テラヘルツ波による大容量無線通信実現の為のデバイス・システムの開拓

• 研究課題/領域番号: 21226010
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 浅田 雅洋 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (30167887)
• 研究分担者: 宮本 恭幸 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授 (40209953) ; 西山 伸彦 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (80447531)
• 連携研究者: 鈴木 左文 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (40550471)
• 研究期間 (年度): 2009-05-11 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 213,330千円 (直接経費: 164,100千円、間接経費: 49,230千円); 2013年度: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円); 2012年度: 36,920千円 (直接経費: 28,400千円、間接経費: 8,520千円); 2011年度: 58,240千円 (直接経費: 44,800千円、間接経費: 13,440千円); 2010年度: 43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円); 2009年度: 49,530千円 (直接経費: 38,100千円、間接経費: 11,430千円)
• キーワード: 電子デバイス・集積回路 / テラヘルツデバイス / 大容量無線通信 / 共鳴トンネルダイオード / 微細スロットアンテナ / テラヘルツ波の変調 / テラヘルツ波 / テラヘルツ発振デバイス / 集積スロットアンテナ / 室温テラヘルツ発振 / 直接変調 / 周波数変調

研究概要

未開拓のテラヘルツ周波数帯を用いた大容量無線通信の実現を目指し、テラヘルツ波の発振と変調、および無線伝送の研究を行った。発振デバイスでは、電子遅延を短縮した共鳴トンネルダイオードにより、半導体電子デバイスでは最高周波数の1.55THz室温発振を達成するとともに、集積微細アンテナの構造最適化による高出力動作および高速直接変調を達成した。光信号照射によるテラヘルツ波変調デバイス、変調用の高電流駆動能力トランジスタも得られた。また、共鳴トンネルダイオード送信器とショットキーバリアダイオード受信器を用いた無線伝送実験を行い、テラヘルツ波による大容量通信の見通しを得た。

評価記号

検証結果 (区分)

A

研究成果

• [雑誌論文] Fundamental oscillation up to 1.42 THz in resonant tunneling diodes by optimized collector spacer thickness (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya, R. Sogabe, T. Maekawa, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: J. Infrared, Millimeter and Terahertz Waves 巻: vol.35 号: 5 ページ: 425-431
  • DOI: 10.1007/s10762-014-0058-z
  • NAID: 110009902736
  • 査読あり
• [雑誌論文] Wide-Range Varactor-Tuned Terahertz Oscillator Using Resonant Tunneling Diode (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kitagawa, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: J. Infrared, Millimeter and Terahertz Waves 巻: 35 号: 5 ページ: 445-450
  • DOI: 10.1007/s10762-014-0061-4
  • NAID: 110009902737
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and electrical transport properties of MOVPE-grown pseudomorphic AlAs/InGaAs/InAs resonant tunneling diodes on InP substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Sugiyama, A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 53 号: 3 ページ: 31202-31202
  • DOI: 10.7567/jjap.53.031202
  • NAID: 210000143405
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-power operation of terahertz oscillators with resonant tunneling diodes using impedancematched antennas and array configuration (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, M. Shiraishi, H. Shibayama, and M. Asada
  • 雑誌名: IEEE J. Selected Topics Quantum Electron 巻: vol.19, No.1 号: 1 ページ: 8500108-8500108
  • DOI: 10.1109/jstqe.2012.2215017
  • 査読あり
• [雑誌論文] High open-circuit voltage gain in vertical InGaAs channel metal-insulator semiconductor field effect transistor using heavily doped drain region and narrow channel mesa (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, and Y. Miyamoto
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: vol.52 号: 4S ページ: 04CF05-04CF05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04cf05
  • NAID: 110009569440
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz oscillation of resonant tunneling diodes with deep and thin quantum wells (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 10 号: 18 ページ: 20130501-20130501
  • DOI: 10.1587/elex.10.20130501
  • NAID: 130003365037
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz Emission from Resonant Tunneling Diodes without Satisfying Oscillation Condition (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Asada, H. Kanaya, and S. Suzuki
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 52 号: 10R ページ: 100210-100210
  • DOI: 10.7567/jjap.52.100210
  • NAID: 40022765769
  • 査読あり
• [雑誌論文] Performance Evaluation of InGaSb/AlSb P-Channel High-Hole-Mobility Transistor Faricated Using BCl3 Dry Etching (2013)
  • 著者名/発表者名: C.-H. Yu
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: vol. 52, no. 2 号: 2R ページ: 20203-20203
  • DOI: 10.7567/jjap.52.020203
  • 査読あり
• [雑誌論文] InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Fatah
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: vol. 6, no. 3 号: 3 ページ: 34001-34001
  • DOI: 10.7567/apex.6.034001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct intensity modulation and wireless data transmission characteristics of terahertz-oscillating resonant tunnelling diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Ishigaki, M. Shiraishi, S. Suzuki, M. Asada, N. Nishiyama, and S. Arai
  • 雑誌名: Electron. Lett 巻: vol.48, No.10 号: 10 ページ: 582-583
  • DOI: 10.1049/el.2012.0849
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Shibayama
  • 雑誌名: J. Infrared Milli. Terahz. Waves 巻: vol. 33 号: 5 ページ: 475-478
  • DOI: 10.1007/s10762-012-9893-y
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diode and Modulation of Its Output Power with Laser Irradiation (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki
  • 雑誌名: Rev. Laser Eng. (レーザー研究） 巻: vol. 40, no. 7 ページ: 517-522
  • NAID: 10030769450
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation up to 1.31 THz in Resonant Tunneling Diodes with Thin Well and Barriers (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: vol. 5 号: 12 ページ: 124101-124101
  • DOI: 10.1143/apex.5.124101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-loss GaInAsP wire waveguide on Si substrate with Benzocyclobutene adhesive wafer bonding for membrane photonic circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Lee, Y. Maeda, Y Atsumi, Y. Takino, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: Vol. 51 号: 4R ページ: 042201-042201
  • DOI: 10.1143/jjap.51.042201
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier-Transport-Limited Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Takahashi, S. Lee, M. Shirao, T. Shindo, K. Shinno, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: IEEE J, Quantum Electron. 巻: Vol. 48 号: 5 ページ: 688-695
  • DOI: 10.1109/jqe.2012.2190822
  • 査読あり
• [雑誌論文] GalnAsP/InP Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum Well Structure (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Futami, T. Shindo, T. Koguchi, K. Shinno, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: IEEE Photon. Technol. Lett. 巻: Vol. 24 号: 11 ページ: 888-890
  • DOI: 10.1109/lpt.2012.2190053
  • 査読あり
• [雑誌論文] Permeability retrieval in InP-based waveguide optical device combined with metamateria (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Amemiya, S. Myoga, T. Shindo, E. Murai, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: Optics Lett. 巻: Vol. 37 号: 12 ページ: 2301-2303
  • DOI: 10.1364/ol.37.002301
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved regrowth interface of AlGaInAs/InP-buried-heterostructure lasers by in-situ thermal cleaning (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Takino
  • 雑誌名: IEEE J. Quantum Electron. 巻: Vol. 48 号: 8 ページ: 971-979
  • DOI: 10.1109/jqe.2012.2196410
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier-concentration-dependent resonance frequency shift in a metamaterial loaded semiconductor (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Myoga
  • 雑誌名: J. Opt. Soc. Amer. B 巻: Vol. 29 号: 8 ページ: 2110-2115
  • DOI: 10.1364/josab.29.002110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Layer-to-Layer Grating Coupler Based on Hydrogenated Amorphous Silicon for Three-Dimensional Optical Circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: J. H. Rang, Y. Atsumi, M. Oda, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51 号: 12R ページ: 120203-120203
  • DOI: 10.1143/jjap.51.120203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical analysis of the damping effect on a transistor laser (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 9 号: 23 ページ: 1792-1798
  • DOI: 10.1587/elex.9.1792
  • NAID: 130002542191
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO₂ Wires (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Takebe
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E95.C 号: 5 ページ: 917-920
  • DOI: 10.1587/transele.E95.C.917
  • NAID: 130002135544
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40 nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600 GHz (2012)
  • 著者名/発表者名: F. Fatah
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: vol. 51, no. 11 号: 11R ページ: 110203-110203
  • DOI: 10.1143/jjap.51.110203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of Transit Time in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, S.Suzuki, K.Shizuno, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E95-C 号: 3 ページ: 401-407
  • DOI: 10.1587/transele.E95.C.401
  • NAID: 10030610433
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation up to 1.08THz in resonant tunneling diodes with high-indium-composition transit layers for reduction of transit delay (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, K.Shizuno, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H. Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 9 号: 5 ページ: 385-390
  • DOI: 10.1587/elex.9.385
  • NAID: 130001922359
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Output Conductance in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Miyamoto
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.5 号: 2 ページ: 024101-024101
  • DOI: 10.1143/apex.5.024101
  • NAID: 10030155693
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal Wavelength Filters toward Optical Interconnection to LSIs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, M.Oda, J.H.Kang, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E95-C 号: 2 ページ: 229-236
  • DOI: 10.1587/transele.E95.C.229
  • NAID: 10030609915
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Output Power (～400μW)Oscillators at around 550GHZ Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi, H.Shibayama, K.Ishigaki, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.4 号: 6 ページ: 64101-64101
  • DOI: 10.1143/apex.4.064101
  • NAID: 10029000452
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz oscillators using electron devices - an approach with Resonant tunneling diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 8 号: 14 ページ: 1110-1126
  • DOI: 10.1587/elex.8.1110
  • NAID: 130000959497
