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革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 21246003
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東京都市大学

研究代表者

白木 靖寛  東京都市大学, 総合研究所, 教授 (00206286)

研究分担者 丸泉 琢也  東京都市大学, 工学部, 教授 (00398893)
野平 博司  東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
澤野 憲太郎  東京都市大学, 工学部, 准教授 (90409376)
瀬戸 謙修  東京都市大学, 工学部, 講師 (10420241)
徐 学俊  東京都市大学, 総合研究所, 研究員 (80593334)
夏 金松  東京都市大学, 総合研究所, 助手 (00434184)
連携研究者 中川 清和  山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
松井 敏明  独立行政法人情報通信研究機構, 専攻研究員 (20358922)
宮田 典幸  独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40358130)
宇佐美 徳隆  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)
研究期間 (年度) 2009 – 2012
研究課題ステータス 完了 (2012年度)
配分額 *注記
40,820千円 (直接経費: 31,400千円、間接経費: 9,420千円)
2012年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2011年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2010年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2009年度: 15,730千円 (直接経費: 12,100千円、間接経費: 3,630千円)
キーワードゲルマニウム / 量子ドット / フォトニック結晶 / シミュレーション / 歪み / 微小共振器 / 導波路 / 光電子融合デバイス / マイクロディスク / 高誘電率絶縁膜
研究概要

次世代LSI(大規模集積回路)の高速・低消費電力化のための革新的デバイスとして、Si基板上Ge光電子融合デバイスの実現へ向けた基盤技術を、シミュレーション技術開発とともに確立した。従来とは異なる新規な歪みGeチャネル形成、絶縁層上歪みGe(Ge-on-Insulator)基板作製に成功し、また、量子ドットを有する、フォトニック結晶やマイクロディスク等の微小共振器構造を組み込んだ電流注入発光デバイスを作製し、室温における強い電流注入発光、導波路とのカップリングに成功した。

報告書

(5件)
  • 2012 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2011 実績報告書
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (147件)

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (63件) (うち査読あり 61件) 学会発表 (79件) (うち招待講演 1件) 図書 (4件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room-temperature2013

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: - ページ: 636-639

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.11.002

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stable position of a B12 cluster near the Si surface and its STM images2013

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Ito
    • 雑誌名

      Electronic and Communications in Japan

      巻: 96 号: 2 ページ: 50-56

    • DOI

      10.1002/ecj.10405

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [雑誌論文] Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method2013

    • 著者名/発表者名
      F.Iijima
    • 雑誌名

      J. Physics:Conf, Series

      巻: 417 ページ: 12008-12008

    • DOI

      10.1088/1742-6596/417/1/012008

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique2013

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: - ページ: 251-253

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.100

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Tensilely Strained Germanium- on- Insulator2012

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya
    • 雑誌名

      Masanobu Miyao, and Yasuhiro Shiraki Applied Physics Express

      巻: 5 号: 1 ページ: 15701-15701

    • DOI

      10.1143/apex.5.015701

    • NAID

      10030155011

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書 2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe Heterostructures2012

    • 著者名/発表者名
      T. Tanaka, Y. Hoshi, K. Sawano, N. Usami, Y. Shiraki, and K. M. Itoh
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 100 号: 22 ページ: 222102-222102

    • DOI

      10.1063/1.4723690

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Acceptor-Like States in SiGe Alloy Related to Point Defects Induced by Si+ Ion Implantation2012

    • 著者名/発表者名
      Motoki Satoh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 10R ページ: 105801-105801

    • DOI

      10.1143/jjap.51.105801

    • NAID

      210000141389

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu, Toshiki Tsuboi, Taichi Chiba, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: 20(13) 号: 13 ページ: 14714-14721

    • DOI

      10.1364/oe.20.014714

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon-based light emitting devices based on Ge self-assembled quantum dots embedded in optical cavity2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu, Sho Narusawa, Taichi Chiba, Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      IEEE Journal of Selected Topics inQuantum Electronics

