研究課題/領域番号 |
21226017
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研究種目 |
基盤研究(S)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
材料加工・処理
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)
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研究分担者 |
神原 淳 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (80359661)
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連携研究者 |
田中 康規 金沢大学, 工学部, 教授 (90303263)
澁田 靖 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (90401124)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
161,200千円 (直接経費: 124,000千円、間接経費: 37,200千円)
2012年度: 23,920千円 (直接経費: 18,400千円、間接経費: 5,520千円)
2011年度: 43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円)
2010年度: 61,360千円 (直接経費: 47,200千円、間接経費: 14,160千円)
2009年度: 32,240千円 (直接経費: 24,800千円、間接経費: 7,440千円)
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キーワード | メゾプラズマ / シリコン / エピタキシャル成長 / 太陽電池 / シーメンス法 / クラスター / 単結晶シリコン / プラズマ加工 / エピタキシー / シーメンス / 収率 |
研究概要 |
ウエーハ等価薄膜太陽電池製造を可能とする次世代シーメンス法開発に向け,製造装置や安全性も考慮したプロセスの低コスト化等の技術開発研究と,成膜前駆体としてのクラスターの成長・堆積過程の解明や励起水素原子密度の絶対計測等の学術研究との融合知を礎としたシリコン膜堆積の系統的実験により,シーメンス法の速度論的限界を超えた高歩留まり超高速エピ堆積を実証するとともに,メゾプラズマCVD法の特徴を明確化した。
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評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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