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heterodyne Mixing of Sub-Terahertz Output Power from Two Resonant Tunneling Diodes Using InP Schottky BarrierDiode (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Karashima, K.Ishigaki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50 号: 8R ページ: 80211-80211
  • DOI: 10.1143/jjap.50.080211
  • NAID: 40018960973
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10^5 A/cm^2 Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 巻: Vol.336 号: 1 ページ: 24-28
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A(基礎・材料共通) 巻: vol.131-A ページ: 21-25
• [雑誌論文] 高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 杉山弘樹, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 雑誌名: NTT技術ジャーナル 巻: vol.23 ページ: 12-17
• [雑誌論文] Deviation from Proportional Relationship between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operationg at High Current Dentity (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K. Furuya
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett 巻: vol.32 号: 4 ページ: 491-493
  • DOI: 10.1109/led.2011.2107497
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source andAl_2O_3gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Terao, T.Kanazawa, S.Ikeda, Y.Yonai, A.Kato, Y.Miyamoto
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.4 号: 5 ページ: 054201-054201
  • DOI: 10.1143/apex.4.054201
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe, T.Kobayashi, H.Suzuki, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E94-C 号: 5 ページ: 830-834
  • DOI: 10.1587/transele.E94.C.830
  • NAID: 10029506179
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Magnetic Interactions at Optical Frequencies in an InP-Based Wavegui de Device with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electronics 巻: 47 号: 5 ページ: 736-744
  • DOI: 10.1109/jqe.2011.2108268
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-μm Transistor Laser with AlGaInAs/InP Quantum Wells (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, T.Sato, Y.Takino, N.Sato, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: Vol.4 号: 4 ページ: 3975-3982
  • DOI: 10.1364/oe.20.003983
  • NAID: 10029239379
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nonunity permeability in metamaterial-based GaInAsP/InP multimode interferometers (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, S.Myoga, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Optics Lett. 巻: 36 号: 12 ページ: 2327-2329
  • DOI: 10.1364/ol.36.002327
  • 査読あり
• [雑誌論文] Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 号: 7R ページ: 070203-070203
  • DOI: 10.1143/jjap.50.070203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-power-consumption High-eye-margin 10 Gbit/s Operation by GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Lee, D.Takahashi, T.Shindo, K.Shinno, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE Photonics Technol.Lett. 巻: 23 号: 18 ページ: 1349-1351
  • DOI: 10.1109/lpt.2011.2160938
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe, T.Okumura, S.Kondo, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 巻: Vol.50 号: 8R ページ: 88005-88005
  • DOI: 10.1143/jjap.50.088005
  • NAID: 210000139428
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron. 巻: 17 号: 5 ページ: 1175-1182
  • DOI: 10.1109/jstqe.2011.2131636
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang, Y.Atsumi, M.Oda, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.50 号: 12R ページ: 120208-120208
  • DOI: 10.1143/jjap.50.120208
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaInAsP/Inp Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with a-Si Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: vol.19 ページ: 1884-1891
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral Junction Waveguide-type Photodiode Grown on Semi-insulating InP Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura.D.Kondo, H.Ito, S.H.Lee, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50
  • NAID: 40018283282
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large-Signal Analysis of a Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, S.Lee, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electron. 巻: vol.47 ページ: 359-367
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Matsumoto, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50
  • NAID: 40017446831
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deviation From Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett. 巻: vol.32 ページ: 491-493
  • NAID: 110007999989
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコン/III-V族半導体ハイブリッド集積光デバイス (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 雑誌名: 月刊OPTRONICS 巻: 2011年2月号 ページ: 117-120
• [雑誌論文] Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura, H.Ito, D.Kondo, N.Nisiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, K.Inoue, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49
  • NAID: 40017116072
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bandwidth enhancement of injection-locked distributed reflector lasers with wirelike active regions (2010)
  • 著者名/発表者名: S.H.Lee, D.Parekh, T.Shindo, W.Yang, P.Guo, D.Takahashi, N.Nishiyama, C.J.Chang-Hasnain, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: vol.18 ページ: 16370-16378
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely High Peak Current Densities of over 1×10^6A/cm^2 in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, H.Yokoyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto, S.Takahashi, T.Kobayashi, H.Suzuzki, K.Furuya
  • 雑誌名: IEICE Trans.Electron. 巻: vol.E93-C ページ: 644-647
  • NAID: 10026825631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillations at～900GHz with low bias voltages in RTDs with spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Sawada, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Electron.Lett. 巻: vol.46 ページ: 1006-1007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7 MA/cm^2 (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.3
  • NAID: 10026586520
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical analysis of spectral linewidth of terahertz oscillators using resonant tunneling diodes and their coupled arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: vol.108
  • 査読あり
• [雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n^+-Source (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa, K.Wakabayashi, H.Saito, R.Terao, S.Ikeda, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.3
  • NAID: 10026690574
  • 査読あり
• [雑誌論文] 極微細ヘテロ接合トランジスタ (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 雑誌名: 応用物理 巻: 第79巻 ページ: 1010-1013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation of resonant tunneling diodes above 1 THz at room temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, M.Asada, A.Teranishi, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 巻: vol.97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators with High Output Power(～200μW)Using Offset-Fed Slot Antenna and High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hinata
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp. vol.3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Measurement of Oscillation Frequency and Spectral Linewidth of Sub-Terahertz InP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillators Using Ni-InP Schottky Barrier Diode (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation of up to 951GHz in Small-Area InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Uesawa
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preliminary experiment for direct media conversion to sub-terahertz wave signal from 1.55-μm optical signal using photon-generated free carriers (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao, Y. Numajiri, R. Yokoyama, N. Nishiyama, M. Asada, and S. Arai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: vol.48, No.9 号: 9 ページ: 090203-090203
  • DOI: 10.1143/jjap.48.090203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation of up to 831GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp. vol.2
  • NAID: 10025086139
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Terahertz Oscillator Using Negative Differential Resistance Dual-Channel Transistor and Integrated Antenna (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Furuya
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. vol.48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz Sources Using Electron Devices (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 雑誌名: KEC JOHO No.209 ページ: 17-22
• [雑誌論文] Lateral Current Injection GaInAsP/InP Laser on Semi-insulating Substrate for Membrane-based Photonic Circuits (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 雑誌名: Opt.Express Vol.17 ページ: 12564-12570
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-Threshold and High-Efficiency Operation of Distributed Reflector Laser With Wirelike Active Regions (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 雑誌名: IEEE Photon.Technol.Lett. Vol.21 ページ: 1414-1416
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Optical-Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions for Isolator-Free Operation (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 雑誌名: IEEE Photon.Technol.Lett. Vol.21 ページ: 1529-1531
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preliminary Experiment for Direct Media Conversion to Sub-Terahertz Wave Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-generated Free Carriers (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain (2009)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Saito
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp. vol.2
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sub- Terahertz resonant Tunneling Diode Osillators Integrated with Tapered Slot Antennas for Horizontal Radiation (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Urayama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp. vol.2
  • 査読あり
• [学会発表] Room-Temperature Resonant-Tunneling-Diode Terahertz Oscillator (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Solid State Device and Materials (SSDM2014)
  • 発表場所: つくば
  • 招待講演
• [学会発表] Resonant-Tunneling-Diode Terahertz Oscillator Integrated with Slot-Coupled Patch Antenna (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Okada, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2014)
  • 発表場所: Montpellier (France)
• [学会発表] Frequency Increase in Resonant Tunneling-Diode Terahertz Oscillators Using Optimum Collector Spacer (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya, R. Sogabe, T. Maekawa, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2014)