      巻: 18(6) 号: 6 ページ: 1830-1838

    • DOI

      10.1109/jstqe.2012.2206802

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavities2012

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Tsuboi, Xuejun Xu, Jinsong Xia,Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, andYasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 5 ページ: 052101-052101

    • DOI

      10.1143/apex.5.052101

    • NAID

      10030593466

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書 2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-quality-factor light-emitting diodes with modified photonic crystal nanocavities including Ge self-assembled quantum dots on silicon-on-insulator substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu, Taichi Chiba, Tatsuya Nakama, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 10 ページ: 102101-102101

    • DOI

      10.1143/apex.5.102101

    • NAID

      10031117543

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electroluminescence from micro-cavities of photonic crystals, micro-disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Shiraki
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 45(5) 号: 5 ページ: 235-246

    • DOI

      10.1149/1.3700432

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Angle-Resolved PES Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces2012

    • 著者名/発表者名
      Hazuki Okada
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 50(3) 号: 3 ページ: 243-250

    • DOI

      10.1149/05003.0243ecst

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mamatrishat
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 86(10) 号: 10 ページ: 1513-1516

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2012.02.050

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained Si/Ge Channels on SiGe Buffers Strain-controlled with Selective Ion Implantation2012

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 50(9) 号: 9 ページ: 815-820

    • DOI

      10.1149/05009.0815ecst

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Experimental and theoretical analysis of the temperature dependence of the two-dimensional electron mobility in a strained Si quantum well2012

    • 著者名/発表者名
      Takahisa Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 111 号: 7 ページ: 73715-73715

    • DOI

      10.1063/1.3702464

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room-Temperature Observation of Size Effects in Photoluminescence of Si0.8Ge0.2/Si Nanocolumns Prepared by Neutral Beam Etching2012

    • 著者名/発表者名
      Rii Hirano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 8 ページ: 82004-82004

    • DOI

      10.1143/apex.5.082004

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In-plane magnetic field dependence of cyclotron relaxation time in a Si two-dimensional electron system2012

    • 著者名/発表者名
      T. Chiba, R. Masutomi, K. Sawano, Y. Shiraki, and T. Okamoto
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 86 号: 4 ページ: 45310-45310

    • DOI

      10.1103/physrevb.86.045310

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 ページ: 95701-95701

    • NAID

      10029622735

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Metallic Behavior of Cyclotron Relaxation Time in Two-Dimensional Systems2011

    • 著者名/発表者名
      R. Masutomi, K. Sasaki, I. Yasuda, A. Sekine, K. Sawano, Y. Shiraki, and T. Okamoto
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 106 号: 19 ページ: 196404-196404

    • DOI

      10.1103/physrevlett.106.196404

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical detection of cross relaxation between electron spins of phosphorus and oxygen-vacancy centers in silicon2011

    • 著者名/発表者名
      W.Akhtar, H.Morishita, K.Sawano, Y.Shiraki, L.S.Vlasenko, K.M.Itoh
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 84 号: 4 ページ: 45204-45204

    • DOI

      10.1103/physrevb.84.045204

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Self-diffusion in compressively strained Ge2011

    • 著者名/発表者名
      Yoko Kawamura, Masashi Uematsu, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Yasuhiro Shiraki, Eugene E.Haller, Kohei M.Itoh
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 110 号: 1

    • DOI

      10.1115/1.4004462

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, S.Nagakura, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 号: 9 ページ: 095701-095701

    • DOI

      10.1143/apex.4.095701

    • NAID

      10029622735

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and on In_<0.53>Ga_<0.47>As Surface2011

    • 著者名/発表者名
      Koji Yamashita, Arata Komatsu, Masato Watanabe, Yuuya Numajiri, Darius Zade, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
    • 雑誌名

      Electrochemical Society Inc., ECS Transactions

      巻: 41 ページ: 265-272

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Study of High-κ/In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Koji Yamashita, Yuuya Numajiri, Masato Watanabe, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Hiroshi Nohira
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 10S ページ: 10PD02-10PD02

