研究課題/領域番号 |
21246003
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 東京都市大学 |
研究代表者 |
白木 靖寛 東京都市大学, 総合研究所, 教授 (00206286)
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研究分担者 |
丸泉 琢也 東京都市大学, 工学部, 教授 (00398893)
野平 博司 東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 准教授 (90409376)
瀬戸 謙修 東京都市大学, 工学部, 講師 (10420241)
徐 学俊 東京都市大学, 総合研究所, 研究員 (80593334)
夏 金松 東京都市大学, 総合研究所, 助手 (00434184)
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連携研究者 |
中川 清和 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
松井 敏明 独立行政法人情報通信研究機構, 専攻研究員 (20358922)
宮田 典幸 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40358130)
宇佐美 徳隆 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
40,820千円 (直接経費: 31,400千円、間接経費: 9,420千円)
2012年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2011年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2010年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2009年度: 15,730千円 (直接経費: 12,100千円、間接経費: 3,630千円)
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キーワード | ゲルマニウム / 量子ドット / フォトニック結晶 / シミュレーション / 歪み / 微小共振器 / 導波路 / 光電子融合デバイス / マイクロディスク / 高誘電率絶縁膜 |
研究概要 |
次世代LSI(大規模集積回路)の高速・低消費電力化のための革新的デバイスとして、Si基板上Ge光電子融合デバイスの実現へ向けた基盤技術を、シミュレーション技術開発とともに確立した。従来とは異なる新規な歪みGeチャネル形成、絶縁層上歪みGe(Ge-on-Insulator)基板作製に成功し、また、量子ドットを有する、フォトニック結晶やマイクロディスク等の微小共振器構造を組み込んだ電流注入発光デバイスを作製し、室温における強い電流注入発光、導波路とのカップリングに成功した。
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