  • 発表場所: Montpellier (France)
• [学会発表] Oscillation of Resonant Tunneling Diode up to 1.55 THz by Optimized Slot Antenna Length (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Maekawa, H. Kanaya, R. Sogabe, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: European Optical Society, THz Science and Tech. (EOS-TST)
  • 発表場所: Camogli (Italy)
• [学会発表] Varactor-Tuned Resonant-Tunneling- Diode Terahertz Oscillator (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Kitagawa, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: European Optical Society, THz Science and Tech. (EOS-TST)
  • 発表場所: Camogli (Italy)
• [学会発表] Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, and T. Tezuka
  • 学会等名: IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.(SICS 2013)
  • 発表場所: Arlington, VA
  • 年月日: 2013-12-10
• [学会発表] Roomtemperature THz oscillators using resonant tunneling diodes (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Workshop. Optical THz Science and Tech. (OTST 2013)
  • 発表場所: Kyoto, Apr
  • 年月日: 2013-04-02
• [学会発表] Roomtemperature THz oscillators using resonant tunneling diodes with reduced delay times (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Symp. Frontier THz Tech. (FTT 2012)
  • 発表場所: Nara
  • 年月日: 2012-11-28
• [学会発表] Compact optical/THz signal converter using photo-generated carrier gate in THz waveguide (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Take, M. Shirao, K. Maruyama, N. Nishiyama, M. Asada, and S. Arai
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference (IPC 12)
  • 発表場所: Burlingame (USA)
  • 年月日: 2012-09-24
• [学会発表] Increase of Output Power Using Thin Well Resonant Tunneling Diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Kanaya
  • 学会等名: The 59th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-05-17
• [学会発表] Increaseoi Cut-off Frequency and Responsivity Measurement of Ni-InP Schottky Barrier Diode Integrated with a Bow-Tie Antenna (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Maruyama
  • 学会等名: The 59th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-05-17
• [学会発表] High current density of InGaAs MOSFET by epitaxially grown source (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Technical meeting on Electron Devices IEE of Japan
  • 発表場所: Atami
  • 年月日: 2012-05-08
• [学会発表] 金属側壁層有するInP系プラズモニック導波路の作製評価,電気情報通信学会 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村井英淳
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-23
• [学会発表] 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ (2012)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 温度無依存B埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ (2012)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-21
• [学会発表] ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET (2012)
  • 著者名/発表者名: 米内義晴
  • 学会等名: The 59th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線1×2MMIの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] チップ内光配線に向けた横接合導波路型GaInAsフォトダイオードの10Gb/s動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温連続動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] GaInAs/InP半導体上メタマテリアルにおける共振波長変化の金属膜厚依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上 (2012)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] Design of Optical-THz Signal Converter Integratable with aTHz Oscillator (2012)
  • 著者名/発表者名: D.Take
  • 学会等名: The 59th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Sources Using Resonant Tunneling Diodes (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: IEE Technical Meeting, High Power Semiconductor Sources and Their Applications
  • 発表場所: Tokyo(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-20
• [学会発表] IHz Osculation of Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Transmission (2012)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: IEICE Terahertz Application System Meeting
  • 発表場所: Tokyo(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-10
• [学会発表] Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamaguchi
  • 学会等名: 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
  • 発表場所: ラヨラ（カリフォルニア、USA)
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes and Preliminary Experiments on Wireless Communication Application (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Japan-Korea Joint Workshop
  • 発表場所: Nagoya(招待講演)
  • 年月日: 2011-12-19
• [学会発表] Fabrication process of multi-layered amorphous silicon wire waveguides (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] GaInAsP/Si Hybrid Laser with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] High current density of InGaAs MOSFET (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Sendai(招待講演)
  • 年月日: 2011-12-14
• [学会発表] High Drain Current (>2A/mm)InGaAs channel MOSFET at V_D =0.5 V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Yonai
  • 学会等名: 2011 Int.Electron Device Meeting (IEDM 2011)
  • 発表場所: Washington
  • 年月日: 2011-12-06
• [学会発表] THz Oscillating Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Communications (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Terahertz Nano- Science & Workshop on Int. Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] Wireless Data Transmission at ～560 GHz with Direct Modulation of RTD Oscillator (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Terahertz Nano- Science & Workshop on Int. Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] L Wide-gap Athermal Si-Slot Wavelength Filters Embedded with Benzocyclobutene (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Oda
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-loss GaInAsP wire waveguide for optical interconnection (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Lee
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-threshold operation of GaInAsP/InP lateral current injection type membrane DFB lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Futami
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-loss multiple-stacked amorphous silicon wire waveguide on SOI (2011)
  • 著者名/発表者名: J. H. Kang
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Proposal of GaInAsP/SOI hybrid laser with AlInAs-oxide current confinement layer by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Room-Temperature Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diodes above 1THz (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: IEICE Integrated Photonic Devices and Application Meeting (IPDA)
  • 発表場所: Tokyo(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-16
• [学会発表] Si-based Optical Devices toward On-Chip Interconnection and One-Chip Router -Athermal, Amorphous, and III-V on Si (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nisiyama
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Athermal Wavelength Filters toward Photonic Integrated Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Fukuda
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-loss Amorphous Silicon Wire Waveguides Multilayer Stacked on SOI (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Lee
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Sources Using Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: JSPS No.182 Meeting
  • 発表場所: Hamamatsu(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1.55-μm Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kaburaki
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference (IPC 11)
  • 発表場所: Arlington/VA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Non-unity Permeability in InP-based Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Carrier Concentration Dependent Resonance Frequency Shift in Metamaterial Loaded Semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Myoga
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Membrane InP-based Lasers and Related Devices for On-chip Interconnects (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Sato
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-12
• [学会発表] Direct Modulation of THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Shibayama
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] High-currento-density InP ultrafine devices for high-speed operation (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-04
• [学会発表] GaAsSb/InGaAs Vertical Tunnel FET with a 25 nm-wide Channel Mesa Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Fujimatsu
  • 学会等名: 2011 Int.Conf.Solid state Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: Aichi, Japan
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] Wide-Gap Athermal Si-Slot Mach-Zhender Interferometer Embedded with Benzocyclobutene (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 8th Int.Conf, on Group IV Photonics
  • 発表場所: London, UK
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタ信号伝送特性の温度依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光配線に向けた光導波路作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 池田俊介
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Hokkaido
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 加藤淳
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Hokkaido
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤松基彦
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Hokkaido
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: Meeting of Electronics, Information and Systems Society, The Institute of Electrical Engineers of Japan
  • 発表場所: Toyama
  • 年月日: 2011-09-09
• [学会発表] 再成長ソース/ドレインを用いたIII-V族MOSFETの高電流動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: The 72nd Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有する温度無依存BCB埋め込みSiスロット型リング共振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Shibayama
  • 学会等名: The 72nd Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Direct Modulation and Dependence of Modulation Frequency Limiton External Circuits in THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: The 72nd Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiationof 1.55-μm Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kaburaki
  • 学会等名: The 72nd Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Numerical Analysis of Optical Gain of a 3-terminal HBT-SOA (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] BCB貼付を用いたSi基板上低損失GaInAsP細線導波路の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 福田渓太
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Terahertz Oscillation of InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials
  • 発表場所: Gifu, Japan(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs SHBT on Si Substrate by Using Transferred Substrate Process (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Yamaguchi
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM 2011)
  • 発表場所: Gifu, Japan
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Semiconductor DFB Laser with Plasmonic Metal Layers for Subwavelength Confinement of Light (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-28
• [学会発表] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Opto-electronics and Nanostructures (EDISON17)
  • 発表場所: Santa Barbara(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-11
• [学会発表] Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Futami
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-07
• [学会発表] Lasing Operation of Lateral-Current-Inj ection Membrane DFB Laser with Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Wide Bandwidth (>25Gbit/s) Modulation of Low Power Consumption Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO_2 Wires (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe
  • 学会等名: 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011)
  • 発表場所: Daejeon, Korea
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Reduction of Access Resistance of InP InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Kato
  • 学会等名: 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011)
  • 発表場所: Daejeon, Korea
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Microwave/Terahertz Science and Applications
  • 発表場所: Nanjing, China(招待講演)
  • 年月日: 2011-06-21
• [学会発表] MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.27 A/mm (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: The 23rd Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-25
• [学会発表] High Output Power (～400 μW)Oscillators at Around 550 GHz Using Large Area RTD and Optimized Antenna Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High Indium Composition Transit Layers (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Reduction of source parasitic capacitance in vertical InGaAs MIS-FET (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Matsumoto
  • 学会等名: The 23rd Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Low-power Consumption and High-eye-margin 10 Gbit/s Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Takahashi
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Quantum Well Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Uniform BCB Bonding Process Toward Low Propagation Loss (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Sato
  • 学会等名: The 38th Int. Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] 3端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白尾瑞基
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] III-V化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 高インジウム組成電子走行層を有する共鳴トンネルダイオードによる1.08 THzへの基本波発振周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 寺西豊志
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 大面積RTDとアンテナ構造最適化による550GHz帯高出力(～400μW)発振 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白石誠人
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] MIMキャパシタンス減少による共鳴トンネルダイオード発振素子の変調周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石垣要
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数の向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山薫
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] GaN HEMTにおけるゲートリークの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大石敏之
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 1.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETに関する研究 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤松基彦
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 基板転写プロセスを用いたSi基板上InGaAs SHBTの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山口裕太郎
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] テラヘルツデバイスの新展開:イントロダクトリー (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード室温THz発振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] InP/InGaAs DHBTにおけるSiO_2細線埋め込みによるベースコレクタ間容量の消減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 武部直明
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有するBCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 多層化されたアモルファスシリコン細線導波路の低損失伝搬特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-14
• [学会発表] Meta-photonic device ～possicbility of permeability control in semiconductor-based photonic device combined with metamaterial～ (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Kagoshima, Japan
  • 年月日: 2011-02-28
• [学会発表] Lateral Current Injection GaInAsP/InP Llaser for Membrane Based Photonic Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: SPIE Photonics West Conference 2011
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2011-01-24
• [学会発表] III-V quantum well channel MOSFET with back electrode (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: IEICE Technical Report of Meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-01-14
• [学会発表] Si・SOI基板上レーザ素子の現状 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Lateral Current Injection 1550 nm Wavelength DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Si Slot Type Athermal Wavelength Filter Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] The characteristics of GaInAsP wired waveguide on Si substrate with BCB bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Technical Report, Electron Device Meeting, IEICE of Japan
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] Transit Time Reduction with Graded Emitter in Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillators (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Technical Report, Electron Device Meeting, IEICE of Japan
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] Membrane DFB lasers on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conf.and Exhibition 2010(ACP2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-12-09
• [学会発表] Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Metamaterial-based Control of Permeability in GaInAsP/InP Multimode-Interferometers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-10
• [学会発表] Low-Loss Si-Slot Waveguides and Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-09
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes Int.Conf.Semiconductor Integrated Circuits and Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: 10th IEEE Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] Submicron-Channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 10th IEEE Int.Conf.Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: European Optical Society (EOS) Annual Meeting, Terahertz Science and Technology
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 2010-10-26
• [学会発表] Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: JSPS, No.130 Committee Meeting
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-10-22
• [学会発表] First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-29
• [学会発表] Membrane Lasers on Si-Low Power Consumption Lasers for Monolithic Integration (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Workshop on Semiconductor Lasers, at The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] Membrane-Type Photonic Devices for Optical Circuits on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides toward 3D Si-Optical Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Kang
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Terahertz Oscillating InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] InP/InGaAs MOSFET with back-electrode structure bonded on Si substrate using a BCB adhesive Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2nd Japanese-Russian Young Scientists Conference on Nanomaterials and Nnanotechnology
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-21
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる1.04THz基本波発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 入力信号と局部発振にRTDを用いたInP-SBDのサブTHzヘテロダイン検出 (2010)
  • 著者名/発表者名: 辛島宏一
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ (2010)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤瞳
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, 2010, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 活性層分離型分布反射型レーザの変調特性の構造依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] III-V族半導体薄膜光集積回路実現に向けた薄膜品質の改善 (2010)
  • 著者名/発表者名: 前田泰奈
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] BCB埋め込みスロットリング共振器の低損失化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] GaInAsP/InP MMIとメタマテリアル融合素子における透磁率変化の観測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: Nat.Conv.Rec.,IEICE of Japan
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 縦型InGaAsチャネルMISFETの高電流密度動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 齋藤尚史
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 縦型InGaAs-MISFETの高周波に向けた研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 松木豊
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 寺尾良輔
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Heterodyne Detection of Output of Sub-THz RTD Oscillator Using InP-SBD Detector and RTD Local Oscillator (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] THz oscillators using resonant tunneling diodes at room temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome
  • 年月日: 2010-09-07
  • 招待講演
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Increase of Fundamental Oscillation Frequency in Resonant Tunneling Diode with Thin Barrier and Graded Emitter Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘラロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-08-19
• [学会発表] Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO_2 wires (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] InGaAs MISFET with epitaxially grown source (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: The 3rd Int.Symp.Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2010)
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2010-06-23
• [学会発表] Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-06-05
• [学会発表] Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI Waveguide by Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Shinno
  • 学会等名: The 37th Int.Sym.on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Room-Temperature Oscillation of Resonant Tunneling Diodes in Terahertz Range (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: 37th Int.Symp.Compound Semicond.(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Takino