    • DOI

      10.1143/jjap.50.10pd02

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ハフニウム酸化物への元素添効果2011

    • 著者名/発表者名
      中山利紀、川崎裕、丸泉琢也
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 111 ページ: 75-80

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [雑誌論文] Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像2011

    • 著者名/発表者名
      伊藤俊祐、丸泉琢也、諏訪雄二
    • 雑誌名

      電気学会論文誌(A編)

      巻: 131 ページ: 478-483

    • NAID

      10030522265

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Linewidth of Low-Field Electrically Detected Magnetic Resonance of Phosphorus in Isotopically Controlled Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Morishita, Eisuke Abe, Waseem Akhtar, Leonid S.Vlasenko, Akira Fujimoto, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Lukas Dreher, Helge Riemann, Nikolai V.Abrosimov, Peter Becker, Hans-J.Pohl, Mike L.W.Thewalt, Martin S.Brandt, Kohei M.Itoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10027782881

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Aluminum oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems2011

    • 著者名/発表者名
      Yun-Sok Shin, Roland Brunner, Akihiro Shibatomi, Toshiaki Obata, Tomohiro Otsuka, Jun Yoneda, Yasuhiro Shiraki, Kentarou Sawano, Yasuhiro Tokura, Yuichi Harada, Koji Ishibashi, Seigo Tarucha
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 26

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2011

    • 著者名/発表者名
      K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 88 ページ: 465-468

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010

    • 著者名/発表者名
      Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, AtsunoriYamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518 ページ: 2454-2454

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb --doping2010

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara, K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, and Y. Shiraki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 97 ページ: 162108-162108

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots2010

    • 著者名/発表者名
      J. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi, and Y. Shiraki
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: 18 ページ: 13945-13950

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書 2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami,K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 107 ページ: 103509-103509

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stable position of B_<12> Cluster Near Si(001) Surface and Its STM images2010

    • 著者名/発表者名
      T.Maruizumi, S.Ito
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33 ページ: 253-274

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Simulation of dislocation accumulation in ULSI cells of reduced gate length2010

    • 著者名/発表者名
      M.Sato, T.Ohashi, K.Aikawa, T.Maruizumi, I.Kitgawa
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 654-656 ページ: 1682-1685

    • NAID

      120004226665

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb δ-doping2010

    • 著者名/発表者名
      K.Sawano, Y Hoshi, K.Kasahara, K.Yamane, K.Hamaya, M.Miyao, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum Transport and Cyclotron Resonance Study of Ge/SiGe Quantum Wells in High Magnetic Fields2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miura, N.V.Kozlova, K.Dorr, J.Freudenberger, L.Schultz, O.Drachenko, K.Sawano, Y Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Low Temperature Physics

      巻: 159 ページ: 222-225

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells2010

    • 著者名/発表者名
      Kohei Sasaki, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tohru Okamoto
    • 雑誌名

      Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures

      巻: 42 ページ: 1018-1021

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in a Si quantum well2010

    • 著者名/発表者名
      R.Masutomi, A.Sekine, K.Sasaki, K.Sawano, Y.Shiraki, T.Okamoto
    • 雑誌名

      Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures

      巻: 42 ページ: 1184-1187

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers2010

    • 著者名/発表者名
      R.E.Balderas-Navarro, L.F.Lastras-Martinez, K.Arimoto, R.Castro-Garcia, O.Villalobos-Aguilar, A.Lastras-Martinez, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakajima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 96

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 107

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe3Si/Si Spin-Valye Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Yuichiro Ando, Kenji Kasahara, Kazutaka Yamane, Kohei Hamaya, Kentarou Sawano, Takashi Kimura, Masanobu Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitonic Aharonov-Bohm effect in isotopically pure 70GeO Si self-assembled type-II quantum dots2010

