegger, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, J.D.Gani'ere, B.D.Pl'edran
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-19
• [学会発表] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_(0.79)Ga_(0.21)N/AlN multiple quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: 8th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2009-10-19
• [学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸LEDにおける量子閉じ込めシュタルク効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 上田雅也, 井上大輔, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の高空間分解近接場発光マッピング測定 (2009)
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 一軸性応力印加下における無極性面および半極性面GaN基板の反射測定 (2009)
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 強励起条件下におけるAl0.79Ga0.21N/AlN量子井戸の深紫外発光機構 (2009)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング (2009)
  • 著者名/発表者名: 橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して- (2009)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 船戸充
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 金属ナノ構造およびナノ微粒子を用いたプラズモニック発光増強 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡本晃一, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸のナノ加工による歪制御効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: ラメシュバディヴェル, 菊池昭彦, 岸野克巳, 川上養一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] Enhancements of emission rates and efficiencies by surface plasmon coupling (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Okamoto, Y.Kawakami
  • 学会等名: The 36th Intern.Symp.on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
  • 年月日: 2009-09-02
• [学会発表] Recombination dynamics in semi-polar {11-22} InGaN/GaN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: 6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Galindia Mazurski Eden, Poland
  • 年月日: 2009-08-25
  • 招待講演
• [学会発表] Recombination dynamics in semi-polar{11-22}InGaN/GaN quantum wells (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami
  • 学会等名: 6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(Invited)
  • 発表場所: Galindia Mazurski Eden, Poland
  • 年月日: 2009-08-25
• [学会発表] Ni微粒子を用いたInGaN/GaNコア・シェルナノワイヤの有機金属気相成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 畑田芳隆, 川上養一
  • 学会等名: 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京農工大学(東京都)
  • 年月日: 2009-06-16
• [学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda and M. Funato
  • 学会等名: E-MRS Spring meeting 2009
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-11
  • 招待講演
• [学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semicon ductors (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
  • 学会等名: E-MRS Spring meeting 2009(Invited)
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-11
• [学会発表] Positive biexciton binding energy in a localization center of a single InGaN/GaN quantum disk : internal electric field drastically reduced (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
  • 学会等名: E-MRS Spring meeting 2009
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-08
• [学会発表] Intense Surface Emission from Al-rich(0001)AlGaN/AlN Quantum Wells (2009)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: E-MRS Spring meeting 2009
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 年月日: 2009-06-08
• [学会発表] 放射光マイクロX線回析を用いたマイクロファセット上InGaN/GaN量子井戸構造の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 榊篤史, 川村朋晃, 大野裕孝, 上田雅也, 船戸充, 川上養一, 木村滋, 坂田修身
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-04-02
• [学会発表] 高Al組合AlGaN/AlN量子井戸構造における高効率発光 (2009)
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] ntense Surface Emission at 222nm from(0001)Al0.82Ga0.18N/AlN Quantum Wells (2009)
  • 著者名/発表者名: R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
  • 学会等名: JSAP the 56th Spring Meeting
  • 発表場所: Ibaragi, Japan
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] Impact of crystal orientation on InGaN-based efficient visible light emitters
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Conf. on LED and its industrial application '13 (LEDIA'13)
  • 発表場所: Yokohama, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Synthesis of aluminum nitride powders emitting in near ultraviolet spectral range
  • 著者名/発表者名: P. T. Wu, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: New Taipei City, Taiwan
• [学会発表] Optimal growth pressure for high quality semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
  • 学会等名: 40th Intern. Symp. on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] Well width dependence of exciton dynamics in semipolar (11-22) InGaN/GaN single quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 40th Intern. Symp. on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kobe, Japan
• [学会発表] Determination of deformation potentials in GaN and AlN for the design of strained AlGaN-based quantum structures
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: E-MRS
  • 発表場所: Strasbourg, France
  • 招待講演
• [学会発表] Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: CLEO:2013
  • 発表場所: San Jose, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, T. Hira, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, and S. Nagahama
  • 学会等名: 10th Conf. on Lasers and Electo-Optics Pasific Rim, and 18th OptoElectonics and Communications Conf/Photonics in Switching 2013
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Impact of substrate orientation on GaN homoepitaxial layers:
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Mechanism of pit generation and elimination of semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Verification of internal field presence in InGaN/GaN semipolar quantum wells
  • 著者名/発表者名: G. Staszczak, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Does temperature-induced ``S-shaped'' photoluminescence peak shift directly indicate potential tail?