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials:Device Design (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Selective Undercut Etching for Ultra Narrow Mesa Structure in Vertical InGaAs Channel MISFET (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] RTD Oscillators at 430-460 GHz with High Outpur Power(～200μW)Using Integrated Offset Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Compounds(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser-Improved Quantum Efficiency Operation- (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ito
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Deviation from Proportional Relationship between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada
  • 学会等名: 37th Int.Symp.Compound Semiconductor(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown N^+-source/drain buried in channel undercut (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference(CLEO/IQEC)2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術 (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会研究会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-05-13
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: JSPS, No.162 Committee Meeting
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-05-07
• [学会発表] High-mobility MOSFET with submicron III-V channel (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: Technical Meeting on Electron Devices, IEE of Japan
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-26
• [学会発表] Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers at Low Bias Current by Optical Injection Locking (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 学会等名: Opt.Fiber Commun.Conf.and National Fiber Optic Eng.Conf.(OFC/NFOEC 2010)
  • 発表場所: San Diego, USA
  • 年月日: 2010-03-24
• [学会発表] Magnetic Interaction at Optical Frequencies in InP-based Waveguide Device Combined with Metamaterial (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference(CLEO/IQEC)2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-03-21
• [学会発表] 横方向電流注入レーザの変調特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 奥村忠嗣
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおける再成長界面品質のサーマルクリーニング依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] AlGaInAs量子井戸活性層を有する長波長帯レーザトランジスタ変調効率の構造依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 白尾瑞基
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 若林和也
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Si基板上へ転写したInP系HBTの動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 磯谷優治
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 縦型InGaAsチャネルMISFETの極微細メサに向けた選択的ウェットエッチング (2010)
  • 著者名/発表者名: 齋藤尚史
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] SiO_2細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小林嵩
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振素子の直接周波数変調とInPショットキーバリアダイオードによる検出 (2010)
  • 著者名/発表者名: 辛島宏一
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 薄膜バリアによりトンネル時間を短縮した共鳴トンネルダイオードによる基本波発振周波数向上 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大 (2010)
  • 著者名/発表者名: 李承勲
  • 学会等名: 2010年電子情報通信学会
  • 発表場所: 仙台市
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] メタマテリアルを有するInP導波路型デバイスにおける光周波数領域での磁気応答 (2010)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] SOI基板上多層a-Si細線導波路の伝搬特性の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬太
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] BCB埋め込みSiスロット導波路の光伝搬損失の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 近藤志文
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚市
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillators Using Electron Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators with High Output Power Using Offset-Fed Slot Antenna and High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Detection of Output Power from Sub-THz InP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillator Using Ni-InP Schottky Barrier Diode (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Ferquency Increase of Resonant Tunneling Diode Oscillator in THz Range (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Improvement in Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Laser (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ito
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Investigations of Low Temperature InP/Si Bonding by Surface Activation Process (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kondo
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Characteristics of Si Slot Waveguide Embedded with Benzocyclobutene for Athermal Ring Resonator on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: Clobal COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] CaInAsP Wire Waveguides on Si Substrate Formed by Wafer Bonding with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Investigation of The Propagation Loss of a-Si Multiple Layer Waveguides (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Inoue
  • 学会等名: Clobal COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Effects of In-situ Thermal Cleaning for Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers by OMVPE (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Takino
  • 学会等名: Global COE Int.Symp.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Low-power Consumption Distributed Reflector(DR)Laser with Wirelike Active Regions (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: Global COE Int.Symp.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions by Optical Injection Locking (2010)
  • 著者名/発表者名: S.H.Lee
  • 学会等名: Global COE Int.Symp.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Highmesa GaInAsP/InP Lasers Buried in Benzocyclobutene towards High-Speed Distributed Reflector Lasers (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Takahashi
  • 学会等名: Global COE Int.Symp.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Theoretical Analysis of a AlGaInAs/InP Long-Wavelength Laser Transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: Global COE Int.Symp.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Improvement of Modulation Speed of Semiconductor THz/Optical Direct Media Convertor (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Numajiri
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Selective undercut etching for ultra narrow mesa structure in vertical InGaAs channel MISFET (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: Global COE International Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Resonant Tunneling Diode Oscillators in the Terahertz Range at Room Temperature toward High Frequency, High Output Power, and High Functionality (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Joint Technical Meeting of Japan.Appl.Phys.Soc., THz Tech.Meeting & IEICE of Japan, THz Applied System Meeting
  • 発表場所: Miyagi, Japan
  • 年月日: 2010-02-26
• [学会発表] Demonstration of waveguide optical device with negative-refractive-index layer (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] Optical Injection Locking of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-01-28
• [学会発表] InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al_2O_3 gate dielectric (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-01-14
• [学会発表] Deviation from Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada
  • 学会等名: IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-01-14
• [学会発表] Continuous Wave Operation of GaInAsP/InP Thin Film Llateral Current Injection Lasers on SI-InP (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-12-11
• [学会発表] Design of left-handed light controlling device for optical frequency (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-12-11
• [学会発表] Resonant Tunneling Diodes for Terahertz Oscillators at Room Temperature (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Int.Workshop on Terahertz Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] Theoretical Study of Antenna Integrated NDR-DCT Oscillator for Variable Oscillation Frequency in THz Band (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Furuya
  • 学会等名: Int.Workshop on Terahertz Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] Vertical InGaAs FET with hetero-launcher and undoped channel (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN)
  • 発表場所: Maui, HI, USA
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] Resonant Tunneling Diodes Oscillating at Around 900GHz with Spike Doping Structures for Low Bias Voltage Operation (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Sawada
  • 学会等名: Int.Workshop on Terahertz Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Resonant Tunneling Diode Terahertz(0.8-0.9THz)Oscillators with Spike Doping for Low Voltage Operation (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Sawada
  • 学会等名: IEICE Technical Report on Electron Device Meeting
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Left-handed Light Controlling Device for Optical Frequency (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Int.Symp.On Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics(ISQNN-2009)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-20
• [学会発表] Improved Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ito
  • 学会等名: Int.Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-19
• [学会発表] Athermal Wavelength Property of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] Surface Activated Bonding of InP/Si Structure and Its Photoluminescence Characterization (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Kondo
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] Lateral Current Injection Lasers for Membrane Semiconductor Light Sources toward Optical Interconnection (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] Waveguide Type Lateral Junction Photodiode Toward Membrane Based Photonic Circuit (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Kondo
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-10-14
• [学会発表] Resonant Tunneling Diode with Very High Peak Current Density for Terahertz Oscillators (2009)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-10-13
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N+-InGaAs Source Region (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 2009 Int.Conf.Solid State Devices and Materials(SSDM 2009)
  • 発表場所: Miyagi, Japan
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Detection of Output Power from Sub-THz InP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillator Using Ni-InP Schottky Barrier Diode (2009)