    • 著者名/発表者名
      Satoru Miyamoto, Oussama Moutanabbir, Toyofumi Ishikawa, Mikio Eto, Eugene E.Haller, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Kohei M.Itoh
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 82

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Study of HfO_2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      ECS Transaction

      巻: 33 ページ: 467-472

    • NAID

      110008900164

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, K.Arimoto, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010

    • 著者名/発表者名
      Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

      ページ: 2454-2456

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by IonImplantation Technique2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami , K. Nakagawa, Y. Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 806-808

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 95 ページ: 122109-122109

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique2009

    • 著者名/発表者名
      K.Sawano, Y.Hoshi, Y.Hiraoka, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 806-808

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009

    • 著者名/発表者名
      K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Hiraoka, Y.Sato, Y.Ogawa, A.Yamada, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 825-828

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 819-824

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates2009

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 809-813

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates2009

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Arimoto, Genki Kawaguchi, Kana Shimizu, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 814-818

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ando, K.Hamaya, K.Kasahara, Y.Kishi, K.Ueda, K.Sawano, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Insulating phases induced by crossing of partially filled Landau levels in a Si quantum well2009

    • 著者名/発表者名
      Tohru Okamoto, Kohei Sasaki, Kiyohiko Toyama, Ryuichi Masutomi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Physical Review B 79

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates2009

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 53

      ページ: 1135-1143

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Probing the Behaviors of Point Defects in Silicon and Germanium Using Isotope Superlattices2009

    • 著者名/発表者名
      Masashi Uematsu, Miki Naganawa, Yasuo Shimizu, Kohei M.Itoh, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Eugene E.Haller
    • 雑誌名

      ECS Transaction 25

      ページ: 51-54

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      Kohei Sasaki, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tohru Okamoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical detection and magnetic-field control of spin states in phosphorus-doped silicon2009

    • 著者名/発表者名
      H.Morishita, L.S.Vlasenko, H.Tanaka, K.Semba, K.Sawano, Y.Shiraki, M.Eto, K.M.Itoh
    • 雑誌名

      Physical Review B 80

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 不純物がドープされたULSIセルに生じる転位の結晶塑性解析2009

    • 著者名/発表者名
      佐藤満弘、大橋鉄也、丸泉琢也、北川功
    • 雑誌名

      日本機械学会論文集(A編) 75

      ページ: 1057-1062

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots2009

    • 著者名/発表者名
      Jinsong Xia, Ryuichiro Tominaga, Seiji Fukamitsu, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

    • NAID

      40016464751

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique2012

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • 年月日
      2012-09-26
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Electroluminescence from micro- cavities of photonic crystals, micro- disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      Invited221st ECS Meeting
    • 発表場所
      Seattle, Washington, USA
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Room-temperature photonic crystal nanocavity light emitting diodes based on Ge self-assembled quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Room-temperature photonic crystal nanocavity light emitting diodes based on Ge self-assembled quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      San Francisco, US
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Combination of Ge self-assembled quantum dots and photonic crystal for silicon photonic devices2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      The 5th International Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2012)
    • 発表場所
      Wuhan, China
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Room temperature 1.55 μm electroluminescence from Ge quantum dots embedded in H1-type photonic crystal nanocavities using lateral current injection2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Enhancement of light emission from Ge quantum dots by photonic crystal nanocavities at room temperature2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Lateral PIN current-injected photonic crystal nanocavity light emitting diodes based on Ge quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu
    • 学会等名
      The 9th IEEE International Conference on Group IV Photonics (GFP)
    • 発表場所
      San Diego, US
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Electroluminescence from micro-cavities of photonic crystals, micro-disks and rings including Ge dots formed on SOI substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      221st ECS Meeting
    • 発表場所
      Seattle, Washington, US
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces2012

    • 著者名/発表者名
      Hazuki Okada
    • 学会等名
      222nd Meeting of The Electrochemical Society (PRiME 2012)
    • 発表場所
      Honolulu, HI, US
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique2012