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Deep UV photoluminescence mappings of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells by confocal microscopy
  • 著者名/発表者名: Y. Iwata, A. Kaneta, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Largest electron-hole exchange interaction among typical III-V and II-VI compound semiconductors observed in AlN
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Origin of exciton localization in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Large shifts of free excitonic transition energies and phonon frequency of AlN coherently-grown on 6H-SiC (0001) due to strong in-plane compressive strain
  • 著者名/発表者名: M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
  • 学会等名: 10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductor
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Optical properties of Al-rich AIGaN quantum wells and their application to electron-beam pumped Deep-UV emitters
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: UV-DUV Plasmonics and Nanophotonics Workshop
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] III-nitride semiconductors: current status and future prospect
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: 1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Multi-wavelength light emission from threedimensional AlGaN quantum wells fabricated on facet structures
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Yamaguchi, K. Fukushima, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2014 Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
• [学会発表] Excitonic fine structure of AlN studied by polarization-resolved photoluminescence spectroscopy
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] Exciton localization characteristics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC subtrates
  • 著者名/発表者名: Y. Ishiyama, M. Takaki, Y. Hagihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto and S. Tanaka
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] Remarkable surface morphology improvement of semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films by nucleation control growth
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato S. Nagata and Y. Kawakami
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] Growth characteristics of semipolar {11-22} GaN homoepitaxial layers
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] Impact of recombination lifetimes on exciton hopping in semipolar (11-22) InGaN quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga
• [学会発表] 半極性(1-1-2)AlN基板上へのAlGaN/AlN量子井戸構造の作製
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸 充, 永田俊郎, 川上養一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学, 京都府
• [学会発表] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシャル膜における不純物の取り込み
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学, 京都府
• [学会発表] 選択励起条件下における高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の弱励起時間分解発光測定
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 金田昭男, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学, 京都府
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学, 京都府
• [学会発表] (Al,Ga)N系歪み量子構造の電子状態計算
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学, 京都府
• [学会発表] Remarkably suppressed luminescence inhomogeneity in state-of-the-art InGaN green emitting structures
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium （応物併設）
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Temperature-induced luminescence peak shift correlated with exciton lifetime in semipolar (11-22) InGaN/GaN quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium （応物併設）
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Structural and optical characterization of 2H-AlN coherently-grown on 6H-SiN (0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
  • 著者名/発表者名: M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium （応物併設）
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Homoepitaxy of AlN on semipolar (1-102) substrates grown by physical vapor transport method
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium （応物併設）
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] 窒化物半導体ナノ構造の励起子ダイナミクスと超高効率発光素子実現へのアプローチ
  • 著者名/発表者名: 船戸 充，金田昭男，川上養一
  • 学会等名: レーザー学会創立40周年記念学術講演会 第34回年次大会
  • 発表場所: 北九州国際会議場, 福岡県
  • 招待講演
• [学会発表] 近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 船戸 充, 金田昭男
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
  • 招待講演
• [学会発表] 高品質半極性面AlGaN/AlN量子井戸構造における内部電界の抑制と短い輻射再結合寿命の実現
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸発光の面内偏光制御
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 石井良太, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] 半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] AlNの励起子束縛エネルギー：電子正孔交換相互作用と励起子格子相互作用