  • 著者名/発表者名: R.Yokoyama
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2009)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] High Power THz Oscillators with Offset-fed Slot Antenna and High Current Density Resonant Tunneling Diodes (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Hinata
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics(IRMMW-Thz 2009)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 915GHz in InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Integrated with Slot Antennas (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2009)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-09-22
• [学会発表] BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ (2009)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 2009 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: 新潟市
  • 年月日: 2009-09-15
• [学会発表] Athermal Wavelength Property of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 6th IEEE Int.Conf.on Group IV Photonics(GFP)
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの微分量子効率改善 (2009)
  • 著者名/発表者名: 伊藤瞳
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] シリコン上薄膜光回路のための横方向接合導波路型フォトダイオード (2009)
  • 著者名/発表者名: 近藤大介
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング (2009)
  • 著者名/発表者名: 武部直明
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの831GHz基本波発振 (2009)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの面積縮小化による915GHzの基本波発振 (2009)
  • 著者名/発表者名: 白石誠人
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 平放射用テーパードスロットアンテナを集積した共鳴トンネルダイオードサブテラヘルツ発振素子 (2009)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] Ni-InPショットキーバリアダイオードによる550GHz共鳴トンネルダイオード出力のヘテロダイン検出 (2009)
  • 著者名/発表者名: 辛島宏一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 縦型InGaAs-MISFETの試作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 楠崎智樹
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MISFETの高駆動能力動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 齋藤尚史
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 若林和也
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] HBTにおける超高速動作時エミッタ充電時間の理論的解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山田真之
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長と超高速電子デバイスへの応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉山弘樹
  • 学会等名: IEE of Japan(Special Session on Compound Semiconductor Electron Devices for More Moore More than Moore)
  • 発表場所: 徳島市
  • 年月日: 2009-09-04
• [学会発表] MOVPE再成長n^+-ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET (2009)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: IEE of Japan(Special Session on Compound Semiconductor Electron Devices for More Moore More than Moore)
  • 発表場所: 徳島市
  • 年月日: 2009-09-04
• [学会発表] レート方程式によるAlGaInAs長波長帯レーザトランジスタ動作解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 白尾瑞基
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山市
  • 年月日: 2009-09-02
• [学会発表] Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Osillators Integrated with Tapered Slot Antennas for Horizontal Radiation (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM 2009)
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 2009-08-28
• [学会発表] In-situ Etching in MOVPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM 2009)
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 2009-08-26
• [学会発表] Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/Gaines Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Bases (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Uesawa
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM 2009)
  • 発表場所: Nagano, Japan
  • 年月日: 2009-08-26
• [学会発表] High External Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 学会等名: Int.Nano-Optoelectronics Workshop 2009(i-NOW 2009)
  • 発表場所: Stockholm, Sweden, Berlin, Germany
  • 年月日: 2009-08-12
• [学会発表] Analysis of antenna integrated NDR-DCT oscillator for variable oscillation frequency in THz band (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Furuya
  • 学会等名: Int.Conf.Modulated Semiconductor Structures(MSS-14)
  • 発表場所: Kobe, Japan
  • 年月日: 2009-07-16
• [学会発表] Sub-Terahertz-Terahertz Oscillating resonant Tunneling Diode (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Technical Report on Silicon Nanodevice Integration Technology, IEE of Japan
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-07-15
• [学会発表] InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-06-25
• [学会発表] Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2009-06-25
• [学会発表] High Optical Feedback-Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Regions for High Speed Isolator-Free Operation (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 学会等名: Conf.on Lasers and Electro Optics/Int.Quantum Electronics Conf.(CLEO/IQEC) 2009
  • 発表場所: Baltimore, USA
  • 年月日: 2009-06-19
• [学会発表] In-situ etching by CBr_4 in InP heterojunction bipolar transistors with buried SiO_2 wire (2009)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe
  • 学会等名: IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-06-12
• [学会発表] Subterahertz-Terahertz Room-Temperature Oscillators with Resonant Tunneling Diodes (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Japan.Appl.Phys.Soc., Light Sensing Technology Meeting
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-06-09
• [学会発表] Progress in Distributed-Reflector(DR)Lasers with Wirelke Active Regions (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: 金沢市
  • 年月日: 2009-05-22
• [学会発表] Properties of High Index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Enomoto
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-14
• [学会発表] Ultra-Thin InAlP/InGaAs Heterojunctions Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral Cladding Layers (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] III-V/SOI Heterogeneous Photonic integrated Devices for Optical Interconnection in LSI (2009)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] Vertical InGaAs MOSFWT with Hetero-Launcher and Undoped Channel (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-13
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 831GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-12
• [学会発表] Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-12
• [学会発表] Low-threshold and High-efficiency Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions by Reduced Waveguide Loss (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Lee
  • 学会等名: The 21st Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2009)
  • 発表場所: Newport Beach, USA
  • 年月日: 2009-05-12
• [学会発表] 超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 杉山弘樹
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-02
• [学会発表] Si上BCB貼付型強光閉じ込めGaInAsP細線導波路の特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 榎本晴基
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-02
• [学会発表] 半絶縁性基板上の横方向注入型DFBレーザ (2009)
  • 著者名/発表者名: 奥村忠嗣
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの室温連続動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 奥村忠嗣
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] BCB埋め込Siスロット導波路による波長フィルタの温度無依存化の検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの低しきい値・高効率動作 (2009)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: 第56回応用物理学会関係連合講演会
  • 発表場所: つくば市
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] Resonant Tunneling Diodes for Terahertz Oscillators at Room Temperature (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Japan.Appl.Phys.Soc., Applied Solid State Physics Division
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2009-01-29
• [学会発表] Fabrication of vertical InGaAs channel MISFET with heterostructure launcher and undoped channel (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] InP/In_<0.53>Ga_<0.47>As composite channel n-MOSFETwith heavily doped regrown source/drain structure (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Wakabayashi
  • 学会等名: Int.Symposium on Silicon Nano Devices in 2030
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillators using Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Workshop. Optical THz Science and Tech. (OTST2013)
  • 発表場所: 京都
  • 招待講演
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Symp. Microwave/Terahertz Science and Application (MTSA 2013)
  • 発表場所: 上海
  • 招待講演
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: SPIE Int. Symp. Optics and Photonics, Terahertz Emitters, Receivers, and Applications IV
  • 発表場所: San Diego (USA)
  • 招待講演
• [学会発表] Compact THz Oscillators with Resonant Tunneling Diodes and Application to High-Capacity Wireless Communications
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Conf. on Applied Electromagnetics and Communications
  • 発表場所: Dubrovnik (Croatia)
  • 招待講演
• [学会発表] Resonant Tunneling Diodes for Room- Temperature Terahertz Oscillators
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Asia Pacific Microwave Conf. (APMC2013)
  • 発表場所: Seoul (Korea)
  • 招待講演
• [学会発表] Terahertz Oscillators using Resonant Tunneling Diodes with InAlGaAs/InP Composite Collector
  • 著者名/発表者名: R. Sogabe, K. Shizuno, H. Kanaya, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
  • 発表場所: 神戸
• [学会発表] Proposal and Fabrication of Resonant-Tunneling-Diode Terahertz Oscillator with Structure for High Frequency Modulation
  • 著者名/発表者名: K. Minoguchi, K. Okada, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared, Millimeter, and THz Waves (IRMMW2013)
  • 発表場所: Mainz (Germany)
• [学会発表] Spontaneous Emission of Terahertz Waves from Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: M. Asada, H. Kanaya, and S. Suzuki
  • 学会等名: International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2013)
  • 発表場所: Kauai (USA)
• [学会発表] Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode with Slot-Fed Patch Antenna
  • 著者名/発表者名: K. Okada, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: Int. Symp. Terahertz Nanoscience
  • 発表場所: 大阪
• [学会発表] Room-temperature THz Oscillators with Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki and M. Asada
  • 学会等名: Symposium on Communication, Microelectronics, Optoelectronics, and Sensors Emerging Technologies Research
  • 発表場所: Grenoble (France)
  • 招待講演
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: M. Asada
  • 学会等名: Optical Terahertz Science and Technology
  • 発表場所: 京都テルサ（京都府）
  • 招待講演
• [学会発表] Increase in Output Power using Thin-Well Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya
  • 学会等名: 3rd EOS Topical Meeting THz Science & Tech.