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Formation of high-quality Ge(111) layers on Si (111) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshi
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Formation of Uniaxially Strained Si/Ge Channels on SiGe Buffers Strain-controlled with Selective Ion Implantation2012

    • 著者名/発表者名
      K. Sawano
    • 学会等名
      222nd Meeting of The Electrochemical Society (PRiME 2012)
    • 発表場所
      Honolulu, HI, US
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Magnetotransport properties of 20-nm-thick strained Ge with various compressive stresses2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Hoshi
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method2011

    • 著者名/発表者名
      F.Iijima, K.Sawano, T.Maruizumi, Y.Shiraki
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      京都テルサ、京都
    • 年月日
      2011-11-08
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Ion Implantation for Strain Engineering of Si-based Semiconductor2011

    • 著者名/発表者名
      Kentarou Sawano
    • 学会等名
      Invited BIT's 1st Annual World Congress ofNano-S&T 2011
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2011-10-26
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-k Gate Stacks for Advanced CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Nohira
    • 学会等名
      Invited220th Meeting of The ElectrochemicalSociety
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-11
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-k Gate Stacks for Advanced CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Nohira, Arata Komatsu, Koji Yamashita, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      220th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Boston, MA, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Surface segregation behavior of Sb, B, Ga, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) surface examined with afirst-principles method2011

    • 著者名/発表者名
      T. Maruizumi
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Surface segregation behavior of Sb, B, Ga, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) surface examined with a first-principles method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Maruizumi, Jiro Ushio, Shotaro Abe, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] A novel RCE waveguide photodetector based on SiGe/Si multiple-QWs2011

    • 著者名/発表者名
      Xuejun Xu, Jinsong Xia, Takuya Maruizumi, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-28
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavity2011

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Xuejun Xu, Yuuki Takeda, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-28
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of strained thin-film GOT based on wafer bonding2011

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya, Masanobu Miyao, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-28
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Microstructure Change of Si0.99C0.01 Thin Films Caused by Arsenic-Ion-, Boron-Ion-, and Silicon-Ion-Implantation and Successive Rapid Thermal Annealing Treatment2011

    • 著者名/発表者名
      Shigenori Inoue, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Atsushi Moriya, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-28
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Temperature dependence of two-dimensional hole gas mobility in a strained Ge quantum well2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, K.Sawano, Y.Hoshi, Y.Shiraki, K.M.Itoh
    • 学会等名
      The 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2011-07-25
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Surface segregation behavior of Sb, B, and As dopant atoms on Ge(111) surface2011

    • 著者名/発表者名
      T. Maruizumi
    • 学会等名
      E-MRS 2011 Spring & Bilateral Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2011-05-10
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書 2011 実績報告書
  • [学会発表] Electroluminescence of a Si-based light emitting device using photonic crystal microcavity with self-assembled Ge dots2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuboi, J.S.Xia, X.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki
    • 学会等名
      E-MRS 2011 Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2011-05-10
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Stripe line width dependence of anisotorpic strain states induced into SiGe films by selective ion implantation technique2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 学会等名
      E-MRS 2011 Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2011-05-10
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Si微小共振器中Ge量子ドットによる発光素子の開発2011

    • 著者名/発表者名
      丸泉琢也、夏金松、白木靖寛
    • 学会等名
      電子通信情報学会2011年総合大会
    • 発表場所
      東京都市大(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Stable position of B12 Cluster NearSi(001) Surface and Its STM images2010

    • 著者名/発表者名
      T. Maruizumi
    • 学会等名
      218th Meeting of The ElectrochemicalSociety
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2010-10-12
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Stable position of B_<12> Cluster Near Si(001) Surface and Its STM images2010

    • 著者名/発表者名
      T.Maruizumi, S.Ito
    • 学会等名
      218th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2010-10-12
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron2010