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] Temperature dependent exciton dynamics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by cathodoluminescence mapping measurements
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, 岩田佳也, D. Gachet，M. Benameur，R. Banal，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 大音隆男, D. Gachet，M. Benameur，R. Banal，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] 半極性(11-22)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価
  • 著者名/発表者名: 尾崎拓也, 西中淳一, 金田昭男, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] Inhomogeneously broadened gain spectra in InGaN based laser diodes
  • 著者名/発表者名: K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami and S. Noda
  • 学会等名: DYCE-ASIA Workshop
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] SNOM Characterization on Inhomogenity and Defects in III-N Alloy Semiconductors
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] High Quality AlGaN-Based Quantum Wells for Deep-Ultraviolet Emitters
  • 著者名/発表者名: M. Funato
  • 学会等名: 16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 招待講演
• [学会発表] Optical Gain Properties of (0001) Oriented InGaN-Based Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
  • 学会等名: 16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] Observation of Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 4th Intern. Symp. on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Saint-Petersburg, Russia
• [学会発表] Exciton Dynamics in Semipolar (11-22) InGaN Single Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaka, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Strong Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Exciton Localization Phenomena in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Determination of the deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN as well as GaN
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Nanoscopic PL properties in green emitting InGaN single quantum well on {20-21} GaN substrate probed by scanning near field optical microscopy
  • 著者名/発表者名: A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] `New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC surfaces
  • 著者名/発表者名: Y. Ishiyama, M. Takaki, Y. Hagihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto and S. Tanaka
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Formation Mechanism and Elimination of Lowangle Grain Boundaries in AlN through Control of Heterointerface with Sapphire (0001) Substrate
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, R. G. Banal, K. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Epitaxial Growth of AlN and Related Alloys
  • 著者名/発表者名: M. Funato
  • 学会等名: Collaborative Conference on Crystal Growth
  • 発表場所: Orlando, Florida, USA
  • 招待講演
• [学会発表] 結晶からの発光を診る 空間・時間分解分光による評価
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所, 東京都
  • 招待講演
• [学会発表] へテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価
  • 著者名/発表者名: 石山裕策, 西中淳一, 船戸 充, 川上養一, 橋本明弘, 田中 悟
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所, 東京都
• [学会発表] 非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の異方性を考慮した臨界膜厚
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所, 東京都
• [学会発表] 窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦-光物性の理解と制御によるアプローチ
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会 窒化物半導体光デバイスの最前線 デバイスと光物性(基調講演)
  • 発表場所: 京都テルサ, 京都府
  • 招待講演
• [学会発表] 近接場マルチプローブ分光技術の開発 －ナノ構造における素励起の可視化を目指して－
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 日本分光学会ナノ分光部会第４回シンポジウム「非局所的・協同的現象を理解し、制御するためのナノ光学」
  • 発表場所: 慶應義塾大学日吉キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] Emission properties of localized excitons in weakly excited Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
  • 著者名/発表者名: T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Shizuoka
• [学会発表] Structural and optical characterization of homoepitaxial AlN film
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, K. Matsuda, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Shizuoka
• [学会発表] Hydrostatic and uniaxial deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN
  • 著者名/発表者名: R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Shizuoka
• [学会発表] Critical layer thicknesses of anisotropic heterostructures: non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 31st Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Laforet Shuzenji, Shizuoka
• [学会発表] 半極性(-1-12-2)GaN基板上に成長したInGaN低次元構造の光学特性
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Role of Growth Spirals in AlGaN Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells
  • 著者名/発表者名: R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるPLスペクトルの励起強度依存性
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定
  • 著者名/発表者名: 石井良太，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 半極性 (11-22) InGaN/GaN 量子井戸における励起子ダイナミクス
  • 著者名/発表者名: 尾崎拓也, 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] 緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 金 潤碩, 船戸 充, 川上養一, 塩谷陽平, 京野孝史, 上野昌紀, 中村孝夫
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] SiC上ヘテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価
  • 著者名/発表者名: 高木勝也, 石山裕策, 西中淳一, 船戸充, 川上養一, 橋本明弘, 田中 悟
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode
  • 著者名/発表者名: 金 潤碩, 金田昭男，船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Structure Dependence of Surface Plasmon Enhanced Photoluminescence
  • 著者名/発表者名: Xiaoying Xu，M. Funato，Y. Kawakami，K. Okamoto and K. Tamada
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] マクロなステップ構造を有するAlN上へのAlGaN/AlN量子構造の作製
  • 著者名/発表者名: 林 佑樹，Ryan Banal，M. Funato，Y. Kawakami
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, 愛媛県
• [学会発表] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
  • 著者名/発表者名: Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S. Nagahama
  • 学会等名: 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学, 大阪府
• [学会発表] 白色LEDの現状と次世代デバイスへのアプローチ －テーラーメイド固体照明を目指して－
  • 著者名/発表者名: 川上養一
  • 学会等名: 京都光技術研究会第3回光ものづくりセミナー －LEDの進展と広がるアプリケーション－
  • 発表場所: 京都府産業支援センター, 京都府
• [学会発表] 半極性GaNバルク基板上への緑色発光InGaN量子井戸の作製と物性
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第５回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館, 東京都
• [学会発表] 緑色発光InGaN量子井戸の近接場光学分光
  • 著者名/発表者名: 金田昭男, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 第５回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
  • 発表場所: 日本科学未来館, 東京都
• [学会発表] アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強
  • 著者名/発表者名: 立石和隆，Xu Xiaoying，船戸 充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田 薫
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシにおけるV/III比の影響
  • 著者名/発表者名: 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] (1102)基板上へのAlNホモエピタキシーにおける成長圧力の最適化
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸 充, 永田俊郎, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源
  • 著者名/発表者名: 大音隆男, ライアン バナル, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング
  • 著者名/発表者名: 岩田佳也, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源
  • 著者名/発表者名: 石井良太, 船戸 充, 川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測
  • 著者名/発表者名: 西川恭平，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価
  • 著者名/発表者名: 田中優也，金田昭男，船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス
  • 著者名/発表者名: 井上航平, 金田昭男, 船戸 充，川上養一，岡本晃一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] 半極性(1122)InGaN/GaN量子井戸における励起子ダイナミクスの井戸幅依存性
  • 著者名/発表者名: 尾崎拓也, 西中淳一, 船戸 充，川上養一
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
• [学会発表] ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 金田昭男, 船戸 充
  • 学会等名: 弟60回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 神奈川県
  • 招待講演
• [図書] ワイドギャップ半導体－あけぼのから最前線へー 第3.3章「半極性・半極性面上新規高効率発光デバイス」pp.222-232 (2013)
  • 著者名/発表者名: 船戸充，川上養一（分担執筆）
  • 総ページ数: 11
  • 出版者: 培風館
• [図書] フォトニックナノ構造の最近の進展, 第9章 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, (分担執筆)
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] フォトニツクナノ構造の最近の進展,第9章 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川上養一(分担執筆)
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] フォトニックナノ構造の最近の進展,第10章 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岡本晃一(分担執筆)
  • 出版者: シーエムシー出版
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考] 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 量子機能工学講座 光材料物性工学分野
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考] 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 量子機能工学講座 光材料物性工学分野
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法 (2013)
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 産業財産権種類: 特許
  • 取得年月日: 2013-07-02
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2012)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2012-01-20
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 産業財産権番号: 2010-128252
  • 出願年月日: 2011-12-21
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2011-12-22
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置 (2011)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 出願年月日: 2011-12-22
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法 (2010)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 権利者名: 京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2010-06-21
  • 外国
• [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法 (2010)
  • 発明者名: 西村活人, 川上養一, 船戸充, 外2名
  • 権利者名: 京都大学,外4名
  • 出願年月日: 2010-06-21
  • 外国