  • 発表場所: プラハ（チェコ）
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1.31 THz Using Thin-Well Resonant Tunneling Diodes
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya
  • 学会等名: Indium Phosphide Related Materials (IPRM 2012)
  • 発表場所: サンタバーバラ（USA）
• [学会発表] High-Power Operation of Terahertz Oscillators with Resonant Tunneling Diodes Using Offset-Fed Slot Antennas and Array Configuration
  • 著者名/発表者名: M. Shiraishi
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2012)
  • 発表場所: ウロンゴン（オーストラリア）
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes with Reduced Delay Times
  • 著者名/発表者名: M. Asada
  • 学会等名: Frontiers THz Tech. (FTT 2012)
  • 発表場所: 東大寺文化会館（奈良県）
  • 招待講演
• [学会発表] Frequency increase in terahertz oscillating resonant tunneling diodes with keeping bias voltage by deep- and thin-well structure
  • 著者名/発表者名: H. Kanaya
  • 学会等名: Frontiers THz Tech. (FTT 2012)
  • 発表場所: 東大寺文化会館（奈良県）
• [学会発表] Dependence of bit error rate on received power in terahertz wireless communication using resonant-tunneling-diode oscillator
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki
  • 学会等名: Frontiers THz Tech. (FTT 2012)
  • 発表場所: 東大寺文化会館（奈良県）
• [学会発表] Compact Optical/THz Signal Converter using Photo-generated Carrier Gate in THz Waveguide
  • 著者名/発表者名: D. Take
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference (IPC 12)
  • 発表場所: バーリンガム（USA）
• [学会発表] 光励起キャリアゲート型光-テラヘルツ信号直接変換器の信号特性の検討
  • 著者名/発表者名: 武大助
  • 学会等名: 応用物理学会講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 厚いコレクタスペーサと狭井戸構造を持つ共鳴トンネルダイオードによる1.31THz 基本波発振
  • 著者名/発表者名: 金谷英敏
  • 学会等名: 応用物理学会講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 電子の遅延時間短縮による共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振周波数上昇
  • 著者名/発表者名: 金谷英敏
  • 学会等名: 応用物理学会講演会（講演奨励賞受賞記念講演）
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
  • 招待講演
• [学会発表] InAlGaAs/InPコンポジットコレクタを持つ共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振素子
  • 著者名/発表者名: 曽我部陸
  • 学会等名: 応用物理学会講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] 電子デバイスを用いたテラヘルツ発生
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 学術振興会シリコン超集積化システム第165委員会
  • 発表場所: 弘済会館（東京都）
  • 招待講演
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振素子を用いたテラヘルツ無線伝送における誤り率の受信電力依存性
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 電子情報通信学会テラヘルツ技術研究会
  • 発表場所: NICT沖縄電磁波技術センター（沖縄県）
• [学会発表] 量子井戸の薄層化と深化による共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振周波数上昇
  • 著者名/発表者名: 金谷英敏
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東北大学電気通信研究所（宮城県）
• [学会発表] 電子デバイスによるテラヘルツギャップ開拓－共鳴トンネルダイオード発振素子とその無線通信応用
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 電気学会先端光・量子発生利用技術専門委員会第４回委員会/研究会
  • 発表場所: 理化学研究所仙台支所（宮城県)
  • 招待講演
• [学会発表] Improved Quantum Efficiency of GaInAsP/InP Top Air-Clad Lateral Current Injection Lasers
  • 著者名/発表者名: M. Futami
  • 学会等名: 2012 IEEE Optical Int. Conf. (OIC-2012)
  • 発表場所: サンタフェ（USA）
• [学会発表] Amorphous Silicon Grating-Type Layer-to-Layer Couplers for Intra-Chip Connection
  • 著者名/発表者名: J. Kang
  • 学会等名: 2012 IEEE Optical Int. Conf. (OIC-2012)
  • 発表場所: サンタフェ（USA）
• [学会発表] 10 Gb/s Operation of GaInAs/InP Top Air-Clad. Lateral Junction Waveguide-type Photodiode
  • 著者名/発表者名: T. Shindo
  • 学会等名: 2012 IEEE Optical Int. Conf. (OIC-2012)
  • 発表場所: サンタフェ（USA）
• [学会発表] Compact InP-based 1×2 MMI Splitter on Si Substrate with BCB Wafer Bonding for Membrane Photonic Circuits
  • 著者名/発表者名: J. Lee
  • 学会等名: The 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2012)
  • 発表場所: サンタバーバラ（USA）
• [学会発表] Low-Threshold Operation of LCI-Membrane-DFB Lasers with Be-doped GaInAs Contact Layer
  • 著者名/発表者名: M. Futami
  • 学会等名: The 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2012)
  • 発表場所: サンタバーバラ（USA）
• [学会発表] Thermal Analysis of Self-Heating Effect in GaInAsP/InP Membrane DFB Laser on Si Substrate
  • 著者名/発表者名: K. Doi
  • 学会等名: 2012 IEEE Photonics Conference (IPC-2012)
  • 発表場所: バーリンガム（USA）
• [学会発表] AlInAs Selective Oxidation for GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Laserusing Surface Activated Bonding
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi
  • 学会等名: 2012 IEEE Photonics Conference (IPC-2012)
  • 発表場所: バーリンガム（USA）
• [学会発表] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser
  • 著者名/発表者名: N. Sato
  • 学会等名: The 23rd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC-2012)
  • 発表場所: バーリンガム（USA）
• [学会発表] Modulation Bandwidth of GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane Laser
  • 著者名/発表者名: T. Shindo
  • 学会等名: The 23rd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC-2012)
  • 発表場所: サンディエゴ（USA）
• [学会発表] Permeability-controlled Optical Modulator with Tri-gate Metamaterial
  • 著者名/発表者名: T. Amemiya
  • 学会等名: The 4th Int. Topical Meeting on Nanophotonics and Metamaterials (NANOMETA-2013)
  • 発表場所: ゼーフェルト（チロル、オーストリア）
• [学会発表] Multi-stacked silicon wire waveguides and couplers toward 3D optical interconnects
  • 著者名/発表者名: J. Kang
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2013 (OPTO-2013)
  • 発表場所: サンノゼ（USA）
  • 招待講演
• [学会発表] GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価
  • 著者名/発表者名: 山原 佳晃
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学（富山県)
• [学会発表] 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ
  • 著者名/発表者名: 姜 晙炫
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学（富山県)
• [学会発表] AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計
  • 著者名/発表者名: 福田 渓太
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学（富山県)
• [学会発表] InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合
  • 著者名/発表者名: 李 智恩
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学（富山県)
• [学会発表] Si導波路を用いた波長フィルタを有するAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討
  • 著者名/発表者名: 林 侑介
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: リゾートピア熱海（静岡県）
• [学会発表] GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析
  • 著者名/発表者名: 土居 恭平
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: 東北大学（宮城県）
• [学会発表] 表面活性化接合を用いたGaInAsP/Siハイブリッドファブリペローレーザ
  • 著者名/発表者名: 林 侑介
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 紫外線照射を用いた温度無依存シリコンスロットリング共振器の波長トリミング
  • 著者名/発表者名: サイファー たけし
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] Beドープp-GaInAsコンタクト層を有する薄膜DFBレーザのしきい値低減
  • 著者名/発表者名: 二見 充輝
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの熱特性に関する検討
  • 著者名/発表者名: 土居 恭平
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 透磁率の制御によるInP 系導波路型光変調器
  • 著者名/発表者名: 雨宮 智宏
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の曲げ特性評価
  • 著者名/発表者名: 村井 英淳
  • 学会等名: 第73回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
  • 著者名/発表者名: 進藤 隆彦