    • 著者名/発表者名
      Arata Komatsu, Kentarou Nasu, Yusuke Hoshi, Toru Kurebayashi, Kentarou Sawano, Maksym Myronov, Hiroshi Nohira, Yasuhiro Shiraki
    • 学会等名
      218th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2010-10-12
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Ge量子ドットを有する1次元フォトニック結晶微小共振器による1,3μm帯での単一ピーク発光2010

    • 著者名/発表者名
      小林正人、夏金松、武田雄貴、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] フォトニック結晶微小共振器を用いたSi系発光デバイスのエレクトロルミネッセンス2010

    • 著者名/発表者名
      坪井俊紀、夏金松、深水聖司、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価II2010

    • 著者名/発表者名
      小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, ミロノフマクシム, 野平博司, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像(3)2010

    • 著者名/発表者名
      伊藤俊祐、丸泉琢也、諏訪雄二
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] HfO_2中への元素添加の第一原理計算2010

    • 著者名/発表者名
      中山利紀、丸泉琢也
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製2010

    • 著者名/発表者名
      福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田 建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性2010

    • 著者名/発表者名
      榑林徹, 星裕介, 那須賢太郎, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] (110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係2010

    • 著者名/発表者名
      八木聡介, 有元圭介, 中川清和, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 澤野憲太郎, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Ar^+およびSi^+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響2010

    • 著者名/発表者名
      星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 有元圭介, 中川清和, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製2010

    • 著者名/発表者名
      久保智史, 澤野憲太郎, 星裕介, 中川清和, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      永倉壮, 星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 中川清和, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成2010

    • 著者名/発表者名
      竹田圭吾, 星裕介, 笠原健司, 山根一高, 澤野憲太郎, 浜屋宏平, 宮尾正信, 白木靖寛
    • 学会等名
      2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2010

    • 著者名/発表者名
      K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 学会等名
      E-MRS 2010 Spring Meeting, Symposium H
    • 発表場所
      Strasbourg (France)
    • 年月日
      2010-06-10
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Stable position of a boron cluster near Si surface2010

    • 著者名/発表者名
      S.Ito, T.Maruizumi
    • 学会等名
      18th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      京都大学(京都府)
    • 年月日
      2010-06-08
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] First-principles Examination of As 3d5/2 X-ray Photoelectron Spectrum for Heavily Doped Arsenic Shallow Junctions Prepared by Plasma Doping2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ban-I, T.Maruizumi
    • 学会等名
      18th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      京都大学(京都府)
    • 年月日
      2010-06-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effect of line width on uniasial strain states of SiGe layers fabricated by selective ion implantation2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
    • 学会等名
      5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
    • 発表場所
      Stockholm (Sweden)
    • 年月日
      2010-05-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] マイクロディスク共振器を用いたSi系発光デバイスのエレクトロルミネッセンス2010

    • 著者名/発表者名
      武田雄貴
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-19
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上2010

    • 著者名/発表者名
      那須賢太郎
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-19
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置(3)2010

    • 著者名/発表者名
      伊藤俊祐
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価2010

    • 著者名/発表者名
      小松新
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Ge濃縮層/SiGe層/Si(100)構造の形成と素子応用2010

    • 著者名/発表者名
      奥村景星
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響2010

    • 著者名/発表者名
      星裕介
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 熱処理の歪みSi_<1-y>C_y/Siヘテロ構造と素子特性に与える影響2010

    • 著者名/発表者名
      長葭一利
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象2010

    • 著者名/発表者名
      澤野憲太郎
    • 学会等名
      2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si-Based Light Emitting Devices Based onGe Self-Assembled Quantum Dots2009

    • 著者名/発表者名
      J. Xia
    • 学会等名
      Invited2009 International Symposium on Crystal Science and Technologies
    • 発表場所
      Kofu, Yamanashi
    • 年月日
      2009-12-04
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Si-Based Light Emitting Devices Based on Ge Self-Assembled Quantum Dots (invited)2009