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: 機械振興会館（東京都）
• [学会発表] 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼付とそのハイブリッドレーザへの応用
  • 著者名/発表者名: 林 侑介
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: 機械振興会館（東京都）
• [学会発表] オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性
  • 著者名/発表者名: 李 智恩
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: 機械振興会館（東京都）
• [学会発表] GaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のためのテーパー構造設計
  • 著者名/発表者名: 福田 渓太
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2013年総合大会
  • 発表場所: 岐阜大学（岐阜県）
• [学会発表] 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ
  • 著者名/発表者名: 姜 晙炫
  • 学会等名: 電子情報通信学会 2013年総合大会
  • 発表場所: 岐阜大学（岐阜県）
• [学会発表] GaInAs/InP半導体上メタマテリアルの電圧印加による共振周波数変化
  • 著者名/発表者名: 明賀 聖慈
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] SiO2マスクを用いた量子井戸無秩序化における多重量子井戸のバンドギャップ波長変化
  • 著者名/発表者名: 山原 佳晃
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] 微細金属構造をもつ導波路型光デバイスにおける相互作用距離の解析
  • 著者名/発表者名: 雨宮 智宏
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作
  • 著者名/発表者名: 土居 恭平
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] 半導体薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長
  • 著者名/発表者名: 井上 大輔
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低消費電力構造の検討
  • 著者名/発表者名: 進藤 隆彦
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造設計
  • 著者名/発表者名: 平谷 拓生
  • 学会等名: 第60回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate
  • 著者名/発表者名: J. Hirai
  • 学会等名: 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
  • 発表場所: 沖縄県青年会館（沖縄県）
• [学会発表] 71 mV/dec of Sub-Threshold Slope in Vertical Tunnel Field-Effect Transistors with GaAsSb/InGaAs Heterostructure
  • 著者名/発表者名: M. Fujimatsu
  • 学会等名: 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2012)
  • 発表場所: サンタバーバラ（USA)
• [学会発表] InP HBT with 55-nm-wide Emitter and Relationship between Emitter Width and Current Density
  • 著者名/発表者名: K. Tanaka
  • 学会等名: 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2012)
  • 発表場所: サンタバーバラ（USA)
• [学会発表] Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation
  • 著者名/発表者名: Y. Yamaguchi
  • 学会等名: 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  • 発表場所: 京都国際会議場（京都府）
• [学会発表] Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation
  • 著者名/発表者名: T. Oishi
  • 学会等名: 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  • 発表場所: 京都国際会議場（京都府）
• [学会発表] High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa
  • 著者名/発表者名: M. Kashiwano
  • 学会等名: 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  • 発表場所: 京都国際会議場（京都府）
• [学会発表] トランジスタ動作時におけるGaN HEMT ゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析
  • 著者名/発表者名: 大石敏之
  • 学会等名: 電子情報通信学会2012年ソサエティ大会
  • 発表場所: 富山大学（富山県)
• [学会発表] 55 nm幅エミッタInP HBTおよび電流密度とエミッタ幅の関係
  • 著者名/発表者名: 田中啓史
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] InGaAs チャネルMOSFET のEOT削減による伝達コンダクタンス向上
  • 著者名/発表者名: 佐賀井健
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMIFETの高電圧利得化
  • 著者名/発表者名: 柏野壮志
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] GaN-HEMTノーマリーオフ化のためのしきい値電圧制御に関する研究
  • 著者名/発表者名: 大澤一斗
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究
  • 著者名/発表者名: 加藤淳
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETにおけるサブスレッショルドスロープの改善
  • 著者名/発表者名: 藤松基彦
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学（愛媛県）
• [学会発表] 超高速トランジスタ技術の現状と展望
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: 2013年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 岐阜大学（岐阜県）
  • 招待講演
• [学会発表] Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究
  • 著者名/発表者名: 加藤淳
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学（神奈川県）
• [学会発表] 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化
  • 著者名/発表者名: 柏野壮志
  • 学会等名: IEICE Technical Report of meeting on Electron Devices
  • 発表場所: 豊橋技術科学大学（愛知県)
• [学会発表] GaAsSb/InGaAs縦型トンネルFET
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 学会等名: IEICE Technical Meeting on Electron Devices
  • 発表場所: 京都大学（京都府）
• [図書] Resonant tunneling diodes for THz sources", Chapter 7, Handbook of Terahertz Technologies, edited by H.-J. Song and T. Nagatsuma (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 出版者: Pan Stanford Publishing (出版予定)
• [図書] Handbook of Terahertz Technologies: Devices and Applications (Chapter 7 分担） (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 総ページ数: 300
  • 出版者: Pan Stanford Publishing
• [図書] グリーンナノテクノロジー, 編集(ナノテクノロジーネットワーク編 集委員会委員) (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 総ページ数: 217
  • 出版者: 日刊工業新聞社
• [図書] テラヘルツ波新産業 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 総ページ数: 6
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] 培風館 (2009)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋・平野拓一
  • 総ページ数: 276
  • 出版者: 電磁気学(電子情報工学ニューコース)
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AraiLab/inind.html
• [備考] 「RTD 素子の性能が大きく向上、室温で1.42THz を発振-テラヘルツ波の用途拡大に道」,日経エレクトロニクス,2014年1月 報道等
• [備考] 「共鳴トンネル構造によるテラヘルツ波の発生とその応用」,科研費NEWS(学振),vol.4, p.8,2012 報道等
• [備考] "Milestone for wi-fi with T-rays",BBC News, 2012年5月16日、報道等
• [備考] "Re-grown source-drain III-V MOSFETs demonstrate higher drain current", Semiconductor Today, 2011年5月 報道等
• [備考] 東工大浅田研究室
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/
• [備考] 東工大 浅田研究室ホームページ
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考] 荒井・西山研究室
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AraiLab/
• [備考] 宮本研究室
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/Furuya-MiyamotoLab/index.htm
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AraiLab/index.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2013)
  • 発明者名: 杉山弘樹,横山春喜,浅田雅洋,鈴木左文
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社,東京工業大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 取得年月日: 2013-12-10
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2012)
  • 発明者名: 杉山弘樹,鈴木左文,浅田雅洋
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社,東京工業大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2012-034749
  • 出願年月日: 2012-02-21
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2012)
  • 発明者名: 杉山弘樹、鈴木左文、浅田雅洋
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社,東京工業大学
  • 産業財産権番号: 2012-034749
  • 出願年月日: 2012-02-21
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2009)
  • 発明者名: 杉山弘樹、横山春喜、浅田雅洋、鈴木左文
  • 権利者名: NTT, 東京工業大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2009-11-26
  • 取得年月日: 2013-12-10
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2009)
  • 発明者名: 杉山弘樹、横山春喜、浅田雅洋、鈴木左文
  • 権利者名: NTT
  • 産業財産権番号: 2009-268458
  • 出願年月日: 2009-11-26
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器
  • 発明者名: 杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社, 東京工業大学