    • 著者名/発表者名
      夏金松
    • 学会等名
      2009 International Symposium on Crystal Science and Technologies
    • 発表場所
      山梨大学(甲府)
    • 年月日
      2009-12-04
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Material aspects and characterization of Si/Ge hetero-structures on nano-scale for electronic and optical deviceapplications2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Shiraki
    • 学会等名
      Invited1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
    • 発表場所
      Vigo, Spain
    • 年月日
      2009-09-22
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Material aspects and characterization of Si/Ge hetero-structures on nano-scale for electronic and optical device applications (Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      白木靖寛
    • 学会等名
      1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
    • 発表場所
      Vigo, Spain
    • 年月日
      2009-09-22
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] HfO_2/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      星裕介
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価2009

    • 著者名/発表者名
      小川佑太
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] As^+,B^+,Si^+イオン注入したSi-C混晶半導体膜のRTA処理による組織変化2009

    • 著者名/発表者名
      井上樹範
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] (110)面上に形成された歪みSi薄膜の結晶性の改善2009

    • 著者名/発表者名
      八木聡介
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation (Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      澤野憲太郎
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるSi中のAsドーパントのXPS解析2009

    • 著者名/発表者名
      伴井香苗
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像(2)2009

    • 著者名/発表者名
      伊藤俊祐
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] フォトニック結晶共振器を用いたSi系電流注入型発光デバイスの作製2009

    • 著者名/発表者名
      深水聖司
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Current-injected Si microdisk with Ge self-assembled quantum dots2009

    • 著者名/発表者名
      J. Xia
    • 学会等名
      Invited2nd Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2009)
    • 発表場所
      Wuhan, China
    • 年月日
      2009-08-10
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Current-injected Si microdisk with Ge self-assembled quantum dots (Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      夏金松
    • 学会等名
      2nd Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2009)
    • 発表場所
      Wuhan, China
    • 年月日
      2009-08-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      佐々木恒平
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2009-07-23
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Identification of scattering mechanisms limiting the mobility of two-dimensional electron gas in Si/SiGe heterostructures2009

    • 著者名/発表者名
      土屋豪
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2009-07-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in a Si quantum well2009

    • 著者名/発表者名
      枡富龍一
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2009-07-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2009

    • 著者名/発表者名
      澤野憲太郎
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-11
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Absence of Transient Enhanced Diffusion in Ion-Implanted Ge Investigated by Isotope Superlattices2009

    • 著者名/発表者名
      植松真司
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Stable position of B12 cluster near Si(001) surfaces and its STM images2009

    • 著者名/発表者名
      伊藤俊祐
    • 学会等名
      13^<th> International Workshop on Computaional Electronics
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2009-05-27
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Ion dose and species dependence of strain relaxation of SiGe buffer layers formed by ion-implantation technique2009

    • 著者名/発表者名
      星裕介
    • 学会等名
      6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • 年月日
      2009-05-19
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] CMP for high mobility strained Si/GeChannels2009

    • 著者名/発表者名
      Kentarou Sawano
    • 学会等名
      Invited2009 MRS (Materials Research Society) Spring Meeting, Symposium E : Science andTechnology of Chemical Mechanical Planarization (CMP)
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-04-16
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] CMP for high mobility strained Si/Ge Channels (Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      澤野憲太郎
    • 学会等名
      2009 MRS (Materials Research Society) Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-04-16
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [図書] Silicon germanium (SiGe)nanostructures2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shiraki and N. Usami
    • 総ページ数
      627
    • 出版者
      Woodhead Publishing
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [図書] 量子ドット‐エレクトロ ニクス最前線2011

    • 著者名/発表者名
      丸泉琢也、夏金松
    • 出版者
      エヌティーエス社
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [図書] Silicon-germanium (SiGe) nanostructures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shiraki N.Usami
    • 総ページ数
      627
    • 出版者
      Woodhead Publishing
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [図書] 量子ドット-エレクトロニクス最前線(分担執筆)2011

    • 著者名/発表者名
      丸泉琢也、夏金松, 他
    • 出版者
      エヌティーエス社
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.arl.tcu.ac.jp/sns.html

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2019-07-29  

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